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    Electron multiplier
    1.
    发明授权
    Electron multiplier 有权
    电子倍增器

    公开(公告)号：EP1611589B1

    公开(公告)日：2008-05-21

    申请号：EP04758323.2

    申请日：2004-03-25

    申请人： ITT Manufacturing Enterprises, Inc.

    发明人： SMITH, Arlynn, Walter

    IPC分类号： H01J1/32 ,  H01J43/22

    CPC分类号： H01J43/10 ,  H01J1/32 ,  H01J31/506

    摘要： An image intensifier and electron multiplier therefor is disclosed. Photons of an image impinge a photo-cathode that converts the photons to electrons. An electron multiplier multiplies the electrons from the photo-cathode to create an increased number of electrons. A sensor captures the increased number of electrons to produce an intensified image. The electron multiplier is an electron bombarded device (EBD) containing a semiconductor structure. The semiconductor structure has an input surface for receiving electrons and an emission surface for passing an increased number of electrons. The semiconductor structure is doped to direct the flow of electrons through the semiconductor structure to an emission area on the emission surface.

    Tube photomultiplicateur comportant des électrodes fixées sur un support
    5.
    发明公开
    Tube photomultiplicateur comportant des électrodes fixées sur un support 失效
    电子邮件地址：电子邮件地址：

    公开(公告)号：EP0347996A2

    公开(公告)日：1989-12-27

    申请号：EP89201598.3

    申请日：1989-06-19

    申请人： PHILIPS PHOTONIQUE ,  Philips Electronics N.V.

    发明人： Chopy, Hervé

    IPC分类号： H01J43/24 ,  H01J1/88 ,  H05K7/12

    CPC分类号： H05K7/12 ,  H01J1/88 ,  H01J43/10

    摘要： Tube photomultiplicateur comprenant une pluralité d'électrodes devant être fixées par des pattes (10) de fixa­tion à l'intérieur d'une fente (20). Selon l'invention, chaque patte (10) de fixation est fixée de manière serrée à l'inté­rieur de la fente (20), et, en particulier, chaque fente (20) comprend, d'une part, deux extrémités (22a,22b) de profil continûment variable, en contact avec des bords (21a,21b) de la patte (10) de fixation situés sur une première face (11) de ladite patte, et, d'autre part, au moins un méplat (23) de support central en contact avec une deuxième face (12) de la patte (10) de fixation, la patte (10) de fixation présentant à sa base des arrondis coopérant respectivement avec les profils desdites extrémités (22a,22b) de la fente (20).
    Application aux tubes photomultiplicateurs dont les dynodes présentent des pattes de fixation.

    摘要翻译： 光电倍增管包括多个电极，该多个电极必须通过腿固定（10）固定在槽（20）内。 根据本发明，每个固定腿（10）以紧固方式固定在狭槽（20）内，特别地，每个狭槽（20）一方面包括连续的两个端部（22a，22b） 与位于所述腿部的第一面（11）上的固定腿（10）的边缘（21a，21b）接触的可变轮廓，另一方面，至少一个中心支撑平面（23） 与固定腿（10）的第二面（12）接触，固定腿（10）在其底部具有分别与槽（20）的所述端部（22a，22b）的轮廓配合的切口。 ...应用于具有固定腿的倍增电极的光电倍增管。 ... ...

    TRANSMISSION PHOTOCATHODE
    6.
    发明公开
    TRANSMISSION PHOTOCATHODE 审中-公开
    ÜBERTRAGUNGSPHOTOKATHODE

    公开(公告)号：EP3065159A4

    公开(公告)日：2017-06-28

    申请号：EP14858313

    申请日：2014-08-08

    申请人： HAMAMATSU PHOTONICS KK

    发明人： NAGATA TAKAAKI ,  HAMANA YASUMASA ,  NAKAMURA KIMITSUGU

    IPC分类号： H01J1/34 ,  H01J1/32 ,  H01J40/06 ,  H01J43/08 ,  H01J43/10

    CPC分类号： H01J1/34 ,  H01J1/32 ,  H01J40/06 ,  H01J43/08 ,  H01J43/10

    摘要： A transmission mode photocathode 2 comprises: an optically transparent substrate 4 having an outside face 4a to which light is incident, and an inside face 4b from which the light incident to the outside face 4a side is output; a photoelectric conversion layer 5 disposed on the inside face 4b side of the optically transparent substrate 4 and configured to convert the light output from the inside face 4b into a photoelectron or photoelectrons; and an optically-transparent electroconductive layer 6 comprising graphene, and disposed between the optically transparent substrate 4 and the photoelectric conversion layer 5.

    摘要翻译： 透射模式光电阴极2包括：光学透明基板4，其具有光入射到其的外侧面4a和从其射出入射到外侧面4a侧的光的内侧面4b; 设置在光学透明基板4的内表面4b侧并且被配置为将从内表面4b输出的光转换为光电子或光电子的光电转换层5; 和包含石墨烯的光学透明导电层6，并且设置在光学透明基板4和光电转换层5之间。

    IMAGE INTENSIFIER AND ELECTRON MULTIPLIER THEREFOR
    7.
    发明公开
    IMAGE INTENSIFIER AND ELECTRON MULTIPLIER THEREFOR 有权
    电子倍增器

    公开(公告)号：EP1611589A2

    公开(公告)日：2006-01-04

    申请号：EP04758323.2

    申请日：2004-03-25

    申请人： ITT MANUFACTURING ENTERPRISES, INC.

    发明人： SMITH, Arlynn, Walter

    IPC分类号： H01J1/32 ,  H01J43/22

    CPC分类号： H01J43/10 ,  H01J1/32 ,  H01J31/506

    摘要： An image intensifier (300) and electron multiplier (312) therefor is disclosed. Photons (308) of an image impinge a photo-cathode (306) that converts the photons to electrons. An electron multiplier multiplies the electrons from the photo-cathode to create an increased number of electrons. A sensor (304) captures the increased number of electrons to produce an intensified image. The electron multiplier is an electron bombarded device (EBD) containing a semiconductor structure (320). The semiconductor structure has an input surface (320a) for receiving electrons and an emission surface (320b) for passing an increased number of electrons. The semiconductor structure is doped to direct the flow of electrons through the semiconductor structure to an emission area on the emission surface.

    CATHODE FOR EMITTING PHOTOELECTRON OR SECONDARY ELECTRON, PHOTOMULTIPLIER TUBE, AND ELECTRON-MULTIPLIER TUBE
    8.
    发明公开
    CATHODE FOR EMITTING PHOTOELECTRON OR SECONDARY ELECTRON, PHOTOMULTIPLIER TUBE, AND ELECTRON-MULTIPLIER TUBE 审中-公开
    伊丽莎白二世SE EN RE RE RE RE RE RE RE RE RE RE RE RE RE RE RE RE RE RE RE RE RE RE RE RE RE RE RE RE

    公开(公告)号：EP1253614A1

    公开(公告)日：2002-10-30

    申请号：EP01900777.2

    申请日：2001-01-16

    申请人： HAMAMATSU PHOTONICS K. K.

    发明人： KINOSHITA, Masao ,  WATANABE, Hiroyuki ,  NISHIURA, Rie

    IPC分类号： H01J1/35 ,  H01J40/06 ,  H01J43/10

    CPC分类号： B82Y10/00 ,  H01J1/35 ,  H01J43/06 ,  H01J43/10 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2201/32 ,  H01J2201/3426 ,  Y10S977/952

    摘要： The cathode for photo-electron emission 5 is comprised of an alkali metal containing layer 5d made of material for emitting photo-electrons by the entry of light or for emitting secondary electrons by the entry of electrons, such as particles which consist of an alkali antimony compound, on an Ni electrode substrate 5c on which an Al layer 5b is deposited, and has an intermediate layer 5a made of carbon nano-tubes between the alkali metal containing layer 5d and the Ni electrode substrate 5c, therefore the defect density inside the particles is decreased, and the recombining probability of electrons and holes drops remarkably, which improves the quantum efficiency.

    摘要翻译： 用于光电子发射的阴极5由含有碱金属的层5d组成，所述碱金属含有层5d由用于通过光入射发射光电子的材料或通过电子进入发射二次电子，例如由碱锑组成的颗粒 在沉积有Al层5b的Ni电极基板5c上，在碱金属含有层5d和Ni电极基板5c之间具有由碳纳米管构成的中间层5a，因此颗粒内的缺陷密度 电子和空穴的重组概率明显下降，提高了量子效率。