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    Halbleiterlaserverstärker für optische Signale mit steuerbaren Spiegeln
    1.
    发明公开
    Halbleiterlaserverstärker für optische Signale mit steuerbaren Spiegeln 失效
    Halbleiterlaserverstärkerfüroptische Signale mit steuerbaren Spiegeln。

    公开(公告)号：EP0413320A2

    公开(公告)日：1991-02-20

    申请号：EP90115614.1

    申请日：1990-08-14

    申请人： TSENTR NAUCHNO-TEKHNICHESKOGO TVORCHESTVA MOLODEZHI " LINAX"

    发明人： Lomashevich, Svyatoslav Alexandrovich ,  Eskin, Konstantin Fedorovich ,  Bystrov, Jury Lvovich ,  Semenova, Galina Alexandrovna

    IPC分类号： H01S3/105 ,  H01S3/025

    CPC分类号： H01S3/105 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0284 ,  H01S5/50

    摘要： Das Ziel der Erfindung besteht darin, eine aktive Mehrzweckvorrichtung mit der Charakteristik der Differentialverstärkung zu schaffen, die es gestattet, optische Signale zu verstärken, mit der Änderung der Frequenz weiterzuleiten, zu formieren, zu generieren.
    Die obengenannten Eigenschaften werden durch antireflektierende Schichten (2) auf den Spiegeln (5, 6) realisiert, die einen Phasenübergang der ersten Gattung im Bereich von Arbeitswellen und Temperaturen des Verstärkers aufweisen, welcher durch eine äußere und innere optische Änderung oder mit einem äußeren elektrischen Signal gesteuert wird.

    摘要翻译： 本发明的目的是创建一种具有差分放大特性的有源多用途装置，其允许光信号被放大，随着频率的变化而被转发以形成和产生。 上述性质通过反射镜（5,6）上的抗反射涂层（2）实现，该涂层在工作波区域和放大器的温度范围内具有一级相变，其转变由 外部和内部光学变化或外部电信号的装置。

    Semiconductor laser apparatus
    5.
    发明公开
    Semiconductor laser apparatus 失效
    半导体激光装置

    公开(公告)号：EP0293144A1

    公开(公告)日：1988-11-30

    申请号：EP88304622.9

    申请日：1988-05-20

    申请人： SONY CORPORATION

    发明人： Okada, Tsunekazu c/o Patents Division ,  Yamaguchi, Nozomu c/o Patents Division

    IPC分类号： H01S3/133 ,  H01S3/025

    CPC分类号： H01S5/028 ,  H01S5/0284 ,  H01S5/068 ,  H01S5/0683

    摘要： A semiconductor laser apparatus detects a laser beam from a semiconductor laser element (11) using a light-receiving element (16) so as to perform automatic light power control. A temperature dependency of the power of a laser beam transmitted through an end face protection film (14, 15) of the semiconductor laser element (11) and the temperature dependence of a detection power of the light-­receiving element (16) have inverse characteristics to each other, so that a variation in intensity of output light due to a change in temperature is minimised.

    摘要翻译： 半导体激光装置使用光接收元件（16）检测来自半导体激光元件（11）的激光束，以执行自动光功率控制。 透过半导体激光元件（11）的端面保护膜（14,15）的激光的功率与受光元件（16）的检测功率的温度依存性的温度依赖性具有逆特性 使得由于温度变化引起的输出光强度的变化最小化。

    Halbleiterlaser mit konstanter differentieller Quantenausbeute oder konstanter optischer Ausgangsleistung
    8.
    发明公开
    Halbleiterlaser mit konstanter differentieller Quantenausbeute oder konstanter optischer Ausgangsleistung 失效
    半导体激光具有恒定微分量子效率或恒定的光输出功率。

    公开(公告)号：EP0304796A2

    公开(公告)日：1989-03-01

    申请号：EP88113396.1

    申请日：1988-08-18

    申请人： Alcatel SEL Aktiengesellschaft ,  ALCATEL N.V.

    发明人： Mozer, Albrecht, Dr. ,  Lösch, Kurt, Dr.

    IPC分类号： H01S3/19 ,  H01S3/08

    CPC分类号： H01S5/028 ,  H01S5/0284

    摘要： Es wird ein Halbleiterlaser (10) vorgeschlagen, der auf seiner Vorder- oder Rückseite so mit mehreren dielektrischen Schichten und/oder Verspiegelungsschichten (11, 12) unterschiedlicher Brechungsindices beschichtet ist, daß sich entweder eine temperaturunabhängige differentielle Quantenausbeute oder eine temperaturunabhängige optische Ausgangsleistung ergibt. Dabei wird die Schichtenfolge so gewählt, daß der Reflexionskoeffizient mit wachsender Lichtwellenlänge abnimmt. (Es kann z.B. für andere Lasersysteme auch erforderlich sein, daß er zunimmt.)

    摘要翻译： 那里提出了一种具有在其前表面或后表面为多个电介质层和/或不同折射率的反射镜的涂层（11,12）的被涂覆到任何一个与温度无关的微分量子效率或得到与温度无关的光功率输出的半导体激光器（10）。 被选择的层的顺序，以使反射系数随光的波长而降低。 （它可以是，例如，对于其他的激光系统还需要它增加）。