利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

170 条记录 (耗时 0.019 秒)

    ELECTROMAGNETIC WAVE REFLECTOR AND OPTICAL DEVICE INCLUDING THE SAME
    2.
    发明公开
    ELECTROMAGNETIC WAVE REFLECTOR AND OPTICAL DEVICE INCLUDING THE SAME 审中-公开
    电磁波反射镜和包括它在内的光学器件

    公开(公告)号：EP3171204A1

    公开(公告)日：2017-05-24

    申请号：EP16168917.9

    申请日：2016-05-10

    申请人： Samsung Electronics Co., Ltd.

    发明人： BAIK, Chanwook ,  JEONG, Heejeong

    IPC分类号： G02B5/08 ,  H01S5/183

    CPC分类号： H01S5/18377 ,  G02B5/0833 ,  H01L33/46 ,  H01S5/18361 ,  H01S5/18369 ,  H01S5/34

    摘要： Provided are electromagnetic wave reflectors and optical devices including the same. An electromagnetic wave reflector may include a plurality of layers which have an aperiodic structure and/or thickness. The plurality of layers may satisfy a condition of spatial coherence with respect to electromagnetic waves. The electromagnetic wave reflector may include a plurality of first material layers including a first material having a first refractive index and a plurality of second material layers including a second material having a second refractive index different from the first refractive index. At least two of the plurality of first material layers may have different thicknesses. At least two of the plurality of second material layers may have different thicknesses. At least one of the plurality of first material layers and at least one of the plurality of second material layers may have different thicknesses.

    摘要翻译： 提供了电磁波反射器和包括其的光学装置。 电磁波反射器可以包括具有非周期性结构和/或厚度的多个层。 多个层可以满足关于电磁波的空间相干性条件。 所述电磁波反射器可以包括多个第一材料层，所述多个第一材料层包括具有第一折射率的第一材料和多个第二材料层，所述多个第二材料层包括具有不同于所述第一折射率的第二折射率的第二材料。 多个第一材料层中的至少两个可以具有不同的厚度。 多个第二材料层中的至少两个可以具有不同的厚度。 多个第一材料层中的至少一个和多个第二材料层中的至少一个可以具有不同的厚度。

    VERTICAL EXTERNAL CAVITY SURFACE EMITTING LASER DEVICES ALLOWING HIGH COHERENCE, HIGH POWER AND LARGE TUNABILITY
    3.
    发明公开
    VERTICAL EXTERNAL CAVITY SURFACE EMITTING LASER DEVICES ALLOWING HIGH COHERENCE, HIGH POWER AND LARGE TUNABILITY 审中-公开
    表面发射激光器外部垂直谐振器高一致性，高性能大的可调性

    公开(公告)号：EP3146601A1

    公开(公告)日：2017-03-29

    申请号：EP15728770.7

    申请日：2015-05-21

    申请人： Université de Montpellier ,  Centre National de la Recherche Scientifique ,  Innoptics

    发明人： GARNACHE-CREUILLOT, Arnaud ,  MYARA, Mikhael ,  SAGNES, Isabelle ,  BEAUDOIN, Grégoire ,  FERRIERES, Laurence ,  LECOCQ, Vincent ,  DENET, Stéphane

    IPC分类号： H01S5/14 ,  H01S5/183

    CPC分类号： H01S5/14 ,  H01S3/139 ,  H01S5/041 ,  H01S5/1039 ,  H01S5/1042 ,  H01S5/1053 ,  H01S5/18361 ,  H01S5/18383 ,  H01S5/3412

    摘要： The present invention concerns a laser device for generating an optical wave at a laser frequency, comprising (i) a semiconductor element (10) comprising a gain region (13) with quantum wells, said gain region (13) being located between a first mirror (12) and an exit region (14) defining an optical microcavity, (ii) a second mirror (16) distinct from the semiconductor element (10) and arranged so as to form with the first mirror (12) an external optical cavity including the gain region (13), (iii) means (18, 19, 20) for pumping the gain region (13) so as to generate the optical wave (21), wherein the optical microcavity with the gain region (13) and the external optical cavity are arranged so that the spectral ratio between the Half Width Half Maximum (HWHM) spectral bandwidth of the modal gain and the free spectral range of the external cavity is in the range of 5 to 30.

    摘要翻译： 本发明涉及一种激光装置在激光的频率在光波产生，包括（i）一个半导体元件（10）包括具有量子阱的增益区域（13），所述增益区（13）位于第一反射镜之间 （12）和光学微腔的退出区域（14）的定义，（ii）第二反射镜（16），从所述半导体元件（10）不同并且布置，以便形成与所述第一反射镜（12）到外部光学腔包括 增益区（13），（III）的装置（18，19，20），用于泵送增益区域（13），以便产生所述光学波（21），worin与增益区域（13）的光学微腔和 外部光学腔被布置为使得没有半宽度半最大值（HWHM）模式增益和外部谐振腔的自由光谱范围的光谱带宽是在5至30的范围之间的频谱比

    Vertical external cavity surface emitting laser devices allowing high coherence, high power and large tunability
    4.
    发明公开
    Vertical external cavity surface emitting laser devices allowing high coherence, high power and large tunability 审中-公开
    表面发射激光器件与垂直外腔，以使高浓度，高性能和高可调谐性

    公开(公告)号：EP2947729A1

    公开(公告)日：2015-11-25

    申请号：EP14305752.9

    申请日：2014-05-21

    申请人： UNIVERSITE DE MONTPELLIER ,  Centre National de la Recherche Scientifique ,  Innoptics

    发明人： Garnache-Creuillot, Arnaud ,  Myara, Mikhael ,  Sagnes, Isabelle ,  Beaudoin, Grégoire ,  Ferrieres, Laurence ,  Lecocq, Vincent ,  Denet, Stéphane

    IPC分类号： H01S5/14 ,  H01S5/183

    CPC分类号： H01S5/14 ,  H01S3/139 ,  H01S5/041 ,  H01S5/1039 ,  H01S5/1042 ,  H01S5/1053 ,  H01S5/18361 ,  H01S5/18383 ,  H01S5/3412

    摘要： The present invention concerns a laser device for generating an optical wave at a laser frequency, comprising (i) a semiconductor element (10) comprising a gain region (13) with quantum wells, said gain region (13) being located between a first mirror (12) and an exit region (14) defining an optical microcavity, (ii) a second mirror (16) distinct from the semiconductor element (10) and arranged so as to form with the first mirror (12) an external optical cavity including the gain region (13), (iii) means (18, 19, 20) for pumping the gain region (13) so as to generate the optical wave (21), wherein the optical microcavity with the gain region (13) and the external optical cavity are arranged so that the spectral ratio between the Half Width Half Maximum (HWHM) spectral bandwidth of the modal gain and the free spectral range of the external cavity is in the range of 5 to 30.

    摘要翻译： 本发明涉及一种激光装置在激光的频率在光波产生，包括（i）一个半导体元件（10）包括具有量子阱的增益区域（13），所述增益区（13）位于第一反射镜之间 （12）和光学微腔的退出区域（14）的定义，（ii）第二反射镜（16），从所述半导体元件（10）不同并且布置，以便形成与所述第一反射镜（12）到外部光学腔包括 增益区（13），（III）的装置（18，19，20），用于泵送增益区域（13），以便产生所述光学波（21），worin与增益区域（13）的光学微腔和 外部光学腔被布置为使得没有半宽度半最大值（HWHM）模式增益和外部谐振腔的自由光谱范围的光谱带宽是在5至30的范围之间的频谱比

    Light emitting device and atomic oscillator
    7.
    发明公开
    Light emitting device and atomic oscillator 审中-公开
    Lichtemittierende Vorrichtung und Atomoszillator

    公开(公告)号：EP2863495A1

    公开(公告)日：2015-04-22

    申请号：EP14188778.6

    申请日：2014-10-14

    申请人： Seiko Epson Corporation

    发明人： Nishida, Tetsuo

    IPC分类号： H01S5/183 ,  H03L7/26 ,  G04F5/14

    CPC分类号： H03L7/26 ,  G04F5/145 ,  H01S5/0614 ,  H01S5/18302 ,  H01S5/18313 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/18355 ,  H01S5/18361 ,  H01S5/18386 ,  H01S5/18394 ,  H01S5/34313 ,  H01S2301/14 ,  H01S2301/176

    摘要： A light emitting device includes a first semiconductor multilayer film mirror of a first conductivity type, a second semiconductor multilayer film mirror of a second conductivity type different from the first conductivity type, an active layer formed between the first semiconductor multilayer film mirror and the second semiconductor multilayer film mirror, a third semiconductor multilayer film mirror of a semiinsulating type formed between the first semiconductor multilayer film mirror and the active layer, and a contact layer of the first conductivity type formed between the third semiconductor multilayer film mirror and the active layer, and the third semiconductor multilayer film mirror is formed of a material having bandgap energy higher than energy of light generated in the active layer.

    摘要翻译： 发光器件包括第一导电类型的第一半导体多层膜反射镜，不同于第一导电类型的第二导电类型的第二半导体多层膜反射镜，形成在第一半导体多层膜反射镜和第二半导体层之间的有源层 多层膜反射镜，形成在第一半导体多层膜反射镜和有源层之间的半绝缘型的第三半导体多层膜反射镜和形成在第三半导体多层膜反射镜和有源层之间的第一导电类型的接触层，以及 第三半导体多层膜反射镜由具有比有源层中产生的光的能量高的带隙能量的材料形成。

    Light emitting element and method of manufacturing the same
    9.
    发明公开
    Light emitting element and method of manufacturing the same 有权
    Lichtemittierendes元素和Herstellungsverfahrendafür

    公开(公告)号：EP2835884A2

    公开(公告)日：2015-02-11

    申请号：EP14002697.2

    申请日：2014-08-01

    申请人： Sony Corporation

    发明人： Hamaguchi, Tatsushi ,  Kuramoto, Masaru ,  Maeda, Yuki ,  Futagawa, Noriyuki

    IPC分类号： H01S5/183 ,  H01S5/343 ,  H01S5/02

    CPC分类号： H01S5/3013 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/0216 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/183 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/18361 ,  H01S5/18369 ,  H01S5/18388 ,  H01S5/18391 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/12

    摘要： A method of manufacturing a light emitting element includes, sequentially (a) forming a first light reflecting layer having a convex shape; (b) forming a layered structure body by layering a first compound semiconductor layer, an active layer, and a second compound semiconductor layer; (c) forming, on the second surface of the second compound semiconductor layer, a second electrode and a second light reflecting layer formed from a multilayer film; (d) fixing the second light reflecting layer to a support substrate; (e) removing the substrate for manufacturing a light emitting element, and exposing the first surface of the first compound semiconductor layer and the first light reflecting layer; (f) etching the first surface of the first compound semiconductor layer; and (g) forming a first electrode on at least the etched first surface of the first compound semiconductor layer.

    摘要翻译： 一种制造发光元件的方法包括：（a）形成具有凸形的第一光反射层; （b）通过层叠第一化合物半导体层，有源层和第二化合物半导体层来形成层状结构体; （c）在第二化合物半导体层的第二表面上形成由多层膜形成的第二电极和第二光反射层; （d）将第二光反射层固定在支撑基板上; （e）去除用于制造发光元件的基板，并露出第一化合物半导体层和第一光反射层的第一表面; （f）蚀刻第一化合物半导体层的第一表面; 和（g）在至少第一化合物半导体层的蚀刻的第一表面上形成第一电极。