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公开(公告)号：EP4355062A1
公开(公告)日：2024-04-17
申请号：EP23203608.7
申请日：2023-10-13
CPC分类号： H10N10/01 , H10N10/8556 , B33Y80/00 , B22F10/28 , B33Y10/00 , B22F7/04 , B22F2007/04220130101 , H10N10/817
摘要： Procédé de fabrication d'une structure thermoélectrique comprenant les étapes suivantes :
a) fournir un substrat (100) en un premier matériau,
b) déposer un élément thermoélectrique (200) en un deuxième matériau sur le substrat (100), par fabrication additive, de préférence par SLS ou FLLP,
c) amincir et découper le substrat (100), jusqu'à obtenir un film (101) en premier matériau, moyennant quoi on obtient une structure thermoélectrique comprenant un film (101) et l'élément thermoélectrique (200).-
公开(公告)号：EP4355063A1
公开(公告)日：2024-04-17
申请号：EP23203612.9
申请日：2023-10-13
CPC分类号： H10N10/01 , B22F10/28 , B22F7/008 , B22F2998/0020130101 , B33Y10/00 , B22F2005/00520130101 , B22F7/08 , B33Y80/00 , H10N10/817
摘要： Procédé de fabrication d'une structure thermoélectrique comprenant les étapes suivantes :
a) fournir un substrat (100), recouvert par une couche métallique (300),
b) former un élément thermoélectrique (200), sur la couche métallique (300), par fabrication additive, de préférence par SLS ou FLLP, moyennant quoi on obtient une structure thermoélectrique comprenant le substrat (100) recouvert successivement par la couche métallique (300) et par l'élément thermoélectrique (200), et
c) éventuellement retirer le substrat (100), moyennant quoi on obtient une structure thermoélectrique comprenant la couche métallique (300) et l'élément thermoélectrique (200).-
3.发明公开
公开(公告)号：EP4396858A1
公开(公告)日：2024-07-10
申请号：EP22773163.5
申请日：2022-09-01
申请人： Iosad, Nikolay
发明人： Iosad, Nikolay
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H10N10/817 , H10N10/01 , H10N10/17
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公开(公告)号：EP4396857A1
公开(公告)日：2024-07-10
申请号：EP22772860.7
申请日：2022-08-31
申请人： TEGnology ApS
发明人： YIN, Hao
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H10N10/817 , H10N10/17 , H10N10/01
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