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1.发明授权
公开(公告)号：EP0207266B1
公开(公告)日：1990-03-21
申请号：EP86106541.5
申请日：1986-05-14
发明人： Herzog, Hans J. , Jorke, Helmut , Kibbel, Horst
IPC分类号： H01L29/14
CPC分类号： H01L29/155 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02507 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , Y10S148/04 , Y10S148/058 , Y10S148/072 , Y10S148/132 , Y10S148/16 , Y10S438/918 , Y10S438/938
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2.发明公开Verfahren zur Herstellung einer räumlich periodischen Halbleiter-Schichtenfolge 失效一种用于生产空间周期性半导体层序列的过程。
公开(公告)号：EP0207266A2
公开(公告)日：1987-01-07
申请号：EP86106541.5
申请日：1986-05-14
发明人： Herzog, Hans J. , Jorke, Helmut , Kibbel, Horst
IPC分类号： H01L29/14
CPC分类号： H01L29/155 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02507 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , Y10S148/04 , Y10S148/058 , Y10S148/072 , Y10S148/132 , Y10S148/16 , Y10S438/918 , Y10S438/938
摘要： Die Erfindung betrifft Halbleiter-Supergitter, insbesondere Si-SiGe-Supergitter, in denen die Elektronenbeweglichkeit erheblich erhöht wird. Dieses wird erreicht durch eine selektive Sb-Dotierung der SiGe-Halbleiterschichten des Supergitters.
摘要翻译： 本发明涉及一种半导体超晶格，其中电子迁移率显着增加，特别是硅的SiGe超晶格。 这是由超晶格的硅锗半导体层的选择性的Sb掺杂实现。
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公开(公告)号：EP0207266A3
公开(公告)日：1987-03-18
申请号：EP86106541
申请日：1986-05-14
发明人： Herzog, Hans J. , Jorke, Helmut , Kibbel, Horst
IPC分类号： H01L29/14
CPC分类号： H01L29/155 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02507 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , Y10S148/04 , Y10S148/058 , Y10S148/072 , Y10S148/132 , Y10S148/16 , Y10S438/918 , Y10S438/938
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