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公开(公告)号:EP4445432A1
公开(公告)日:2024-10-16
申请号:EP21881361.6
申请日:2021-12-08
IPC分类号: H01L31/0296 , H01L31/103
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公开(公告)号:EP4182971A1
公开(公告)日:2023-05-24
申请号:EP21841395.3
申请日:2021-07-01
IPC分类号: H01L27/146 , A61B6/14 , G01T1/24 , G06T7/00 , H01L31/0296 , H04N5/378
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公开(公告)号:EP3586374B1
公开(公告)日:2022-12-28
申请号:EP18709856.1
申请日:2018-02-22
发明人: GROVER, Sachit , LI, Xiaoping , MALIK, Roger , SEYEDMOHAMMADI, Shahram , XIONG, Gang , ZHANG, Wei , IRVINE, Stuart
IPC分类号: H01L31/0296 , H01L31/18
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公开(公告)号:EP3948958A1
公开(公告)日:2022-02-09
申请号:EP20716534.1
申请日:2020-03-23
发明人: TAPPURA, Kirsi , HAATAINEN, Tomi , MÄKELÄ, Tapio
IPC分类号: H01L31/0232 , H01L31/0296 , H01L31/0216 , H01L27/146 , G01J5/04 , G01J5/08 , G02B5/00
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公开(公告)号:EP3903352A1
公开(公告)日:2021-11-03
申请号:EP19843000.1
申请日:2019-12-23
申请人: First Solar, Inc.
发明人: POWELL, Rick , CHOI, Jongwoo
IPC分类号: H01L31/0296 , H01L31/073 , H01L31/18
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公开(公告)号:EP3240030B1
公开(公告)日:2021-08-18
申请号:EP17167630.7
申请日:2017-04-21
发明人: ROTHMAN, Johan
IPC分类号: H01L27/144 , H01L27/146 , H01L31/0296 , H01L31/103 , H01L31/18
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公开(公告)号:EP3550605B1
公开(公告)日:2020-11-04
申请号:EP19166649.4
申请日:2019-04-01
IPC分类号: H01L27/144 , H01L31/0296 , H01L27/146
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公开(公告)号:EP1342261B1
公开(公告)日:2020-03-04
申请号:EP01999968.9
申请日:2001-12-05
IPC分类号: H01L21/363 , H01L31/0296 , H01L31/18
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公开(公告)号:EP3586374A1
公开(公告)日:2020-01-01
申请号:EP18709856.1
申请日:2018-02-22
申请人: First Solar, Inc.
发明人: GROVER, Sachit , LI, Xiaoping , MALIK, Roger , SEYEDMOHAMMADI, Shahram , XIONG, Gang , ZHANG, Wei , IRVINE, Stuart
IPC分类号: H01L31/0296 , H01L31/18
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公开(公告)号:EP3550605A1
公开(公告)日:2019-10-09
申请号:EP19166649.4
申请日:2019-04-01
IPC分类号: H01L27/144 , H01L31/0296 , H01L27/146
摘要: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un premier support (100) destiné à former, avec notamment un deuxième support (200) fonctionnalisé, un composant optoélectrique (1), le premier support (100) comprenant une couche semiconductrice (110) et une marque d'alignement (140) aménagée sur ladite couche semiconductrice (110). Le procédé de fabrication comporte notamment une étape de formation d'une ouverture (141) dans une couche semiconductrice (110) comprenant du cadmium, une étape de diffusion de cadmium dans un deuxième emplacement (142) de l'ouverture (141) et une étape de gravure sensible au cadmium pour favoriser la gravure de l'une parmi le deuxième emplacement (142) riche en cadmium et le reste d'une surface (110B) de la couche semiconductrice (110). L'invention concerne en outre un premier support (100).
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