公开(公告)号：EP3670009B1

公开(公告)日：2023-12-20

申请号：EP19220267.9

申请日：2019-12-31

发明人： DING, Zhongfen

IPC分类号： B08B7/00 ,  B23P6/00 ,  B23P6/04 ,  C23G5/00 ,  F01D5/00 ,  F01D25/00

公开(公告)号：EP4179130A1

公开(公告)日：2023-05-17

申请号：EP20945151.7

申请日：2020-07-13

申请人： Angara Global Limited

发明人： RODIN, Ilya Yurievich ,  STAROSTIN, Gennady Sergeevich

IPC分类号： C23G1/14 ,  C23G5/00 ,  B08B3/08 ,  B08B3/10 ,  F28G9/00

公开(公告)号：EP3959764A1

公开(公告)日：2022-03-02

申请号：EP20794850.6

申请日：2020-03-25

申请人： Applied Materials, Inc.

发明人： HERLE, Subramanya P.

IPC分类号： H01M4/134 ,  H01M4/62 ,  H01M4/66 ,  H01M4/38 ,  H01M10/0562 ,  C23C28/04 ,  C23C28/00 ,  C23G5/00 ,  H01M10/052

公开(公告)号：EP2954076B1

公开(公告)日：2021-11-24

申请号：EP13712601.7

申请日：2013-02-06

发明人： LARNICOL, Maïwenn, Tifenn, Soazig ,  BORDIGNON, Michel, Roger, Louis ,  VANDEN EYNDE, Xavier, Marc, Jacques, Edmond,Robert ,  FARINHA, Ana, Isabel ,  GERKENS, Pascal ,  NOVILLE, Jean-François ,  SMAL, Julien, Christopher, Michel

IPC分类号： C21D1/607 ,  C21D1/63 ,  C21D1/70 ,  C21D1/46 ,  C21D9/46 ,  C23G5/00 ,  C23C2/00

公开(公告)号：EP3444380B1

公开(公告)日：2021-04-14

申请号：EP17782736.7

申请日：2017-02-14

发明人： SHEPTUNOV, Alexandr Alexandrovich ,  BAZANOV, Daniil Romanovich

IPC分类号： C23G1/00 ,  C23G5/00 ,  B08B3/04 ,  F28G9/00 ,  C23F1/00 ,  B08B3/08 ,  C23F14/02 ,  C23G1/06 ,  C11D7/32 ,  C11D7/36 ,  C11D11/00 ,  C11D3/20 ,  C11D3/33 ,  C11D3/36 ,  C11D3/39 ,  C11D7/26

公开(公告)号：EP2783762B1

公开(公告)日：2021-04-07

申请号：EP12850922.1

申请日：2012-11-20

发明人： HIRAMOTO Noboru ,  MITSUZUKA Masatoshi ,  KONISHI Hiroyuki

IPC分类号： B08B3/10 ,  B08B3/02 ,  B08B3/08 ,  C23G5/02 ,  C23G5/00 ,  B08B3/00

公开(公告)号：EP3557173B1

公开(公告)日：2020-12-02

申请号：EP17881498.4

申请日：2017-08-24

申请人： POSCO

发明人： LIM, Seung Ho ,  KIM, Goo Hwa ,  NAM, Kyung Hoon ,  PARK, Yeong Seon

IPC分类号： C22B1/00 ,  F27D3/10 ,  F27D3/00 ,  C23G5/00

公开(公告)号：EP3631049A1

公开(公告)日：2020-04-08

申请号：EP18732489.2

申请日：2018-05-24

申请人： Danieli & C. Officine Meccaniche S.p.A.

发明人： VIGNOLO, Luciano ,  PRIMAVERA, Alessandra ,  MARCONI, Gianfranco

IPC分类号： C23G1/08 ,  C23G3/02 ,  C23G5/00 ,  C23G5/04 ,  B08B7/00 ,  B21B45/06 ,  C23G1/00

公开(公告)号：EP3394321A1

公开(公告)日：2018-10-31

申请号：EP16898086.0

申请日：2016-04-04

申请人： Hewlett-Packard Development Company, L.P.

发明人： CHANG, Chi-Hao ,  WU, Kuan-Ting ,  LIN, Yu-Ling

IPC分类号： C25D11/02 ,  C25D11/06 ,  C25D11/24 ,  C23G5/00 ,  B29C45/14

CPC分类号： B29C45/0053 ,  B29C45/14 ,  B29C2045/0079 ,  C25D11/024 ,  C25D11/026 ,  C25D11/06

摘要： The present subject matter relates to fabrication of micro-arc oxidation (MAO) based insert-molded components. In an example implementation, a method of fabricating a MAO based insert-molded component comprises forming an insert-molded component and oxidizing the insert-molded component through MAO. The insert-molded component has a metal body molded with a plastic body. On oxidation of the insert-molded component through MAO an oxide layer is formed on the metal body.

公开(公告)号：EP3161861A4

公开(公告)日：2018-07-18

申请号：EP15815902

申请日：2015-06-04

申请人： TOKYO ELECTRON LTD

发明人： CHEN LEE ,  ZHANG YING

IPC分类号： C23F4/00 ,  C23G5/00 ,  H01J37/32

CPC分类号： C23F1/02 ,  C23F1/08 ,  C23F4/00 ,  C23G5/00 ,  H01J37/32862 ,  H01J2237/334

摘要： A method for anisotropically etching a feature in a Cu-containing layer includes providing a substrate having a Cu-containing layer and a patterned etch mask formed on the Cu-containing layer such that on exposed Cu-containing layer is exposed to processing through the patterned etch mask, passivating a first surface of the exposed Cu-containing layer, and inhibiting passivation of a second surface of the Cu-containing layer. A Cu compound is formed on said second surface of the Cu-containing layer, and the Cu compound is removed from the second surface of the Cu-containing layer to anisotropically etch a feature in the Cu-containing layer.