PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE PIÈCE EN SILICIUM

    公开(公告)号:EP4227742A1

    公开(公告)日:2023-08-16

    申请号:EP23156117.6

    申请日:2023-02-10

    申请人: Sigatec SA

    摘要: La présente invention se rapporte à un procédé de fabrication d'une pièce en silicium, dans lequel
    a) on fournit un substrat (1000) comprenant une première couche (10) de silicium, une couche intermédiaire (30) de dioxyde de silicium, et une deuxième couche (20) de silicium,
    b) on grave la première couche (10) pour y former au moins une pièce,
    c) dans la deuxième couche (20), on grave une rainure de détachement (200) pour délimiter une portion à détacher (21), au moins une portion (220) de la rainure de détachement (200) étant gravée de sorte qu'une partie (222) de la deuxième couche, formant lien, soit conservée au droit de ladite portion (220),
    d) on retire partiellement la couche intermédiaire (30) en éliminant le dioxyde de silicium,
    e) on sépare mécaniquement la portion à détacher du reste du substrat en brisant le lien (222).