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公开(公告)号:EP3742237B1
公开(公告)日:2024-10-16
申请号:EP19176259.0
申请日:2019-05-23
发明人: VERARDO, Marco , CHARBON, Christian
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公开(公告)号:EP4381352A1
公开(公告)日:2024-06-12
申请号:EP22754105.9
申请日:2022-07-28
申请人: ROLEX SA
发明人: CALAME, Florian , MULTONE, Xavier
CPC分类号: G04B19/042 , G04B13/02 , G04B15/14 , G04D3/0046
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公开(公告)号:EP4137447B1
公开(公告)日:2024-06-12
申请号:EP22188620.3
申请日:2022-08-03
CPC分类号: B81C3/001 , B81C2203/03820130101 , F16B5/04 , F16B19/06 , G04B13/022 , G04D1/0042
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公开(公告)号:EP2734897B1
公开(公告)日:2024-06-12
申请号:EP12737539.2
申请日:2012-07-17
IPC分类号: G04B1/14 , G04B15/14 , G04B31/004 , G04B13/02 , B81C99/00
CPC分类号: G04B1/145 , G04B13/022 , G04B31/004 , B81C99/0095 , B81B2201/03520130101 , G04B15/14
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公开(公告)号:EP4327162A1
公开(公告)日:2024-02-28
申请号:EP22723119.8
申请日:2022-04-14
申请人: Acrotec R&D SA
发明人: JACOT, Philippe , CALDERON, Ivan
IPC分类号: G04B1/16 , G04B13/02 , G04B15/14 , G04B17/06 , B23K26/0622
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公开(公告)号:EP4312084A1
公开(公告)日:2024-01-31
申请号:EP22187006.6
申请日:2022-07-26
申请人: Nivarox-FAR S.A.
发明人: VERARDO, Marco , CUSIN, Pierre
摘要: L'invention concerne un procédé de fabrication d'une composant horloger (1) en silicium présentant un profil externe fonctionnel.
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公开(公告)号:EP3839624B1
公开(公告)日:2023-09-13
申请号:EP19217372.2
申请日:2019-12-18
发明人: CUSIN, Pierre , GANDELHMAN, Alex , MUSY, Michel , GOLFIER, Clare
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公开(公告)号:EP4227742A1
公开(公告)日:2023-08-16
申请号:EP23156117.6
申请日:2023-02-10
申请人: Sigatec SA
摘要: La présente invention se rapporte à un procédé de fabrication d'une pièce en silicium, dans lequel
a) on fournit un substrat (1000) comprenant une première couche (10) de silicium, une couche intermédiaire (30) de dioxyde de silicium, et une deuxième couche (20) de silicium,
b) on grave la première couche (10) pour y former au moins une pièce,
c) dans la deuxième couche (20), on grave une rainure de détachement (200) pour délimiter une portion à détacher (21), au moins une portion (220) de la rainure de détachement (200) étant gravée de sorte qu'une partie (222) de la deuxième couche, formant lien, soit conservée au droit de ladite portion (220),
d) on retire partiellement la couche intermédiaire (30) en éliminant le dioxyde de silicium,
e) on sépare mécaniquement la portion à détacher du reste du substrat en brisant le lien (222).-
10.
公开(公告)号:EP3839627B1
公开(公告)日:2023-07-26
申请号:EP19217760.8
申请日:2019-12-18
发明人: LORENZ, Hubert , GENOLET, Grégoire , MARTINS, John
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