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    PROCÉDÉ DE RÉALISATION D'UNE ZONE D'INDIVIDUALISATION D'UN CIRCUIT INTÉGRÉ
    5.
    发明公开
    PROCÉDÉ DE RÉALISATION D'UNE ZONE D'INDIVIDUALISATION D'UN CIRCUIT INTÉGRÉ 审中-公开

    公开(公告)号：EP4318563A1

    公开(公告)日：2024-02-07

    申请号：EP23184828.4

    申请日：2023-07-11

    申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives

    发明人： POSSEME, Nicolas ,  LANDIS, Stefan

    IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L21/768 ,  H01L21/311 ,  H01L21/321 ,  H01L23/485 ,  H01L23/544 ,  H04L9/32 ,  G06F21/73

    摘要： L'invention porte sur un procédé de réalisation d'une zone d'individualisation d'une puce comprenant un niveau de composants et un niveau (30A) de contacts comportant des vias (30), le procédé comprenant les étapes suivantes :
    - fournir le niveau de composants et une couche diélectrique (200),
    - former sur la couche diélectrique (200) un masque (300),
    - graver la couche diélectrique (200) au travers des ouvertures de masque (301) de façon à former des ouvertures (320, 320R) débouchant sur les zones de contact (20) du niveau de composants,
    - former des résidus (R) fluorés en apportant des espèces fluorées sur au moins certaines zones de contact (20), les ouvertures (320, 320R) comprenant alors des ouvertures (320R) avec résidus fluorés et des ouvertures (320) sans résidus
    - remplir les ouvertures (320, 320R) de sorte à former les vias (30) du niveau (30A) de contacts, lesdits vias (30) comprenant des vias fonctionnels (30OK) au niveau des ouvertures sans résidus (320) et des vias altérés (30KO) au niveau des ouvertures avec résidus (320R).

    HEARING DEVICE WITH THIRD PARTY MODEL CONTROL AND RELATED METHODS
    6.
    发明公开
    HEARING DEVICE WITH THIRD PARTY MODEL CONTROL AND RELATED METHODS 审中-公开

    公开(公告)号：EP4274162A3

    公开(公告)日：2024-01-17

    申请号：EP23184715.3

    申请日：2019-12-19

    申请人： GN Hearing A/S

    发明人： VENDELBO, Allan Munk

    IPC分类号： H04R25/00 ,  G06F21/57 ,  H04W12/02 ,  H04W12/106 ,  H04W12/069 ,  H04L9/40 ,  G06F21/73 ,  G06F21/44 ,  H04W84/18

    摘要： A hearing device and methods for operating a hearing device is discloed, the hearing device comprising a processing unit configured to compensate for hearing loss of a user of the hearing device; an interface; and a memory unit, wherein the memory unit has stored therein a first primary customer device identifier; a first model certificate comprising a first customer identifier; and second model data comprising a second model customer identifier and second model information data indicative of one or more available models for the hearing device, wherein the processing unit is configured to verify the second model data; and upon successful verification of the second model data, operate the hearing device according to the second model information data.

    PROCÉDÉ DE RÉALISATION D'UNE ZONE D'INDIVIDUALISATION D'UN CIRCUIT INTÉGRÉ
    7.
    发明公开
    PROCÉDÉ DE RÉALISATION D'UNE ZONE D'INDIVIDUALISATION D'UN CIRCUIT INTÉGRÉ 审中-公开

    公开(公告)号：EP4280274A1

    公开(公告)日：2023-11-22

    申请号：EP23173324.7

    申请日：2023-05-15

    申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives

    发明人： LANDIS, Stefan ,  EXBRAYAT, Yorrick

    IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/00 ,  G06F21/73 ,  H01L21/768

    摘要： L'invention porte sur un procédé de réalisation d'une zone d'individualisation d'une puce microélectronique comprenant un premier (10A) et un deuxième (20A) niveaux de pistes électriques (10, 20), et un niveau (30A) d'interconnexions comportant des vias (30), le procédé comprenant les étapes suivantes :
    • fournir le premier niveau (10A) et une couche diélectrique (200),
    • former sur la couche diélectrique (200) un masque de gravure (300),
    • déposer de façon aléatoire des particules (P) sur le masque de gravure (300),
    • former une couche de lithographie (400) comprenant des motifs d'ouvertures (401, 401p),
    • graver la couche de masque au travers des motifs d'ouvertures (401, 401p) pour former des ouvertures de masque (301, 301F), puis graver la couche diélectrique (200) au travers des ouvertures de masque (301, 301F), de façon à obtenir des ouvertures de via (320) fonctionnelles et des ouvertures de via dégradées (320F),
    • remplir les ouvertures de via (320, 320F) de sorte à former les vias (30) du niveau (30A) d'interconnexions, lesdits vias (30) comprenant des vias fonctionnels (30OK) au niveau des ouvertures fonctionnelles (320) et des vias dysfonctionnels (30KO) au niveau des ouvertures dégradées (320F).