公开(公告)号：EP0009562B1

公开(公告)日：1982-07-21

申请号：EP79102721.2

申请日：1979-07-31

申请人： International Business Machines Corporation

发明人： Bohlen, Harald ,  Engelke, Helmut, Dr. ,  Greschner, Johann, Dr. ,  Kulcke, Werner, Dr. ,  Nehmiz, Peter, Dr.

IPC分类号： H01L21/263 ,  H01L21/423 ,  H01J37/30

CPC分类号： H01J37/3045 ,  H01J37/3007

公开(公告)号：EP0009562A1

公开(公告)日：1980-04-16

申请号：EP79102721.2

申请日：1979-07-31

申请人： International Business Machines Corporation

发明人： Bohlen, Harald ,  Engelke, Helmut, Dr. ,  Greschner, Johann, Dr. ,  Kulcke, Werner, Dr. ,  Nehmiz, Peter, Dr.

IPC分类号： H01L21/263 ,  H01L21/423 ,  H01J37/30

CPC分类号： H01J37/3045 ,  H01J37/3007

摘要： Bei der Belichtung von mit einer Photolackschicht bedeckten Halbleiterplättchen zur Herstellung von integrierten Halbleiterschaltungen wird die zu belichtende Fläche zeilenweise durch einen Korpuskularstrahl belichtet, dessen Querschnitt wesentlich kleiner ist als diese Fläche.
Die durch Translation, vor allem aber durch Drehung der Maske in bezug auf das zu belichtende Halbleiterplättchen entstehenden, örtlich unterschiedlichen Ausrichtfehler werden durch geeignete Meßverfahren ermittelt und durch örtlich unterschiedliche automatisch eingestellte Kippungen des Korpuskularstrahls kompensiert.
Liegt beispielsweise bei exakt ausgerichteten Mittelpunkten von Maske und Halbleiterplättchen ein durch eine geringfügige Winkeldrehung der Maske in bezug auf das Halbleiterplättchen bedingter Ausrichtfehler vor, so sind die örtlichen Fehler lineare Funktionen der Abstände des jeweiligen Bereichs vom Mittelpunkt. Diese Fehler können bei Kenntnis der Winkeldrehung in einfacher Weise berechnet und durch entsprechende bereichsweise unterschiedliche Kippungen des Korpuskularstrahls bei der Belichtung kompensiert werden.

摘要翻译： 在覆盖着半导体集成电路的制造中光致抗蚀剂层的半导体晶片曝光时，面积以通过粒子束其横截面外露线露出线比所述表面小得多。 掩模相对于所得的通过平移，但尤其是通过旋转而被曝光半导体晶片，局部不同的比对可以通过合适的测量方法测定和用于通过局部不同的组倾斜粒子束自动补偿。 是，例如精确的在掩模的geringügige角旋转对准的掩模和半导体晶片的中心点相对于该半导体芯片相关的对准误差存在时，本地误差是距中心的相应范围的距离的线性函数。 这些错误可以简单地计算出，并通过对应的区域进行补偿，不同倾斜在与角旋转的知识曝光粒子束。