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    PHOTODIODES WITH SERPENTINE SHAPED ELECTRICAL JUNCTION
    2.
    发明公开
    PHOTODIODES WITH SERPENTINE SHAPED ELECTRICAL JUNCTION 审中-公开

    公开(公告)号：EP4266384A1

    公开(公告)日：2023-10-25

    申请号：EP22205701.0

    申请日：2022-11-07

    申请人： GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd.

    发明人： Zheng, Ping ,  Toh, Eng Huat ,  Wu, Cancan ,  Quek, Kiok Boone Elgin

    IPC分类号： H01L31/103

    摘要： A photodiode comprising: a substrate having an upper surface; a first well of a first conductivity type in the substrate; and a second well of a second conductivity type in the substrate, the second conductivity type is of an opposite conductivity type to the first conductivity type, the second well is above and in direct contact with the first well, the second well comprises: a central section having a bottom with a first depth relative to the upper surface of the substrate; and a first concentric section laterally surrounding the central section, the first concentric section having a bottom with a second depth relative to the upper surface of the substrate, wherein the second depth is different from the first depth.

    STAPELFÖRMIGES PHOTONISCHES III-V-HALBLEITERBAUELEMENT
    7.
    发明公开
    STAPELFÖRMIGES PHOTONISCHES III-V-HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开

    公开(公告)号：EP3882982A1

    公开(公告)日：2021-09-22

    申请号：EP21000072.5

    申请日：2021-03-12

    申请人： AZUR SPACE Solar Power GmbH

    发明人： Strobl, Gerhard

    IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/103 ,  H01L29/861 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

    摘要： Stapelförmiges photonisches III-V-Halbleiterbauelement, aufweisend eine zumindest gebietsweise ausgebildete zweite metallische Anschlusskontaktschicht, ein hochdotiertes erste Halbleiterkontaktgebiet eines ersten Leitfähigkeitstyps, ein sehr schwach dotiertes Absorptionsgebiet des erste oder zweiten Leitfähigkeitstyps mit einer Schichtdicke von 20 µm - 2000 µm, eine zumindest gebietsweise ausgebildete erste metallische Anschlusskontaktschicht, wobei das erste Halbleiterkontaktgebiet sich wannenförmig In das Absorptionsgebiet hinein erstreckt, die zweiten metallischen Anschlusskontaktschicht stoffschlüssig mit dem erste Halbleiterkontaktgebiet verbunden ist und die erste metallische Anschlusskontaktschicht unterhalb des Absorptionsgebiets angeordnet ist. Außerdem weist das stapelförmige photonische III-V-Halbleiterbauelement eine dotierte III-V-Halbleiterpassivierungsschicht des ersten oder zweiten Leitfähigkeitstyps auf, wobei die III-V-Halbleiterpassivierungsschicht in einem ersten Abstand von mindestens 10 µm zu dem erste Halbleiterkontaktgebiet auf der Oberseite des Absorptionsgebiets angeordnet ist.