公开(公告)号：JP2021012950A

公开(公告)日：2021-02-04

申请号：JP2019126417

申请日：2019-07-05

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 山下 陽平 ,  田之上 隼斗

IPC: H01L21/02

Abstract: 【課題】基板と支持体とが接着層を介して接合された重合体から、当該支持体を効率よく剥離する。 【解決手段】基板と支持体とが接着層を介して接合された重合体から、前記支持体を剥離する支持体剥離方法であって、前記基板は、回路が形成された複数の回路形成領域と、隣り合う前記回路形成領域の間において前記回路が形成されていない非回路形成領域とを有し、前記支持体は光を透過させ、前記接着層は前記光を吸収することにより変質し、前記非回路形成領域の少なくとも一部に、前記支持体を介して前記光を照射する工程と、前記光を照射した前記重合体に力を作用させ、当該重合体から前記支持体を剥離する工程と、を有する。 【選択図】図11

公开(公告)号：JP2020136442A

公开(公告)日：2020-08-31

申请号：JP2019026950

申请日：2019-02-18

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 田之上 隼斗

IPC: B23K26/03 ,  B23K26/53 ,  B23K26/70 ,  H01L21/304 ,  H01L21/02

Abstract: 【課題】改質層を形成するレーザー光線によってデバイス層が劣化するのを抑制できる、技術を提供する。 【解決手段】下地基板の主表面に形成されるデバイス層とは反対側から、前記下地基板の内部にレーザー光線を集光照射することにより、前記下地基板の内部に改質層を形成するレーザー加工装置の設定方法であって、試験基板の主表面に形成されるダメージ確認層とは反対側から、前記試験基板の内部に前記レーザー光線を集光照射することにより、前記試験基板の内部に改質層を形成する工程と、前記改質層の形成によって前記ダメージ確認層に生じるダメージの有無と、前記レーザー光線の集光点と前記試験基板の前記主表面との間隔との関係を検査する工程と、前記ダメージの有無と前記間隔との関係に基づいて、前記下地基板の内部に前記改質層を形成する時の前記間隔の下限値を設定する工程とを有する、レーザー加工装置の設定方法。 【選択図】図15

公开(公告)号：JP2019107683A

公开(公告)日：2019-07-04

申请号：JP2017243097

申请日：2017-12-19

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 川口 義広 ,  森 弘明 ,  田之上 隼斗

IPC: H01L21/301 ,  B23K26/08

Abstract: 【課題】レーザー発振器の作動中に形成されるレーザー光線の経路を変更する場合に、その変更のための動作を高速化でき、且つ振動の発生を抑制できる、レーザー加工装置の提供。 【解決手段】基板を保持する基板保持部、前記基板保持部の基板保持面に対し平行な方向に前記基板保持部を移動させる駆動部、および前記駆動部を支持するベース部を含む移動ユニットを少なくとも1つ有し、レーザー光線を発振するレーザー発振器、前記レーザー発振器を固定するレーザー発振器支持フレーム、前記基板保持部で保持されている前記基板に前記レーザー光線を集光照射する集光照射部、および前記基板保持部の前記基板保持面に対し平行な方向に前記集光照射部を移動させる光学系駆動部を有する、レーザー加工装置。 【選択図】図6

公开(公告)号：JP2021108306A

公开(公告)日：2021-07-29

申请号：JP2018078144

申请日：2018-04-16

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 田之上 隼斗

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/683 ,  H01L21/02

Abstract: 【課題】接着部材を介して接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に適切に剥離する。 【解決手段】熱により接着性が低下する接着部材Bを介して被処理基板Wと支持基板Sとが接合された重合基板Tを処理する基板処理システムは、前記被処理基板Wと前記支持基板Sを剥離する際に、前記支持基板S側を加熱する加熱部110と、前記加熱部110によって前記支持基板S側を加熱する際に、前記被処理基板W側を冷却する冷却部100と、を有する。 【選択図】図4

公开(公告)号：JP2021106197A

公开(公告)日：2021-07-26

申请号：JP2019236258

申请日：2019-12-26

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 山下 陽平 ,  田之上 隼斗

IPC: H01L21/683 ,  B23K26/70 ,  B23K26/08 ,  H01L21/02

Abstract: 【課題】第1の基板と第2の基板が接合された重合基板において、第2の基板の表面に形成されたデバイス層を第1の基板に適切に転写する。 【解決手段】第1の基板と第2の基板が接合された重合基板を処理する装置であって、前記第1の基板の下面を保持する第1の保持部と、前記第1の保持部が前記第1の基板を保持した状態で、前記第2の基板の上方よりレーザ光を照射するレーザ照射部と、前記第1の保持部が前記第1の基板を保持した状態で、前記第2の基板を保持する第2の保持部を有する。 【選択図】図3

公开(公告)号：JPWO2020012986A1

公开(公告)日：2021-07-15

申请号：JP2019025817

申请日：2019-06-28

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 田之上 隼斗

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/02

Abstract: 基板を処理する基板処理システムは、第2の基板の表面に形成された第2の表面膜と接合される前の、第1の基板の表面に形成された第1の表面膜の外周部を改質する表面改質装置を有する。また、基板を処理する基板処理方法は、第2の基板の表面に形成された第2の表面膜と接合される前の、第1の基板の表面に形成された第1の表面膜の外周部を改質することを含む。

公开(公告)号：JP2021103725A

公开(公告)日：2021-07-15

申请号：JP2019234098

申请日：2019-12-25

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 田之上 隼斗 ,  山下 陽平

IPC: B23K26/53 ,  B23K26/00 ,  B24B7/22 ,  H01L21/304

Abstract: 【課題】基板同士が接合された重合基板において、第1の基板の周縁部を適切に除去する。 【解決手段】第1の基板と第2の基板が接合された重合基板を処理する方法であって、第1の基板Wの除去対象の周縁部Weと中央部の境界に沿って周縁改質層を形成することと、重合基板の内部にレーザ光を照射して改質層Mを形成し、周縁部における重合基板の接合強度を弱める未接合領域Aeを形成することと、周縁改質層を基点に第1の基板の周縁部を除去することと、を含む。未接合領域の形成においては、周縁部における径方向外側において、重合基板の接合強度を低下させる第1の剥離領域(広間隔領域R1)と、周縁部における第1の剥離領域の径方向内側において、重合基板の接合強度を低下させる第2の剥離領域と、を形成し、第2の剥離領域(狭間隔領域R2)における改質層の周方向の形成間隔pは、第1の剥離領域における改質層の周方向の形成間隔Pよりも小さい。 【選択図】図7

公开(公告)号：JP2021068867A

公开(公告)日：2021-04-30

申请号：JP2019195309

申请日：2019-10-28

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 田之上 隼斗 ,  山下 陽平

IPC: B23K26/53 ,  B24B7/04 ,  H01L21/304

Abstract: 【課題】基板同士が接合された重合基板において、第1の基板の周縁部を適切に除去する。 【解決手段】第1の基板W1と第2の基板W2が接合された重合基板Tを処理する方法であって、第1の基板の除去対象の周縁部Weと、第1の基板の中央部の境界に沿って周縁改質層M1を形成することと、周縁部における第1の基板と第2の基板の接合強度を弱める未接合領域Aeを形成することと、周縁改質層を基点に周縁部を除去することと、を含む。周縁改質層から第2の基板に向けて亀裂を伸展させる。周縁改質層は、亀裂の下端が未接合領域よりも下方まで伸展するように形成する。 【選択図】図4

公开(公告)号：JPWO2019188518A1

公开(公告)日：2021-03-11

申请号：JP2019011231

申请日：2019-03-18

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 森 弘明 ,  川口 義広 ,  田之上 隼斗 ,  久野 和哉

IPC: B23K26/53 ,  B23K26/364 ,  B23K26/08 ,  H01L21/301

Abstract: 基板保持部に保持されている基板の主表面に前記基板を加工するレーザー光線の照射点を形成し、前記照射点を前記基板の分割予定線上で移動させて加工跡を形成するレーザー加工装置であって、前記照射点を前記分割予定線上で移動させるべく前記基板保持部を第1軸方向に移動させることを、前記分割予定線を変えて繰り返し、その途中で前記基板保持部を第3軸周りに回転させることにより前記基板保持部で保持されている前記基板の向きを180°変える加工処理部を有する、レーザー加工装置。

公开(公告)号：JP2020167303A

公开(公告)日：2020-10-08

申请号：JP2019067584

申请日：2019-03-29

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 田之上 隼斗 ,  山脇 陽平 ,  川口 義広 ,  中野 征二 ,  山下 陽平

IPC: B23K26/53 ,  H01L21/683 ,  H01L21/304

Abstract: 【課題】被処理体の周縁部の除去を適切に行う処理装置及び処理方法を提供する。 【解決手段】被処理体を処理する処理装置であって、被処理体の内部にレーザ光を照射して除去対象の周縁部Weと中央部の境界に沿った周縁改質層M1を形成し、周縁部の内部にレーザ光を照射して被処理体の径方向に延伸する複数の分割改質層M2を形成する改質部と、分割改質層を基点に周縁部を分割し、周縁改質層を基点に周縁部を除去する周縁除去部と、改質部と周縁除去部の動作を制御する制御部と、を有する。制御部は、分割改質層の剥離速さが周縁改質層の剥離速さよりも速くなるように改質部と周縁除去部の動作を制御する。 【選択図】図6