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    デバイスの製造方法
    1.
    发明专利
    デバイスの製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021197537A

    公开(公告)日：2021-12-27

    申请号：JP2020105573

    申请日：2020-06-18

    申请人： 株式会社ディスコ

    发明人： 服部 奈緒 ,  武田 昇

    IPC分类号： B23K26/53 ,  B23K26/57 ,  H01L21/301

    摘要： 【課題】基板から剥離する際の光デバイス層へのダメージを抑制することができるデバイスの製造方法を提供すること。 【解決手段】デバイスの製造方法は、光デバイスウェーハの光デバイス層の表面に伸縮性を有するテープを貼着するテープ貼着ステップ101と、光デバイス層に対して透過性を有する波長のレーザービームを光デバイス層の内部に集光点を位置付けて照射して分割起点を形成する分割起点形成ステップ102と、光デバイスウェーハのエピタキシー基板の裏面側からエピタキシー基板に対しては透過性を有しバッファ層に対しては吸収性を有する波長のレーザービームを照射し、バッファ層を破壊するバッファ層破壊ステップ103と、エピタキシー基板を光デバイス層から剥離する剥離ステップ104と、テープに対して外力を付与することで光デバイス層を分割起点に沿って分割する分割ステップ105と、を含む。 【選択図】図3

    処理装置及び処理方法
    2.
    发明专利
    処理装置及び処理方法 审中-公开

    公开(公告)号：JPWO2020184178A1

    公开(公告)日：2021-12-23

    申请号：JP2020007697

    申请日：2020-02-26

    申请人： 東京エレクトロン株式会社

    发明人： 森 弘明 ,  川口 義広

    IPC分类号： H01L21/677 ,  H01L21/68 ,  H01L21/683 ,  B23K26/00 ,  B23K26/53 ,  H01L21/304

    摘要： 処理装置は、前記保持部に保持された前記処理体の内部に、レーザ光を照射して改質層を形成する改質部と、前記レーザ光の出力を測定する測定部と、前記保持部に対して前記処理体を搬入出する第1の位置と、前記改質部によって前記改質層を形成する第2の位置との間で、前記保持部を移動させる移動部と、前記保持部、前記改質部、前記測定部及び前記移動部を制御する制御部と、を有する。前記制御部は、前記第1の位置において前記保持部が待機する際、前記測定部によって前記レーザ光の出力を測定するように、前記保持部、前記測定部及び前記移動部を制御する。

    基板処理装置及び基板処理方法
    4.
    发明专利
    基板処理装置及び基板処理方法 审中-公开

    公开(公告)号：JPWO2020170597A1

    公开(公告)日：2021-12-09

    申请号：JP2019050391

    申请日：2019-12-23

    申请人： 東京エレクトロン株式会社

    发明人： 田之上 隼斗

    IPC分类号： H01L21/02 ,  B23K26/53 ,  B23K26/351 ,  H01L21/304

    摘要： 基板を処理する基板処理装置であって、前記基板の表面には表面膜が形成され、前記基板処理装置は、改質層の形成予定領域である前記基板の外周部における前記表面膜を処理して、第1の処理領域を形成する第1の表面処理部を備え、前記第1の処理領域においては、少なくとも前記基板の表面が露出する深さまで、前記表面膜が除去される。

    ウェハのレーザ切断方法
    7.
    发明专利
    ウェハのレーザ切断方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021177537A

    公开(公告)日：2021-11-11

    申请号：JP2020111139

    申请日：2020-06-29

    申请人： 力成科技股▲分▼有限公司

    发明人： 邱 垂良 ,  徐 坤基 ,  巫 勤達 ,  曾 慶麟 ,  林 家緯 ,  曾 仁棟

    IPC分类号： B23K26/364 ,  B23K26/53 ,  H01L21/304 ,  B24B7/04 ,  H01L21/301

    摘要： 【課題】ウェハにおけるクラックや欠けの発生を抑制できるウェハのレーザ切断方法を提供する。 【解決手段】ウェハ10のレーザ切断方法では、まず、能動面11の集積回路層13における比較的厚くて硬い材料層を切断するように、レーザによってウェハ10の能動面11を切削して複数の切削溝111を形成し、続いて、ウェハ10の裏面12に対して、各切削溝111の位置に合わせてステルスダイシングを行う。 【効果】容易に各切削溝111をウェハ10の裏面12まで延長させることができ、切削溝111’がウェハ10を貫通することにより、ウェハ10が個々のチップ100に分断される。 【選択図】図1H

    ウェーハの生成方法
    9.
    发明专利
    ウェーハの生成方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021176165A

    公开(公告)日：2021-11-04

    申请号：JP2020081276

    申请日：2020-05-01

    申请人： 株式会社ディスコ

    发明人： 邱 暁明

    IPC分类号： B23K26/53 ,  H01L21/304

    摘要： 【課題】SiCインゴットからの剥離によってウェーハを生成する際、剥離時間を短縮する。 【解決手段】剥離層206が形成されているインゴット200の第1の端面201に超音波水501を噴射することにより、インゴット200からウェーハを剥離して、ウェーハを生成することができる。したがって、インゴット200の第1の端面201の全面に対して同時に超音波振動を伝達させてウェーハを剥離する構成に比して、剥離時間を短縮することができるとともに、超音波水噴射ノズル2およびその超音波振動板3を小型化することができる。これにより、ウェーハ100の剥離に関する効率化およびコストの低減を実現することができる。 【選択図】図5

    ウエーハの加工方法
    10.
    发明专利
    ウエーハの加工方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021174920A

    公开(公告)日：2021-11-01

    申请号：JP2020079099

    申请日：2020-04-28

    申请人： 株式会社ディスコ

    发明人： 中村 勝

    IPC分类号： B23K26/53 ,  H01L21/301

    摘要： 【課題】デバイスチップの表面及び雰囲気を汚染しないと共にその抗折強度を低下させないウエーハの加工方法を提供する。 【解決手段】ウエーハの加工方法において、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を分割予定ラインの内部に位置付けて該ラインに沿って照射する改質層形成工程と、該工程の前又は後に、ウエーハ10の表面10aに水溶性樹脂24を被覆する水溶性樹脂被覆工程と、該工程の前又は後に、ウエーハの裏面をダイシングテープTに貼着すると共にフレームFでダイシングテープの外周を支持するフレーム支持工程と、ダイシングテープを拡張して被覆された水溶性樹脂と共にウエーハを個々のデバイスチップ12’に分割する分割工程と、個々のデバイスチップの表面が水溶性樹脂で被覆された状態でプラズマエッチングを施す改質層除去工程と、デバイスチップの表面に被覆された水溶性樹脂を除去する水溶性樹脂除去工程と、を含む。 【選択図】図5