公开(公告)号：JP2022002312A

公开(公告)日：2022-01-06

申请号：JP2021135404

申请日：2021-08-23

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 田之上 隼斗

IPC: H01L21/02 ,  B24B7/00 ,  B23K26/53 ,  H01L21/304

Abstract: 【課題】基板同士が接合された重合基板において、一の基板の周縁部を適切に除去する。 【解決手段】基板を処理する基板処理システムであって、第1の基板における除去対象の周縁部と前記第1の基板の中央部との境界に沿って当該第1の基板の内部に改質層を形成する改質層形成装置と、前記周縁部において、前記第1の基板と第2の基板とが接合される界面に所定の処理を行う界面処理装置と、前記改質層形成装置と前記界面処理装置を制御する制御装置と、を有し、前記制御装置は、前記改質層形成装置が前記界面処理装置で処理された前記界面の端部に対応する位置よりも径方向内側に前記改質層を形成する制御、を実行する。 【選択図】図8

公开(公告)号：JP6932248B2

公开(公告)日：2021-09-08

申请号：JP2020513186

申请日：2019-03-27

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 森 弘明 ,  川口 義広 ,  田之上 隼斗 ,  久野 和哉

IPC: B23K26/03 ,  B23K26/53 ,  B23K26/364 ,  G01B11/00 ,  H01L21/301

公开(公告)号：JP2021100071A

公开(公告)日：2021-07-01

申请号：JP2019231786

申请日：2019-12-23

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 田之上 隼斗 ,  山脇 陽平 ,  山下 陽平 ,  中野 征二 ,  森 弘明

IPC: B24B7/04 ,  B23K26/53 ,  H01L21/304

Abstract: 【課題】第1の基板と第2の基板が接合された重合基板において、第1の基板の周縁部を適切に除去する。 【解決手段】基板を処理する基板処理装置であって、前記基板の表面には表面膜が形成され、前記基板処理装置は、第1の基板と第2の基板が接合された重合基板において、前記第1の基板の内部にレーザ光を照射して、除去対象の周縁部と中央部の境界に沿って前記周縁部の剥離の基点となる周縁改質層を形成する周縁改質部を備え、前記第1の基板の外周部には、前記表面膜を除去することで前記第1の基板の表面を露出させた基板露出領域が形成されている。 【選択図】図7

公开(公告)号：JP2021068869A

公开(公告)日：2021-04-30

申请号：JP2019195342

申请日：2019-10-28

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 田之上 隼斗 ,  山下 陽平

IPC: B23K26/53 ,  H01L21/304

Abstract: 【課題】基板同士が接合された重合基板において、第1の基板の周縁部を適切に除去する。 【解決手段】第1の基板と第2の基板が接合された重合基板を処理する方法であって、第1の基板の除去対象の周縁部Weと、第1の基板の中央部の境界に沿って周縁改質層を形成することと、周縁部における第1の基板と第2の基板の接合強度を弱める未接合領域Aeを形成することと、周縁改質層を基点に周縁部を除去することと、を含む。未接合領域の形成においては、レーザ光の照射により重合基板の内部に改質層を形成し、当該改質層により第1の基板と第2の基板の接合強度を低下させる第1の剥離領域と、レーザ光の照射により蓄積される内部応力により第1の基板と第2の基板とを剥離し、当該剥離により第1の基板と第2の基板の接合強度を低下させる第2の剥離領域とを、径方向において交互に形成する。 【選択図】図8

公开(公告)号：JP2020198365A

公开(公告)日：2020-12-10

申请号：JP2019103702

申请日：2019-06-03

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 田之上 隼斗 ,  山下 陽平

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/306 ,  H01L21/304 ,  B23K26/352 ,  B23K26/36 ,  H01L21/02

Abstract: 【課題】基板の貼り合わせの前処理を適切に行う。 【解決手段】基板を処理する基板処理システムであって、前記基板には表面膜が形成され、前記表面膜の外周部を改質する外周改質装置と、前記表面膜の外周部の改質により発生したパーティクルを除去する除去装置と、前記外周改質装置および前記除去装置の動作を制御する制御装置と、を含む。または、基板を処理する基板処理方法であって、前記基板には表面膜が形成され、前記表面膜の外周部を改質することと、前記表面膜の外周部の改質により発生したパーティクルを除去することと、を含む。 【選択図】図11

公开(公告)号：JP2020088101A

公开(公告)日：2020-06-04

申请号：JP2018218542

申请日：2018-11-21

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 川口 義広 ,  原 圭孝 ,  田之上 隼斗 ,  森 弘明 ,  中野 征二

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/304

Abstract: 【課題】基板同士が接合された重合基板において、一の基板の周縁部を除去して適切に回収する。 【解決手段】基板を処理する基板処理装置であって、第1の基板(被処理ウェハW)と第2の基板(支持ウェハS)が接合された重合基板(重合ウェハT)において、第1の基板には除去対象の周縁部Weと中央部の境界に沿って周縁改質層M1が形成され、周縁改質層を基点に周縁部Weを除去する周縁除去部(パッド210)と、周縁除去部で除去された周縁部を保持して移送する周縁移送部(移動機構212)と、周縁移送部で移送された周縁部を回収する回収部230と、を有する。 【選択図】図11

公开(公告)号：JPWO2020129734A1

公开(公告)日：2021-10-21

申请号：JP2019048093

申请日：2019-12-09

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 森 弘明 ,  田之上 隼斗

IPC: H01L21/02 ,  B23K26/53 ,  H01L21/304

Abstract: 基板処理装置は、重合基板を保持する保持部と、第1の基板の内部に周縁部と中央部との境界に沿って周縁改質層を形成する周縁改質部と、第1の基板の内部に面方向に沿って内部面改質層を形成する内部面改質部と、保持部を水平方向に移動させる保持部移動機構と、保持部の中心と接合領域の中心の偏心量を算出し、当該偏心量に基づいて、保持部の中心と接合領域の中心が一致するように、保持部移動機構を制御して保持部を移動させる偏心補正を行う制御部と、を有する。周縁改質部は、偏心補正を行って保持部を移動させながら、第1の基板の内部に周縁用レーザ光を照射し、内部面改質部は、少なくとも第1の基板の内部の中心部において、偏心補正を行わずに内部面用レーザ光を照射する。

公开(公告)号：JPWO2020129733A1

公开(公告)日：2021-10-21

申请号：JP2019048091

申请日：2019-12-09

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 森 弘明 ,  田之上 隼斗 ,  川口 義広

IPC: H01L21/304

Abstract: 基板を処理する基板処理装置であって、第1の基板の表面と第2の基板の表面が接合された重合基板において前記第2の基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部に保持された前記第1の基板の内部に、除去対象の周縁部と中央部との境界に沿って周縁用レーザ光を照射して周縁改質層を形成する周縁改質部と、前記周縁改質部で前記周縁改質層を形成した後、前記基板保持部に保持された前記第1の基板の内部に、面方向に沿って内部面用レーザ光を照射して内部面改質層を形成する内部面改質部と、を有する。

公开(公告)号：JP2021068870A

公开(公告)日：2021-04-30

申请号：JP2019195386

申请日：2019-10-28

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 田之上 隼斗 ,  溝本 康隆 ,  山下 陽平

IPC: B23K26/53 ,  B24B7/04 ,  H01L21/304

Abstract: 【課題】基板同士が接合された重合基板において、第1の基板の周縁部を適切に除去する。 【解決手段】第1の基板W1と第2の基板が接合された重合基板を処理する方法であって、第1の基板の除去対象の周縁部Weと第1の基板の中央部Wcの境界に沿って、かつ第1の基板に刻印された識別情報に重ならないようにレーザ光を照射し、第1の基板の内部に周縁改質層M1を形成することと、周縁改質層を基点に周縁部を除去することと、を含む。 【選択図】図6

公开(公告)号：JPWO2019198512A1

公开(公告)日：2021-03-11

申请号：JP2019013292

申请日：2019-03-27

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 森 弘明 ,  川口 義広 ,  田之上 隼斗 ,  久野 和哉

IPC: B23K26/03 ,  B23K26/53 ,  B23K26/364 ,  G01B11/00 ,  H01L21/301

Abstract: 基板の上面における加工用レーザー光線の照射点の鉛直方向位置を測定する高さ測定部と、前記基板の上面における複数の分割予定線上で前記照射点を移動させながら、前記照射点の鉛直方向位置に基づき集光部の鉛直方向位置を制御する制御部とを備え、前記高さ測定部は同軸レーザー変位計と別軸レーザー変位計とを有し、前記制御部は、一の前記基板を前記加工用レーザー光線で加工する間に、分割予定線毎に前記同軸レーザー変位計と前記別軸レーザー変位計とのいずれか一方のみを用いて前記集光部の鉛直方向位置を制御すると共に、前記集光部の鉛直方向位置の制御に用いるレーザー変位計を前記同軸レーザー変位計と前記別軸レーザー変位計との間で切り替える、レーザー加工装置。