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公开(公告)号：JPWO2005119745A1
公开(公告)日：2008-04-03
申请号：JP2006514097
申请日：2005-05-31
Applicant: 松下電器産業株式会社
IPC: H01L21/265 , H01J37/30 , H01J37/317 , H01J37/32 , H01L21/22
CPC classification number: H01L21/2236 , H01J37/32412
Abstract: 浅く効率よい不純物の導入を実現する。半導体層を含む固体基体表面に前記半導体層中で電気的に不活性な粒子で構成されたプラズマを用いて前記半導体層表面をアモルファス化する第1の工程と、前記固体基体表面に不純物を導入する第2の工程とを含み、第1の工程を実行した後、前記第2の工程を実行することにより、半導体層を含む固体基体表面に微細なポーラスを有するアモルファス層を形成し、前記アモルファス層内に不純物を導入し不純物導入層を形成する。
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公开(公告)号：JPWO2006121131A1
公开(公告)日：2008-12-18
申请号：JP2007528323
申请日：2006-05-11
Applicant: 松下電器産業株式会社
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01L21/2236 , C23C14/48 , H01J37/32412
Abstract: プラズマ処理を繰り返しても、膜からシリコン基板へのドーズ量が毎回同一となるようにすることができるプラズマドーピング方法を提供する。本発明のプラズマドーピング方法は、真空容器内の試料電極に試料を載置し、真空容器内にプラズマを発生させ、プラズマ中の不純物イオンを試料の表面に衝突させて試料の表面に不純物導入層を形成するプラズマドーピング方法であって、真空容器の内壁に固着した前記不純物を含む膜がプラズマ中のイオンで叩かれることによって、前記試料の表面にスパッタリングで導入される不純物の量が前記不純物イオンを含むプラズマを真空容器内部で繰り返し発生させても変化しないように内壁に前記不純物を含む膜を備えた真空容器を用意するメンテナンス工程と、試料電極に試料を載置する工程と、不純物イオンを含むプラズマを照射して前記試料に不純物イオンを打ち込むと共に真空容器の内壁に固着した不純物を含む膜からのスパッタリングで不純物を前記試料に導入する工程とを含む。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JPWO2006106872A1
公开(公告)日：2008-09-11
申请号：JP2007512892
申请日：2006-03-30
Applicant: 松下電器産業株式会社
Inventor： 奥村 智洋 , 智洋 奥村 , 佐々木 雄一朗 , 雄一朗 佐々木 , 勝己 岡下 , 勝己 岡下 , 水野 文二 , 文二 水野 , 伊藤 裕之 , 裕之 伊藤 , 中山 一郎 , 一郎 中山 , 成国 金 , 成国 金
IPC: H01L21/265 , H01L21/22
CPC classification number: H01L21/2236 , H01J37/32412 , H01J37/3244 , H01J37/32834 , H01J2237/3342
Abstract: 本発明の課題は、試料表面に導入される不純物濃度の均一性に優れたプラズマドーピング方法及び装置を提供することである。本発明のプラズマドーピング装置は、真空容器(1)内に、ガス供給装置(2)から所定のガスを導入しつつ、排気装置としてのターボ分子ポンプ(3)により排気口(11)を介して排気を行い、調圧弁(4)により真空容器(1)内を所定の圧力に保つ。そして、高周波電源(5)により13.56MHzの高周波電力を試料電極(6)に対向した誘電体窓(7)の近傍に設けられたコイル(8)に供給することにより、真空容器(1)内に誘導結合型プラズマを発生させる。試料電極(6)に高周波電力を供給するための高周波電源(10)が設けられている。試料電極(6)の中心部に対向して設けられたガス吹き出し口(15)の開口部面積の合計を、試料電極(6)の周辺部に対向して設けられたガス吹き出し口(15)の開口部面積の合計よりも小さくすることにより、均一性が高まった。
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公开(公告)号：JPWO2006106858A1
公开(公告)日：2008-09-11
申请号：JP2007512882
申请日：2006-03-30
Applicant: 松下電器産業株式会社
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01J37/32935 , H01J37/32412 , H01L21/67115 , H01L22/20 , H01L22/26
Abstract: 試料に導入される不純物の打ち込み深さ、またはアモルファス層の深さの繰り返し性、制御性に優れたプラズマドーピング方法及び装置を提供する。真空容器内にプラズマを発生させ、プラズマ中のイオンを試料の表面に衝突させて結晶試料の表面をアモルファスに改質するプラズマドーピング方法であって、所定数の試料とともに、ダミー試料をプラズマ照射してアモルファス化処理する工程と、前記プラズマ照射のなされた前記ダミー試料表面に光を照射し、前記ダミー試料表面の光学特性を測定する工程とを含み、前記測定工程で得られた光学特性が所望の値となるように、試料を処理する条件を制御するようにしている。
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公开(公告)号：JPWO2006106779A1
公开(公告)日：2008-09-11
申请号：JP2007512820
申请日：2006-03-29
Applicant: 松下電器産業株式会社
Inventor： 水野 文二 , 文二 水野 , 中山 一郎 , 一郎 中山 , 佐々木 雄一朗 , 雄一朗 佐々木 , 奥村 智洋 , 智洋 奥村 , 成国 金 , 成国 金 , 伊藤 裕之 , 裕之 伊藤
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01L21/67167 , H01J37/32412 , H01L21/2236
Abstract: 固体試料に導入する不純物が互いに混入すると、本来期待されている機能が発揮できなくなるのを防止し、高精度のプラズマドーピングを実現する。混入しても良い不純物と、混入してはいけない不純物を峻別するために、先ずコアの不純物導入機構を峻別する。そして、微量に混入するものを避ける為に被処理物である、半導体基板の搬送機構や半導体基板上に形成する樹脂材料の除去機構をも専用化して混入を避ける。
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公开(公告)号：JPWO2006013898A1
公开(公告)日：2008-05-01
申请号：JP2006531521
申请日：2005-08-03
Applicant: 松下電器産業株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/265
CPC classification number: H01L21/2236 , H01L21/268 , H01L21/28061 , H01L29/66575
Abstract: 高精度の微細なトランジスタを形成することを目的とし、半導体基板表面にゲート電極340を形成する工程と、前記ゲート電極340をはさむように、不純物を導入する工程と、前記不純物を活性化する工程とを含み、前記不純物の導入された領域に、ソース・ドレイン領域310、320を形成するトランジスタの製造方法において、前記不純物を導入する工程が、プラズマ照射工程を含み、前記活性化する工程に先だち、前記不純物が導入された領域の光反射率が小さくなるように反射防止膜400を形成する工程を含む。
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公开(公告)号：JPWO2005112088A1
公开(公告)日：2008-03-27
申请号：JP2006513551
申请日：2005-05-12
Applicant: 松下電器産業株式会社
Inventor： 水野 文二 , 文二 水野 , 佐々木 雄一朗 , 雄一朗 佐々木 , 中山 一郎 , 一郎 中山 , 伊藤 裕之 , 裕之 伊藤 , 奥村 智洋 , 智洋 奥村 , 成国 金 , 成国 金 , 勝己 岡下 , 勝己 岡下 , 久隆 金田 , 久隆 金田
IPC: H01L21/265 , H01L21/28 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/26513 , H01L21/28035 , H01L29/7833
Abstract: 特性の均一化を図り歩留まりの高い半導体装置を提供することを目的とし、ドライエッチングによる基板面内のばらつきを相殺するように、後続工程であるドーピングやアニール工程のばらつきを調整し、最終的に基板面内でも均一性にすぐれた工程を提供する。
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