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    プラズマドーピング方法およびこれに用いられる装置
    5.
    发明专利
    プラズマドーピング方法およびこれに用いられる装置 有权

    公开(公告)号：JPWO2006104145A1

    公开(公告)日：2008-09-11

    申请号：JP2007510526

    申请日：2006-03-28

    Applicant: 松下電器産業株式会社

    Inventor： 佐々木　雄一朗 ,  雄一朗 佐々木 ,  勝己 岡下 ,  勝己 岡下 ,  伊藤　裕之 ,  裕之 伊藤 ,  水野　文二 ,  文二 水野

    IPC: H01L21/265

    CPC classification number: H01L21/2236 ,  H01J37/32412

    Abstract: 試料表面に形成されるアモルファス層の面内均一性に優れたプラズマドーピング方法及び装置を提供する。真空容器内にプラズマを発生させ、プラズマ中の不純物イオンを試料の表面に衝突させて試料の表面をアモルファスに改質するプラズマドーピング方法であって、面内均一性が良くなるようにプラズマ照射時間を調整するようにしている。プラズマ照射時間が短か過ぎるとプラズマのばらつきがシリコン基板上のアモルファス層の深さに転写されて面内均一性が悪くなる。一方、プラズマ照射時間が長すぎるとシリコン基板表面をプラズマでスパッタする効果が支配的になり面内均一性が悪くなる。その中間に面内均一性が良くなる適切なプラズマ照射時間が存在することを見出し、この時間内においてプラズマドーピングを実行するようにしたものである。

    プラズマドーピング方法
    6.
    发明专利
    プラズマドーピング方法 有权

    公开(公告)号：JPWO2006064772A1

    公开(公告)日：2008-06-12

    申请号：JP2006548833

    申请日：2005-12-12

    Applicant: 松下電器産業株式会社

    Inventor： 佐々木　雄一朗 ,  雄一朗 佐々木 ,  勝己 岡下 ,  勝己 岡下 ,  伊藤　裕之 ,  裕之 伊藤 ,  水野　文二 ,  文二 水野 ,  奥村　智洋 ,  智洋 奥村

    IPC: H01L21/265 ,  H01L21/22

    CPC classification number: H01L21/2236 ,  H01J37/32412 ,  H01L29/66795

    Abstract: ドーズ量を精密に制御することのできるプラズマドーピング方法を実現する。ドーズ量の面内均一性の向上をはかる。B2H6/Heプラズマをシリコン基板に照射してバイアスをかけると、ボロンのドーズ量がほとんど一定となる時間があり、また、その飽和する時間が装置制御の繰り返し性が確保できる時間と比べて比較的長く安定して使用し易いことを発見しその結果に着目してなされたものである。すなわち、プラズマ照射を開始すると、最初はドーズ量が増加するが、その後、時間の変化によらずドーズ量はほとんど一定となる時間が続き、さらに時間を増加させるとドーズ量は減少する。時間の変化に依存することなく、ドーズ量がほとんど一定となる時間をプロセスウインドウとすることでドーズ量を正確に制御できる。

    Plasma doping method and apparatus
    8.
    发明专利
    Plasma doping method and apparatus 有权

    公开(公告)号：JP4143684B2

    公开(公告)日：2008-09-03

    申请号：JP2008504288

    申请日：2007-10-02

    Applicant: 松下電器産業株式会社

    Inventor： 裕之 伊藤 ,  雄一朗 佐々木 ,  智洋 奥村 ,  勝己 岡下 ,  文二 水野

    IPC: H01L21/265

    CPC classification number: H01L21/26513 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32412 ,  H01L21/2236

    Abstract: A plasma doping method and an apparatus which have excellent reproducibility of the concentration of impurities implanted into the surfaces of samples. In a vacuum container, in a state where gas is ejected toward a substrate on a sample electrode through gas ejection holes provided in a counter electrode, gas is exhausted from the vacuum container through a turbo molecular pump as an exhaust device, and the inside of the vacuum container is maintained at a predetermined pressure through a pressure adjustment valve, the distance between the counter electrode and the sample electrode is set sufficiently small with respect to the area of the counter electrode to prevent plasma from being diffused outward, and capacitive-coupled plasma is generated between the counter electrode and the sample electrode to perform plasma doping. The gas used herein is a gas with a low concentration which contains impurities such as diborane or phosphine.

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