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公开(公告)号：JP5879419B2
公开(公告)日：2016-03-08
申请号：JP2014214971
申请日：2014-10-22
Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ
IPC: H01L21/027 , G03F7/20 , H01L21/66
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公开(公告)号：JP2020043266A
公开(公告)日：2020-03-19
申请号：JP2018170923
申请日：2018-09-12
Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ
IPC: G01N23/2251 , H01J37/22 , H01L21/66
Abstract: 【課題】 半導体ウェハを観察する装置であって、ウェハ外周部の画像を撮像すると画像視野内においてウェハ内領域と背景領域の位置関係が一定とならず、欠陥検出や画像分類処理における演算量の増大や頑健性の低下を引き起こし、効率的な欠陥観察・解析が困難となる。 【解決手段】 半導体ウェハの欠陥観察システムであって、半導体ウェハを搭載するための、XY方向に移動可能なステージと、半導体ウェハのエッジを含んだ部位を撮像するための撮像手段と、撮像して得られた複数の画像に対し、ウェハのエッジが複数の画像内で、ほぼ平行である画像を出力するための画像出力手段と、を備える、欠陥観察システムとする。 【選択図】 図5
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公开(公告)号：JP2019148898A
公开(公告)日：2019-09-05
申请号：JP2018032142
申请日：2018-02-26
Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ
Abstract: 【課題】ウェハ観察装置において、アライメントマークの外観がウェハの製造工程や品種によって異なる場合でもユーザへの負荷を抑制する。 【解決手段】汎用テンプレート生成部211は、アライメントマークを含む入力画像の中から、テンプレート画像との類似度が第1の類似度を有する第1の領域と、テンプレート画像との類似度が第1の類似度とは異なる第2の類似度を有する第2の領域を切り出すことにより汎用テンプレート画像を生成する。 【選択図】図2
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公开(公告)号：JP2019132637A
公开(公告)日：2019-08-08
申请号：JP2018013472
申请日：2018-01-30
Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ
IPC: H01L21/66 , G01N21/956
Abstract: 【課題】欠陥観察装置において、欠陥サイズによらず高精度で欠陥を検出する。 【解決手段】光学顕微鏡105、光学顕微鏡305及び電子顕微鏡106の中から、試料101上の観察対象を観察する撮像構成を一つ選択して、選択した撮像構成の撮像条件を制御する。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2018045871A
公开(公告)日：2018-03-22
申请号：JP2016179757
申请日：2016-09-14
Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ
IPC: H01J37/22 , H01J37/28 , H01J37/147 , H01L21/66 , G01B15/00 , H01J37/244
CPC classification number: H01J37/28 , G01B15/00 , H01J37/147 , H01J37/22 , H01J37/244
Abstract: 【課題】半導体パターンのホールのボトムの輪郭が試料表面で遮蔽された場合であっても正しい傾斜状態を電子顕微鏡装置で測定できるようにする。 【解決手段】電子顕微鏡装置を、相対的に低いエネルギーの電子を検出する高仰角に配置した第1検出手段と、及び相対的に高いエネルギーの電子を検出する低仰角に配置した第2検出手段と、第1の検出器より得た第1画像より、予め設定された領域内で半導体パターンのホール領域を特定する手段と、第2の検出器より得た第2画像で、ホール領域の外周と、外周からホール中心方向に検出した穴底までの距離に基づいて傾斜方位、及び傾斜角に関する指標をホール個別に算出する手段と、計測対象画像に含まれるホール個別に測定した結果から、計測対象画像の代表値としての穴の傾斜方位、及び穴の傾斜角に関する指標を算出する手段とを備えて構成する。 【選択図】 図5
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP5719760B2
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：JP2011287369
申请日：2011-12-28
Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ
IPC: G01N21/956 , G01N23/225
CPC classification number: G06F3/04842 , G02B21/365 , G06F17/30 , G06F9/44 , G06F9/4443 , G06T7/0004 , H01J37/265 , H01J2237/2817
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17.发明专利半導体パターン計測方法、半導体パターン計測装置、半導体パターン計測プログラムおよび半導体パターン計測プログラムを記憶した記憶媒体 有权半导体图案测量方法，半导体图案测量装置，半导体图案测量程序和半导体图案测量程序所存储的存储介质
公开(公告)号：JP5707299B2
公开(公告)日：2015-04-30
申请号：JP2011236622
申请日：2011-10-28
Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ
Inventor： 高木 裕治
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公开(公告)号：JP6640057B2
公开(公告)日：2020-02-05
申请号：JP2016179757
申请日：2016-09-14
Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ
IPC: H01J37/22 , H01J37/28 , H01L21/66 , G01B15/00 , H01J37/244
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公开(公告)号：JP5993781B2
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：JP2013084467
申请日：2013-04-15
Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ
IPC: G01B15/04 , G01N23/225 , G06T1/00 , G01B15/00
CPC classification number: G06T7/001 , G03F7/70633 , G06T2207/20021 , G06T2207/30141 , H01L22/12
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公开(公告)号：JP2016109485A
公开(公告)日：2016-06-20
申请号：JP2014245082
申请日：2014-12-03
Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ
IPC: H01L21/66 , G01N21/956 , G01N23/225
CPC classification number: G01N21/956 , G01N23/225
Abstract: 【課題】半導体デバイスの製造工程において半導体ウェハ上に発生した欠陥等を高速かつ高検出率で観察できる観察方法を提供する。 【解決手段】他の検査装置で検出した試料上の欠陥の位置情報を用いて試料上の欠陥を光学顕微鏡105で撮像した画像から欠陥を検出して欠陥の位置情報を修正し、修正した位置情報を用いて走査型電子顕微鏡106で試料上の欠陥を詳細に観察する欠陥観察方法及び欠陥観察装置において、欠陥を光学顕微鏡105で撮像した画像から欠陥を検出して欠陥の位置情報を修正することを、検出する欠陥に応じて光学顕微鏡105の検出光学系の空間分布光学素子を切り替え、切り替えた空間分布光学素子の種類に応じて欠陥を光学顕微鏡105で撮像して欠陥の画像を取得する画像取得条件および欠陥を光学顕微鏡105で撮像して得た画像から欠陥を検出する画像処理条件を変えるようにした。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够在半导体器件的制造工艺中以高检测率快速观察半导体晶片上发生的缺陷等的观察方法。解决方案：在缺陷观察方法和缺陷观察装置中， 使用由其他检查装置检测到的样本上的缺陷的位置信息，由光学显微镜105捕获的图像检测缺陷，使得通过扫描来详细观察缺陷的位置信息，并且观察缺陷 使用修正位置信息的电子显微镜106，从光学显微镜105拍摄的图像中检测缺陷和修正缺陷的位置信息切换到光学检测光学系统的空间分布光学元件 显微镜105根据要检测的缺陷，以及图像获取条件 根据切换空间分布光学系统的类型，通过光学显微镜105捕获缺陷，以获取检测图像，改变由光学显微镜105获取的图像检测缺陷的图像处理条件。 选择图：图1
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