プリント基板製造に使用する自動的に残渣を排出する濾過装置

    公开(公告)号:JP3227449U

    公开(公告)日:2020-08-27

    申请号:JP2020001712

    申请日:2020-05-12

    Abstract: 【課題】残渣除去作業の時間を節約でき、且つ手間も省くことができ、また、洗剤の使用寿命を向上させることができるプリント基板製造に使用する自動的に残渣を排出する濾過装置を提供する。 【解決手段】プリント基板製造用の自動的に残渣を排出する濾過装置であって、タンクベース10と、濾過ユニット20と、振動ユニット30とを備え、タンクベース10は貯液タンク11を含み、濾過ユニット20は、濾過ユニット20の上方に配置されて、貯液タンク11の一側から残渣排出方向に向かって突出し、残渣が混在している洗剤を濾過するために使用され、濾過ユニット20における、貯液タンク11の一側から突出する側に残渣排出口が設けられ、濾過ユニット20の底板22はメッシュフィルター221を有し、振動ユニット30は、濾過ユニット20に連結され、濾過ユニット20を、タンクベース10に対して往復振動変位させるように駆動し、往復振動変位の変位方向のうちの一つの方向は、残渣排出方向に向かっている。 【選択図】図1

    半導体装置の製造方法
    24.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2020126890A

    公开(公告)日:2020-08-20

    申请号:JP2019017149

    申请日:2019-02-01

    Abstract: 【課題】半導体基板の表層部にダメージが生じないようレジスト樹脂層をより好適に除去する。 【解決手段】半導体装置の製造方法であって、半導体基板12の表面を覆う中間層14を形成する工程と、中間層の表面を覆い、第1開口部30を有し、第1開口部内に中間層が露出しているレジスト樹脂層16を形成する工程と、レジスト樹脂層を介して、第1開口部内の中間層を貫通して半導体基板にイオンを注入する工程と、中間層をウェットエッチングにより除去することによって半導体基板からレジスト樹脂層を剥離させる工程、を有する。 【選択図】図4

    半導体基板の製造方法
    27.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2020101662A

    公开(公告)日:2020-07-02

    申请号:JP2018239593

    申请日:2018-12-21

    Abstract: 【課題】オルガノポリシロキサンを含有する組成物を用いて形成された、イオン注入のマスクの残渣を簡易に低減できる半導体基板の製造方法を提供すること。 【解決手段】被処理半導体基板上に、オルガノポリシロキサンを含む感エネルギー性組成物を用いてマスクを形成するマスク形成工程と、マスクを備える被処理半導体基板に対してイオン注入を行うイオン注入工程と、マスクを除去するマスク除去工程と、を含み、マスク除去工程は、マスクと、酸化剤を含む第1処理液との接触と、マスクに対する、酸素含有ガスを用いて生成させたプラズマの照射との少なくとも一方を行う第1工程と、第1工程後のマスクに、フッ化物イオンを含む第2処理液を接触させる第2工程と、を有する。 【選択図】なし

    レジスト剥離液
    28.
    发明专利

    公开(公告)号:JP6688978B1

    公开(公告)日:2020-04-28

    申请号:JP2019568263

    申请日:2019-03-25

    Abstract: 4K、8Kといった高精細度の放送フォーマットが実施されるので、テレビの画面が大きくなる。そのため素子形成時に失敗がないように、フォトレジストの焼成温度が上昇し、フォトレジストは剥離しにくくなる。また、大量のレジスト剥離液を使用するため、そのコスト低下のため、再生率の高いレジスト剥離液が求められている。 3級ポリアミン化合物と、直鎖アミドとしてN−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジエチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジエチルアセトアミドから選ばれる少なくとも一種と、2−ピロリドンおよび水からなる極性溶媒と、0.0001〜0.01質量%の金属表面保護剤を含み、前記直鎖アミドの含有量は前記2−ピロリドンの含有量より多いことを特徴とするレジスト剥離液は、ハードベイクされたレジストを剥離でき、蒸留再生も可能なレジスト剥離液を提供する。

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