公开(公告)号：JP2008218514A

公开(公告)日：2008-09-18

申请号：JP2007050416

申请日：2007-02-28

Applicant: Toshiba Corp ,  株式会社東芝

Inventor： KAJIYAMA TAKESHI

IPC: H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08

CPC classification number: G11C11/16 ,  G11C11/155

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a magnetic random access memory for enabling reduction of a cell area and also to provide a method for manufacturing the magnetic random access memory.
SOLUTION: The magnetic random access memory includes a semiconductor substrate 11 to which a stepped part having a side surface and an upper surface is formed, a gate electrode G formed on the side surface of the stepped portion via a gate insulating film 20, a drain diffusing layer 24 formed within the upper surface of the stepped portion, a source diffusing layer 18 formed separately from the drain diffusing layer within the semiconductor substrate at the lower side of the drain diffusing layer, moreover, a magnetoresistive effect element MTJ being connected to the drain diffusing layer and including a fixing layer 31 in which the magnetizing direction is fixed, a recording layer 33 in which the magnetizing direction can be inverted, and a non-magnetic layer 32 provided between the fixing layer and the recording layer in order to show parallel or anti-parallel state in the magnetizing direction of the fixing layer and the recording layer in accordance with direction of a current applied between the fixing layer and the recording layer, and a bit line BL connected to the magnetoresistive effect element.
COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Abstract translation: 解决的问题：提供一种能够减小单元区域的磁性随机存取存储器，并提供一种用于制造磁性随机存取存储器的方法。 解决方案：磁性随机存取存储器包括：半导体衬底11，具有侧表面和上表面的阶梯部分，经栅极绝缘膜20形成在台阶部分的侧表面上的栅电极G 形成在阶梯部的上表面内的漏极扩散层24，在漏极扩散层的下侧与半导体衬底内的漏极扩散层分开形成的源极漫射层18，此外，磁阻效应元件MTJ为 连接到漏极扩散层并且包括其中固定有磁化方向的固定层31，可以使磁化方向反转的记录层33和设置在固定层和记录层之间的非磁性层32 为了根据电流a的方向在固定层和记录层的磁化方向上显示平行或反平行状态 位于固定层和记录层之间，连接到磁阻效应元件的位线BL。 版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP3884312B2

公开(公告)日：2007-02-21

申请号：JP2002093091

申请日：2002-03-28

Applicant: 株式会社東芝

Inventor： 健 梶山

IPC: G11C11/15 ,  H01L21/8246 ,  G11C11/155 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

CPC classification number: G11C11/155

公开(公告)号：JP2005510077A

公开(公告)日：2005-04-14

申请号：JP2003546351

申请日：2002-11-14

Applicant: マイクロン テクノロジー インコーポレイテッド

Inventor： ジー ディーク ジェイムス

IPC: H01L27/105 ,  G11C11/15 ,  G11C11/155 ,  G11C11/16 ,  H01L21/8246 ,  H01L43/08

CPC classification number: G11C11/16 ,  G11C11/15 ,  G11C11/155 ,  G11C11/161

Abstract: ＭＲＡＭ装置に関する非対称セル及びビット設計。 前記設計は、前記セルの容易軸に関して非対称であり、ビット中心から前記セルの困難軸に沿って移動された重心を有する。 この非対称は、製造プロセス変化がビットのスイッチング磁界を実質的に変化させないようにするのに十分なほど大きい。 加えて、前記非対称は、ビットの端を、弱い半選択磁界において反対方向に、強い半選択磁界において平行に整列させ、これは、選択ビットと非選択ビットとの間の差を増大させる。 これら２つの特徴の組み合わされた効果は、結果として、選択ビットスイッチング分布と非選択ビットスイッチング分布との間のより小さい重なりにより、（同様の大きさの対称的なビットと比較して）ビット歩留が向上する。

公开(公告)号：JP2004327583A

公开(公告)日：2004-11-18

申请号：JP2003118198

申请日：2003-04-23

Applicant: Keio Gijuku ,  学校法人慶應義塾

Inventor： KAWABATA MAKOTO ,  HARII KAZUYA ,  SAITO EIJI ,  MIYAJIMA HIDENORI

IPC: G11C11/15 ,  G11C11/00 ,  G11C11/155 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08

CPC classification number: G11C11/155

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To control the revolution direction of magnetic flux freely and with high reproducibility, with simple construction without heat process such as pinning, concerning a magnetic ring unit and a magnetic memory apparatus.
SOLUTION: The magnetic ring unit is constituted of a magnetic ring 1 of an eccentric ring shape whose central point of the inner diameter is eccentric relative to the central point of the outer diameter.
COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

公开(公告)号：JP2003298019A

公开(公告)日：2003-10-17

申请号：JP2002093091

申请日：2002-03-28

Applicant: Toshiba Corp ,  株式会社東芝

Inventor： KAJIYAMA TAKESHI

IPC: G11C11/15 ,  G11C11/155 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

CPC classification number: G11C11/155

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a highly integrated magnetic storage device, having a higher write/read margin, which is provided with a cylindrical TMR element suitable for microminiaturization.
SOLUTION: The magnetic storage device comprises a cylindrical magnetic fixed layer, a tunnel insulation film formed to cover any one of the external surface or internal surface of the cylindrical magnetic fixed layer, and a magnetic free layer, formed facing the magnetic fixed layer via the tunnel insulation film, in order to cover the surface of the tunnel insulation film, and is provided with a magnetic resistance element, where the magnetizing direction of the magnetic fixed layer is parallel to the center axis direction of the cylindrical shape.
COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Abstract translation: 要解决的问题：为了提供具有较高写入/读取裕度的高度集成的磁存储装置，其具有适于微型化的圆柱形TMR元件。 解决方案：磁存储装置包括圆柱形磁性固定层，形成为覆盖圆柱形磁性固定层的外表面或内表面中的任何一个的隧道绝缘膜和形成为面向磁性固定的磁性层 通过隧道绝缘膜覆盖隧道绝缘膜的表面，并且设置有磁阻元件，其中磁性固定层的磁化方向平行于圆柱形的中心轴线方向。 版权所有（C）2004，JPO