公开(公告)号：JP2005510077A

公开(公告)日：2005-04-14

申请号：JP2003546351

申请日：2002-11-14

Applicant: マイクロン テクノロジー インコーポレイテッド

Inventor： ジー ディーク ジェイムス

IPC: H01L27/105 ,  G11C11/15 ,  G11C11/155 ,  G11C11/16 ,  H01L21/8246 ,  H01L43/08

CPC classification number: G11C11/16 ,  G11C11/15 ,  G11C11/155 ,  G11C11/161

Abstract: ＭＲＡＭ装置に関する非対称セル及びビット設計。 前記設計は、前記セルの容易軸に関して非対称であり、ビット中心から前記セルの困難軸に沿って移動された重心を有する。 この非対称は、製造プロセス変化がビットのスイッチング磁界を実質的に変化させないようにするのに十分なほど大きい。 加えて、前記非対称は、ビットの端を、弱い半選択磁界において反対方向に、強い半選択磁界において平行に整列させ、これは、選択ビットと非選択ビットとの間の差を増大させる。 これら２つの特徴の組み合わされた効果は、結果として、選択ビットスイッチング分布と非選択ビットスイッチング分布との間のより小さい重なりにより、（同様の大きさの対称的なビットと比較して）ビット歩留が向上する。