公开(公告)号：JP2016505220A

公开(公告)日：2016-02-18

申请号：JP2015555245

申请日：2014-01-22

Applicant: クアルコム,インコーポレイテッド

Inventor： シャオチュン・ジュウ ,  シア・リ ,  スン・エイチ・カン

IPC: H01L43/12 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L43/08 ,  G11C11/15 ,  G11C11/155 ,  G11C11/161 ,  H01L43/02 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: プロセス中の面積寸法(DR1)を有するプロセス中の磁性層(460、462)は、周辺部のところに化学的に損傷した領域を含み形成される。化学的に損傷した領域の少なくとも一部分は、非強磁性である化学的に修飾された周辺部分(4604、4624)へと変換される。任意選択で、変換するステップは、酸化、窒化、もしくはフッ化、またはこれらの組合せによるものである。

Abstract translation: 在工艺（DR1）（460462）形成具有面积尺寸的过程中磁性层包含在所述外围部分上的化学损伤区域。 至少化学损伤区域的一部分被转换成非铁磁化学修饰的周缘部（4604,4624）。 任选地，将所述氧化物，氮化物或氟化物，或者的步骤是由于这些的组合。

公开(公告)号：JP2009521101A

公开(公告)日：2009-05-28

申请号：JP2008546054

申请日：2006-12-20

Applicant: ユニバーシティー オブ トロント

Inventor： オーバ，ステファニー ,  ルーダ，ハリー

IPC: H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/06

CPC classification number: G11C11/155 ,  G11C11/18

Abstract: A sensing device includes a sensor, a control unit, an input/output (I/O) interface, and a non-volatile magnetic memory device having one or more memory cells, each of the memory cells, wherein each memory cell of the non-volatile magnetic memory device includes a magnetic switch including a magnetic component and a write coil located proximate the magnetic component, the write coil coupled to receive a current sufficient to create a remnant magnetic polarity in the magnetic component, and a Hall sensor, positioned proximate the magnetic component, to detect the remnant magnetic polarity indicative of a stored data bit.

公开(公告)号：JP2004363350A

公开(公告)日：2004-12-24

申请号：JP2003160325

申请日：2003-06-05

Applicant: National Institute Of Advanced Industrial & Technology ,  独立行政法人産業技術総合研究所

Inventor： AKINAGA HIROYUKI ,  ONO KANTA ,  OSHIMA MASAHARU ,  YANAI TOSHIYUKI

IPC: G11C11/15 ,  G11C11/155 ,  H01F10/00 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01F10/3254 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G11C11/155 ,  G11C11/5607 ,  H01F41/308 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  Y10T29/49069

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a minute magnetic substance or an MRAM using the same in the minute magnetic substance of the nano-scale, which can control the direction of magnetization and is freed from limitation in the number of times of updating and writing processes. SOLUTION: In the method of manufacturing a minute magnetic substance and an MRAM using the same substance, the substance is formed of a flat plate type ferro-magnetic substance, the shape of the flat surface has the line symmetrical axis and is asymmetrical in the direction perpendicular to the line symmetrical axis, and the annular single magnetic domain is formed when the parallel external magnetic field disappears. COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

公开(公告)号：JP6161026B2

公开(公告)日：2017-07-12

申请号：JP2013051806

申请日：2013-03-14

Applicant: 株式会社東芝 ,  国立研究開発法人産業技術総合研究所

Inventor： 下 村 尚 治 ,  北 川 英 二 ,  天 野 実 ,  才 田 大 輔 ,  薬師寺 啓 ,  野 崎 隆 行 ,  湯 浅 新 治 ,  福 島 章 雄 ,  今 村 裕 志 ,  久保田 均

IPC: H01L27/105 ,  H01L43/08 ,  H01L29/82 ,  G11C11/16 ,  H01L21/8239

CPC classification number: G11C11/161 ,  G11C11/155 ,  G11C11/165 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286 ,  H01L27/228 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01F10/123 ,  H01L29/82

公开(公告)号：JP2017054936A

公开(公告)日：2017-03-16

申请号：JP2015177996

申请日：2015-09-09

Applicant: 株式会社東芝

Inventor： 森瀬 博史 ,  近藤 剛 ,  大寺 泰章 ,  島田 拓哉 ,  カンサ ミカエル アルノー ,  中村 志保

IPC: H01L27/105 ,  H01L43/08 ,  H01L29/82 ,  G11C11/15 ,  H01L21/8246

CPC classification number: H01L43/02 ,  G11C11/067 ,  G11C11/155 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1653 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  H01L27/226 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

Abstract: 【課題】高集積化に適した磁気メモリ素子および磁気メモリを提供する。 【解決手段】実施形態に係る磁気メモリ素子は、第1磁性部と、第2磁性部と、非磁性部と、制御部と、を含む。第2磁性部は、第1方向に延びている。第1領域は、第1飽和磁化、第1磁気異方性、および第1減衰定数を有する。第2領域は、第1飽和磁化よりも小さい第2飽和磁化、第1磁気異方性よりも小さい第2磁気異方性、および第1減衰定数よりも小さい第2減衰定数の少なくともいずれかを有する。第1動作において、制御部は、第1部分に、第1電流値で第1電流方向の第1電流を流して第1領域の磁化の方向を変化させる。第1動作の後の第2動作において、制御部は、第1部分に、第2電流値で第2電流方向の第2電流を流して第2領域の磁化の方向を変化させる。第2電流値は、第1電流値よりも小さい。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP5753888B2

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：JP2013234723

申请日：2013-11-13

Applicant: クアルコム,インコーポレイテッド

Inventor： シャオチュン・ジュウ ,  シア・リ ,  スン・エイチ・カン

IPC: H01L43/10 ,  H01L29/82 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L43/10 ,  G11C11/155 ,  H01L43/12

公开(公告)号：JP5513008B2

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：JP2009120741

申请日：2009-05-19

Applicant: クロッカス・テクノロジー・ソシエテ・アノニム

Inventor： ロアン・リュスィアン・プルジブアニュ

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/8246 ,  H01L43/08

CPC classification number: G11C11/155 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675

公开(公告)号：JP5068016B2

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：JP2005345462

申请日：2005-11-30

Applicant: ルネサスエレクトロニクス株式会社

Inventor： 泰助 古川 ,  正和 滝 ,  隆志 長永 ,  丈晴 黒岩

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/8246 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L43/08 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/155 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1657 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675 ,  H01F10/132 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3272 ,  H01L27/228

公开(公告)号：JP2008098515A

公开(公告)日：2008-04-24

申请号：JP2006280481

申请日：2006-10-13

Applicant: Toshiba Corp ,  株式会社東芝

Inventor： KAJIYAMA TAKESHI

IPC: H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08

CPC classification number: G11C11/16 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/155 ,  H01L27/228 ,  H01L27/24

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce a writing current value by reducing an area of a magnetoresistance effect element. SOLUTION: The magnetic random access memory is provided with a magnetoresistance effect element MTJ having a fixed layer 11 having a fixed magnetization direction, a recording layer 12 having a reversible magnetization direction and a non-magnetic layer 13 provided between the fixed layer and the recording layer, wherein a cavity portion 20a is formed on the center of the recording layer, and the magnetization directions of the fixed layer and the recording layer become a parallel or counterparallel status depending on the direction of a current to be applied between the fixing layer and the recording layer; an insulating layer 20 formed in the cavity portion; a wiring 22 connected to one end of the magnetoresistance effect element; and a transistor Tr connected to the other end of the magnetoresistance effect element. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：通过减小磁阻效应元件的面积来减小写入电流值。 解决方案：磁性随机存取存储器设置有具有固定磁化方向的固定层11的磁阻效应元件MTJ，具有可逆磁化方向的记录层12和设置在固定层之间的非磁性层13 和记录层，其中在记录层的中心上形成空腔部分20a，并且固定层和记录层的磁化方向根据要施加的记录层之间的电流的方向成为平行或反平行状态 固定层和记录层; 形成在空腔部分中的绝缘层20; 连接到磁阻效应元件的一端的布线22; 以及与磁阻效应元件的另一端连接的晶体管Tr。 版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2007150159A

公开(公告)日：2007-06-14

申请号：JP2005345462

申请日：2005-11-30

Applicant: Renesas Technology Corp ,  株式会社ルネサステクノロジ

Inventor： OSANAGA TAKASHI ,  KUROIWA TAKEHARU ,  FURUKAWA TAISUKE ,  TAKI MASAKAZU

IPC: H01L43/08 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L43/08 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/155 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1657 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675 ,  H01F10/132 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3272 ,  H01L27/228

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a nonvolatile memory device with a magnetoresistive element wherein inversion magnetic filed in a memory layer is small, and which consists of a magnetoresistive element of high uniaxial magnetic anisotropy.
SOLUTION: Ferromagnetic layers 18, 22 have magnetization in such a magnetization direction as to cancel each other, and the magnetization is roughly zero as a whole of the ferromagnetic layers 18, 22. That is, the ferromagnetic layers 18, 22 are subjected to exchange coupling via a non-magnetic layer 20, and form an SAF structure. Since magnetization of the ferromagnetic layers 18, 22 forming the SAF structure is roughly zero generally, magnetization of a memory layer RL is decided on magnetization of the ferromagnetic layer 14. Consequently, a ferromagnetic layer 14 is formed of a CoFeB alloy of high uniaxial magnetic anisotropy, and the ferromagnetic layers 18, 22 are formed of a CoFe alloy of high exchange coupling force.
COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种具有磁阻元件的非易失性存储器件，其中存储层中的反转磁场较小，并且由具有高单轴磁各向异性的磁阻元件组成。 铁磁层18,22具有彼此抵消的磁化方向的磁化，并且作为整个铁磁层18,22的磁化大致为零。也就是说，铁磁层18,22是 经由非磁性层20进行交换耦合，形成SAF结构。 由于形成SAF结构的铁磁层18,22的磁化通常大致为零，故存储层RL的磁化决定于铁磁层14的磁化。因此，铁磁层14由高的单轴磁性CoFeB合金形成 各向异性，并且铁磁层18,22由具有高交换耦合力的CoFe合金形成。 版权所有（C）2007，JPO＆INPIT