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    マイクロ波プラズマ処理装置及びマイクロ波導入機構
    33.
    发明专利
    マイクロ波プラズマ処理装置及びマイクロ波導入機構 审中-公开

    公开(公告)号：JP2018101587A

    公开(公告)日：2018-06-28

    申请号：JP2016248294

    申请日：2016-12-21

    申请人： 東京エレクトロン株式会社

    发明人： 池田 太郎

    IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/511 ,  H05H1/46

    摘要： 【課題】プラズマ処理に寄与する電磁波の放射量を増加させることを目的とする。 【解決手段】マイクロ波によりガスをプラズマ化し、処理容器内にてプラズマ処理を行うマイクロ波プラズマ処理装置であって、前記処理容器の天井部に3つ以上のマイクロ波導入機構を有し、前記マイクロ波導入機構は、マイクロ波を透過する誘電体の遅波材と、前記遅波材の下面にてスロットを有する導電部材のアンテナと、前記スロットに通したマイクロ波を前記処理容器内に導入させる誘電体のマイクロ波透過窓とを有し、前記マイクロ波導入機構が、前記処理容器の中央部よりも外縁に設けられる場合、前記アンテナのスロットは円弧形状であり、該スロットの一部が前記中央部に向けて所定の角度で開口する開口部を有する、マイクロ波プラズマ処理装置が提供される。 【選択図】図3

    半導体デバイスの製造方法
    35.
    发明专利
    半導体デバイスの製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2018048356A

    公开(公告)日：2018-03-29

    申请号：JP2016182925

    申请日：2016-09-20

    申请人： 国立大学法人東北大学

    发明人： 櫻庭 政夫 ,  上野 尚文 ,  佐藤 茂雄 ,  秋間 学尚

    IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L21/329 ,  H01L21/20 ,  C23C16/42 ,  C23C16/24 ,  C30B25/02 ,  C23C16/511

    摘要： 【課題】低コストかつ短時間で、より低い温度で半導体層を形成することができ、半導体材料や接合界面の特性の劣化を抑制することができる半導体デバイスの製造方法を提供する。 【解決手段】プラズマCVD法または光CVD法により、基板の表面または半導体からなる既存層の表面に、非加熱状態で1または複数の半導体層を形成し、全ての工程を200℃より低い温度条件で行うことにより、ダイオードまたはトランジスタを製造する。半導体層を形成する際には、基板と半導体層との接合界面、および/または、隣接する半導体層間の接合界面をナノメートルオーダーで制御する。 【選択図】図1

    マイクロ波プラズマ処理装置
    38.
    发明专利
    マイクロ波プラズマ処理装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2018006257A

    公开(公告)日：2018-01-11

    申请号：JP2016134861

    申请日：2016-07-07

    申请人： 東京エレクトロン株式会社

    发明人： 池田 太郎

    IPC分类号： C23C16/511 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46

    摘要： 【課題】チャンバ内における電界強度分布の制御性を高める。 【解決手段】チャンバ内にマイクロ波を放射するマイクロ波放射部材とを有し、表面波プラズマにより処理を施すマイクロ波プラズマ処理装置であって、マイクロ波放射部材は金属の本体部と、本体部内のマイクロ波が導入される側に形成され、マイクロ波を透過させる誘電体の遅波材と、遅波材の下面に形成され、遅波材を伝播したマイクロ波を放射する複数のスロットと、本体部内のチャンバ表面にリング状に露出して形成され、マイクロ波をチャンバ内に透過させる誘電体のマイクロ波透過部材と、複数のスロットとマイクロ波透過部材との間に設けられ、複数のスロットから放射されたマイクロ波をマイクロ波透過部材に伝播させる誘電体層と、を有し、マイクロ波透過部材の内縁は複数のスロットの外縁よりも外周側に配置されるマイクロ波プラズマ処理装置が提供される。 【選択図】図3

    マイクロ波プラズマ処理装置
    39.
    发明专利
    マイクロ波プラズマ処理装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2018006256A

    公开(公告)日：2018-01-11

    申请号：JP2016134860

    申请日：2016-07-07

    申请人： 東京エレクトロン株式会社

    发明人： 池田 太郎

    IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/205 ,  C23C16/511 ,  H05H1/46

    摘要： 【課題】マイクロ波の放射効率を高めることを目的とする。 【解決手段】基板を収容するチャンバと、前記チャンバ内にマイクロ波を放射するマイクロ波放射部材とを有し、表面波プラズマによって基板にプラズマ処理を施すマイクロ波プラズマ処理装置であって、前記マイクロ波放射部材は、金属の本体部と、前記本体部内のマイクロ波が導入される側に形成され、マイクロ波を透過させる誘電体の遅波材と、前記本体部内の前記遅波材の外周部及び内周部の少なくともいずれかに配置され、前記遅波材よりも比誘電率が低い誘電体の共振機構と、前記遅波材の下面にて長手方向がマイクロ波の磁場方向と揃うように形成され、前記遅波材及び前記共振機構を伝播したマイクロ波を放射する複数のスロットと、を有するマイクロ波プラズマ処理装置が提供される。 【選択図】図3