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    プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
    2.
    发明专利
    プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021192343A

    公开(公告)日：2021-12-16

    申请号：JP2020098599

    申请日：2020-06-05

    申请人： 東京エレクトロン株式会社

    发明人： 鎌田 英紀 ,  池田 太郎 ,  伊藤 聡 ,  江森 颯大 ,  柳原 陸斗

    IPC分类号： C23C16/511 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H05H1/46

    摘要： 【課題】処理容器内のプラズマ密度分布を比較的容易に調整することができるプラズマ処理装置を提供する。 【解決手段】プラズマ処理装置は、基板を収容し、天壁部と側壁部と底壁部により処理空間を画成する処理容器と、天壁部の上方に設けられ、マイクロ波を発生させるマイクロ波発生部およびマイクロ波を処理容器に向けて放射する複数のマイクロ波放射部を有し、天壁部の下方位置に表面波プラズマを生成するためのプラズマ源と、表面波プラズマを生成するためのガスを供給するガス供給部と、天壁部の複数のマイクロ波放射部に対応する位置に設けられた誘電体からなる複数のマイクロ波透過窓と、天壁部の下面に下方に突出するように設けられ、表面波プラズマの密度分布を調整するように配列された複数の凸状部とを有する。 【選択図】 図3

    プラズマ処理装置
    4.
    发明专利
    プラズマ処理装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021140986A

    公开(公告)日：2021-09-16

    申请号：JP2020038911

    申请日：2020-03-06

    申请人： 東京エレクトロン株式会社

    发明人： 金子 和史 ,  石田 洋平

    IPC分类号： H01L21/3065 ,  C23C16/511 ,  H05H1/46

    摘要： 【課題】マイクロ波をモニタしやすく、マイクロ波のパワー制御を高速化できる技術を提供する。 【解決手段】プラズマ処理装置のマイクロ波出力装置16は、パルス変調されたマイクロ波を発生する発生部16aと、マイクロ波を出力する出力部16tと、進行波の一部を出力する第1方向性結合器16fと、進行波パワーのHighレベル及びLowレベルの測定値を決定する測定部16kとを有し、マイクロ波発生部16aは、帯域幅を有する第1マイクロ波と単一周波数ピークを有する第2マイクロ波とをHighレベル及びLowレベルの切り替えと同期して交互に発生し、第1マイクロ波に対応する測定値をキャリアピッチの逆数以上の移動平均時間で平均化し、第2マイクロ波に対応する測定値をキャリアピッチの逆数よりも短い移動平均時間で平均化し、平均化された測定値及び設定パワーに基づいてHighレベルのパワー及びLowレベルのパワーを制御する。 【選択図】図3

    アレーアンテナ及びプラズマ処理装置
    5.
    发明专利
    アレーアンテナ及びプラズマ処理装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021114360A

    公开(公告)日：2021-08-05

    申请号：JP2020004973

    申请日：2020-01-16

    申请人： 東京エレクトロン株式会社

    发明人： 鎌田 英紀 ,  池田 太郎 ,  佐藤 幹夫 ,  山本 伸彦

    IPC分类号： H01L21/3065 ,  C23C16/511 ,  H05H1/46

    摘要： 【課題】アンテナの間の電磁気的な結合を抑制する。 【解決手段】プラズマ処理装置のチャンバ内に電磁波を放射するアレーアンテナであって、複数のアンテナと、複数の前記アンテナの間に間隔を設けて配置された複数の結合防止素子と、を有し、複数の前記結合防止素子のそれぞれは、前記チャンバ内にてグランド面を構成する天壁に接続された第1の部材と、前記第1の部材の先端又はその近傍に接続された第2の部材と、を有する、アレーアンテナが提供される。 【選択図】図5

    成膜方法および成膜装置
    6.
    发明专利
    成膜方法および成膜装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021105199A

    公开(公告)日：2021-07-26

    申请号：JP2019236943

    申请日：2019-12-26

    申请人： 東京エレクトロン株式会社

    发明人： 和田 真 ,  松本 貴士 ,  冠木 伸岳 ,  井福 亮太 ,  杉浦 正仁 ,  上田 博一

    IPC分类号： C23C16/26 ,  C23C16/511 ,  C01B32/05 ,  C01B32/186 ,  H01L21/285 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46 ,  C23C16/44

    摘要： 【課題】カーボン膜を成膜する際における残留酸素の影響およびカーボン膜成膜前における被処理基板表面への酸素の影響を抑制することができる成膜方法および成膜装置を提供する。 【解決手段】カーボン膜を成膜する成膜方法は、処理容器内に基板が存在していない状態で、酸素を含むプラズマにより処理容器内をクリーニングする工程と、その後、処理容器内に基板が存在していない状態で、プラズマにより処理容器内の酸素を引き出し除去する工程と、その後、処理容器内に基板を搬入し、炭素含有ガスを含む処理ガスを用いたプラズマCVDにより基板上にカーボン膜を成膜する工程とを有し、クリーニングする工程、酸素を引き出し除去する工程、および成膜する工程を繰り返し行う。 【選択図】 図6

    処理方法及びプラズマ処理装置
    9.
    发明专利
    処理方法及びプラズマ処理装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021064509A

    公开(公告)日：2021-04-22

    申请号：JP2019188105

    申请日：2019-10-11

    申请人： 東京エレクトロン株式会社

    发明人： 池田 太郎 ,  上田 博一 ,  鎌田 英紀 ,  芦田 光利 ,  軍司 勲男

    IPC分类号： H01L21/3065 ,  C23C16/511 ,  C23C16/44 ,  H05H1/46

    摘要： 【課題】プラズマ電子密度を維持しつつ、プラズマ電子温度を下げる。 【解決手段】基板を処理する処理容器内においてプラズマを用いて行う処理方法であって、ガスを前記処理容器内に供給する工程と、前記処理容器内に複数のマイクロ波導入モジュールから出力されるマイクロ波のパワーを間欠的に供給する工程と、を有し、前記マイクロ波のパワーを間欠的に供給する工程は、周期的に、複数の前記マイクロ波導入モジュールの全てのマイクロ波のパワーの供給を所与の時間オフの状態にする、処理方法が提供される。 【選択図】図8

    プラズマ処理装置
    10.
    发明专利
    プラズマ処理装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021064508A

    公开(公告)日：2021-04-22

    申请号：JP2019188104

    申请日：2019-10-11

    申请人： 東京エレクトロン株式会社

    发明人： 池田 太郎 ,  江原 寛貴

    IPC分类号： H01L21/31 ,  C23C16/511 ,  C23C16/455 ,  H05H1/46

    摘要： 【課題】ガスノズルにおいて異常放電を防止する。 【解決手段】処理容器と、前記処理容器を構成する天壁及び/又は側壁から突出し、前記処理容器内にガスを供給するガス供給孔16aを有する複数のガスノズル16とを備え、複数の前記ガスノズル16は、複数の前記ガスノズルのガス供給孔16aの先端にて前記ガス供給孔16aの細孔16a1から拡大し、処理空間に開口する拡径部16a2を有する、プラズマ処理装置が提供される。 【選択図】図8