公开(公告)号：KR20210030513A

公开(公告)日：2021-03-17

申请号：KR1020217007453A

申请日：2018-01-29

申请人： 라이텐, 인코포레이티드

发明人： 브라이스 에이치. 안젤모 ,  다니엘 쿡 ,  호세인-알리 게젤바쉬 ,  쉬리육타 싱 ,  마이클 더블유. 스토웰 ,  데이비드 태너

IPC分类号： H01J37/32

CPC分类号： H01J37/32192 ,  C01B32/00 ,  C01B32/15 ,  C01B32/152 ,  C01B32/182 ,  C01B32/19 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32532 ,  C01P2004/50 ,  C01P2004/51 ,  C01P2006/12 ,  C01P2006/40 ,  H01J2237/334

摘要： 탄소 응집체를 갖고, 상기 응집체가 탄소 나노입자를 포함하고 시드 입자를 갖지 않는 탄소 재료가 기재된다. 다양한 구현예에서, 상기 나노입자는 임의로 다중 벽의 구형 풀러렌 및/또는 또 다른 탄소 동소체와 함께, 그래핀을 포함한다. 다양한 구현예에서, 상기 나노입자 및 응집체는 하기의 상이한 조합을 갖는다: 2D-모드 피크 및 G-모드 피크, 및 0.5 초과의 2D/G 강도 비율을 갖는 라만 스펙트럼, 저농도의 원소 불순물, 높은 브루나우어-에멧 및 텔러 (BET) 표면적, 대형 입자 크기, 및/또는 높은 전기 전도성. 상기 탄소 재료를 제조하기 위한 방법이 제공된다.

公开(公告)号：JP6434617B2

公开(公告)日：2018-12-05

申请号：JP2017520579

申请日：2016-04-27

申请人： 株式会社日立ハイテクノロジーズ

发明人： 小藤 直行 ,  森 政士 ,  西田 敏明 ,  濱崎 良二

IPC分类号： H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/67069 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32183 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32651 ,  H01J37/32678 ,  H01J37/32715 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76229 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11514 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11597 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

公开(公告)号：JP2018532878A

公开(公告)日：2018-11-08

申请号：JP2018509834

申请日：2016-08-22

申请人： エレメント シックス テクノロジーズ リミテッド

发明人： ブランドン ジョン ロバート ,  パーキンス ニール

IPC分类号： H05H1/46 ,  C23C16/511 ,  C01B32/26 ,  C23C16/27

CPC分类号： H01J37/3299 ,  C23C16/274 ,  C23C16/511 ,  H01J37/244 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/32266 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/32944 ,  H01J2237/24592 ,  H01J2237/3321 ,  H05H2001/4607 ,  H05H2001/4622

摘要： マイクロ波プラズマ強化型化学気相成長(MPECVD)システム用のマイクロ波発生器システムであって、マイクロ波発生器システムは、化学気相成長プロセスにより合成ダイヤモンド材料を作製するのに適した動作電力出力でマイクロ波を発生させるよう構成されたマイクロ波発生器ユニットと、結果として動作電力出力の減少または周波数の変化をもたらすマイクロ波発生器ユニットの故障を検出する故障検出システムと、検出中の故障に応答してマイクロ波発生器ユニットを再始動して動作電力出力の減少または周波数の変化をもたらしたマイクロ波発生器ユニットの故障後10秒未満内の期間で動作電力出力または周波数を回復させるよう構成された再始動システムとを含むことを特徴とするマイクロ波発生器システム。

公开(公告)号：JP2018528619A

公开(公告)日：2018-09-27

申请号：JP2018514406

申请日：2016-09-16

申请人： 東京エレクトロン株式会社 ,  トーキョー エレクトロン ユーエス ホールディングス,インコーポレーテッド

发明人： タピリー,カンダバラ エヌ. ,  クラーク,ロバート ディー. ,  コンシグリオ,スティーヴン ピー. ,  ワイダ,コーリー ,  ルーシンク,ゲリット ジェイ.

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L21/28255 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/0234 ,  H01L29/161 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517

摘要： ゲルマニウム含有半導体デバイスおよびゲルマニウム含有半導体デバイスを形成するための方法が記載される。前記方法には、ゲルマニウム含有基板を提供すること、ゲルマニウム含有基板上でアルミニウム含有拡散バリア層を堆積すること、アルミニウム含有拡散バリア層上で高k層を堆積すること、および高k層を原子状酸素に曝露して、ゲルマニウム含有基板が酸化されるのを回避しながら、高k層の酸化膜換算膜厚(EOT)を減少させること、が含まれる。ゲルマニウム含有半導体デバイスは、ゲルマニウム含有基板、ゲルマニウム含有基板上のアルミニウム含有拡散バリア層、およびアルミニウム含有拡散バリア層上の高k層であって、前記高k層は、原子状酸素に曝露されていて、ゲルマニウム含有基板が酸化されるのを回避しながら、高k層のEOTを減少させる、高k層、を含む。

公开(公告)号：JP2018139256A

公开(公告)日：2018-09-06

申请号：JP2017033518

申请日：2017-02-24

申请人： 東京エレクトロン株式会社

发明人： 加藤 寿

IPC分类号： C23C16/505 ,  H05H1/46 ,  H01L21/31

CPC分类号： C23C16/45548 ,  C23C16/402 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/505 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32798 ,  H01L21/67376 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

摘要： 【課題】プラズマ形成部の配置高さ位置を変更させつつ、安定なプラズマを形成してプラズマ処理を実施することが可能な成膜装置を提供する。 【解決手段】成膜装置1は、金属製の真空容器11内に設けられ、回転する回転テーブル2上に載置された基板Wに対して互いに分離された第1、第2の処理領域R1、R2に第1、第2の処理ガスを供給して成膜処理を行う。収容容器42は、高さ調節部43、44によって底面部421の配置高さ位置を調節可能なように、真空容器11の天井部12側に設けられた開口部に挿入され、シール部400によって真空容器11と収容容器12との間は気密に塞がれている。さらに収容容器12と開口部の内周面との間には、誘電体製のシールド部材41が配置される。 【選択図】図3

公开(公告)号：JP6295119B2

公开(公告)日：2018-03-14

申请号：JP2014061124

申请日：2014-03-25

申请人： 株式会社日立ハイテクノロジーズ

发明人： 豊田 晃士 ,  山本 浩一 ,  安井 尚輝

IPC分类号： H05H1/00 ,  H05H1/46 ,  H01L21/265 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01J37/32146 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32935

公开(公告)号：JP6240042B2

公开(公告)日：2017-11-29

申请号：JP2014159637

申请日：2014-08-05

申请人： 東芝メモリ株式会社

发明人： 須黒 恭一

IPC分类号： C23C16/44 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/02233 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/32935 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/28211 ,  H01L29/78 ,  H01J2237/202 ,  H01J2237/338

公开(公告)号：JPWO2016098582A1

公开(公告)日：2017-11-02

申请号：JP2016564770

申请日：2015-12-01

申请人： 東京エレクトロン株式会社

发明人： 高広 平野 ,  高広 平野 ,  俊彦 岩尾 ,  俊彦 岩尾

IPC分类号： H05H1/46 ,  C23C14/22 ,  C23C16/511

CPC分类号： C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32238 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

摘要： 被処理体にプラズマ処理を行うプラズマ処理装置は、被処理体を収容する処理容器と、前記処理容器の上部の開口部を封止するように設けられ、前記処理容器内にマイクロ波を透過させる誘電体窓と、前記誘電体窓の上面に設けられ、前記誘電体窓にマイクロ波を放射するための複数のスロットが形成されたスロット板と、を有し、前記誘電体窓の下面には、当該下面から下方に突起した突起部が前記スロットに対応する位置に設けられ、マイクロ波の波長λに対し、前記突起部の幅はλ/4±λ/8である。

公开(公告)号：JP6218650B2

公开(公告)日：2017-10-25

申请号：JP2014047963

申请日：2014-03-11

申请人： 東京エレクトロン株式会社

发明人： 奥西 直彦 ,  永島 望

IPC分类号： H03H7/01 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46

CPC分类号： H01J37/32284 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32155 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32256 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/6831

公开(公告)号：JP2017120847A

公开(公告)日：2017-07-06

申请号：JP2015257260

申请日：2015-12-28

申请人： 株式会社日立ハイテクノロジーズ

发明人： 川那辺 哲雄 ,  丹藤 匠 ,  手束 勉 ,  安井 尚輝

IPC分类号： H05H1/46 ,  C23C16/517 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01J37/32348 ,  C23C16/452 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/517 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32715 ,  H01L21/68735

摘要： 【課題】半導体ウエハの面内方向におけるプラズマ処理の均一性を向上させてプラズマ処理の歩留まりを向上させる。 【解決手段】真空容器25内に第1のガスを供給する第1のガス供給部15と、ウエハ17が載置されるステージ19と、第1のプラズマ11を生成するための電磁波を供給する電磁波供給部14と、ステージ19の外周部に設けられたサセプタ4と、サセプタ4に接続された第2の高周波電源7と、サセプタ4の内部に第2のガスを供給する第2のガス供給部6と、を有するプラズマ処理装置である。サセプタ4の内部には、第2の高周波電源7に接続する高周波電極3と、高周波電極3と対向して配置された第1の接地電極2aとが設けられ、第2の高周波電源7から高周波電力が供給され、かつ第2のガス供給部6から上記第2のガスが供給されてサセプタ4の内部で第2のプラズマを生成する。 【選択図】図1