公开(公告)号：JP5858630B2

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：JP2011055322

申请日：2011-03-14

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 平井 隆己 ,  水野 和幸 ,  七瀧 努

IPC: H02M3/00 ,  H01F30/00

公开(公告)号：JP5844741B2

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：JP2012545663

申请日：2011-10-27

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 武内 幸久 ,  小林 伸行 ,  杉浦 隆太 ,  七瀧 努 ,  今井 克宏 ,  下河 夏己

IPC: H01G7/06 ,  H02N1/08

CPC classification number: H01G7/028 ,  H02N1/004 ,  H02N1/08

公开(公告)号：JP2016001738A

公开(公告)日：2016-01-07

申请号：JP2015126714

申请日：2015-06-24

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 渡邊 守道 ,  吉川 潤 ,  七瀧 努 ,  今井 克宏 ,  杉山 智彦 ,  吉野 隆史 ,  武内 幸久 ,  佐藤 圭

IPC: C30B29/38 ,  C30B19/12 ,  H01L21/205 ,  H01L21/363 ,  H01L33/16 ,  C23C16/34 ,  H01L33/32

Abstract: 【課題】安価で且つ大面積化にも適した、窒化ガリウム単結晶基板の代替材料として有用な窒化ガリウム自立基板及びその製造方法の提供。 【解決手段】配向多結晶アルミナ焼結体上に、窒化ガリウムからなる種結晶層を、配向多結晶アルミナ焼結体の結晶方位に概ね倣った結晶方位を有するように形成する工程と、種結晶層上に、厚さ20μm以上の窒化ガリウム系結晶から構成される層の形成がNaフラックス法により行われ、種結晶層の結晶方位に概ね倣った結晶方位を有するように形成する工程と、配向多結晶アルミナ焼結体を除去する工程とを含む、窒化ガリウム自立基板12の製造方法。得られた窒化ガリウム自立基板12の表面に露出している窒化ガリウム系単結晶粒子の最表面における断面平均径D T に対する、窒化ガリウム自立基板12の厚さTの比として規定されるアスペクト比T/D T は0.7以上である。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种自支撑氮化镓衬底，其可用作氮化镓单晶衬底的替代材料，其便宜并且也适合于具有大的面积。解决方案：一种制造自支撑镓的方法 氮化物衬底12包括以下步骤：在取向多晶氧化铝烧结体上形成包含氮化镓的晶种层，使得晶种层具有大致与定向多晶氧化铝烧结体的晶体取向一致的晶体取向; 通过Na通量法在晶种层上形成厚度为20μm或更大的包含氮化镓基晶体的层，使得该层具有大部分与晶种层的晶体取向一致的晶体取向; 并去除定向多晶氧化铝烧结体。 长径比T / D，其定义为自支撑氮化镓基板12的厚度T与横截面平均直径Dat的比值，在顶表面暴露的氮化镓基单晶晶粒的最外表面 的所获得的自支撑氮化镓衬底12为0.7以上。

公开(公告)号：JP5828495B2

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：JP2014504797

申请日：2013-03-04

Applicant: 国立大学法人 名古屋工業大学 ,  日本碍子株式会社

Inventor： 早川 知克 ,  永縄 勇人 ,  吉川 潤 ,  今井 克宏 ,  七瀧 努

IPC: C01G9/02

CPC classification number: C01G9/02 ,  B82Y30/00 ,  C01G9/006 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/77 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/62 ,  C01P2004/64

公开(公告)号：JP5775444B2

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：JP2011283764

申请日：2011-12-26

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 長田 かおる ,  宇賀治 正弥 ,  杉浦 隆太 ,  小林 伸行 ,  七瀧 努

IPC: H01M10/0585 ,  H01M10/0587 ,  H01M4/66 ,  H01M10/052 ,  H01M4/13

CPC classification number: Y02E60/122

公开(公告)号：JP2021057339A

公开(公告)日：2021-04-08

申请号：JP2020154999

申请日：2020-09-15

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 浅井 宏太 ,  七瀧 努 ,  山田 直仁 ,  横山 昌平 ,  清水 壮太

IPC: H01M4/62 ,  H01M10/30 ,  H01M50/409 ,  H01M4/52 ,  H01M12/08 ,  H01M4/06

Abstract: 【課題】亜鉛二次電池において、充放電の繰り返しに伴う負極の劣化を抑制して耐久性を向上し、それによりサイクル寿命を長くすることを可能とする負極、および前記負極を含む亜鉛二次電池の提供。 【解決手段】亜鉛二次電池に用いられる負極10であって、Zn粒子及びZnO粒子を含む負極活物質12と、はんだを含む導電助剤14とを含む、負極10。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6709850B2

公开(公告)日：2020-06-17

申请号：JP2018525935

申请日：2017-03-29

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 大河内 聡太 ,  渡邊 守道 ,  吉川 潤 ,  七瀧 努

IPC: B28B1/30 ,  B28B11/08 ,  B28B3/00 ,  C04B35/10

公开(公告)号：JP2020055697A

公开(公告)日：2020-04-09

申请号：JP2018184904

申请日：2018-09-28

Applicant: 国立大学法人 名古屋工業大学 ,  日本碍子株式会社

Inventor： 早川 知克 ,  吉川 潤 ,  松島 潔 ,  七瀧 努

IPC: C01G15/00 ,  C01G3/02 ,  C30B19/12 ,  C30B7/10 ,  H01L33/26 ,  H01L21/208 ,  H01L21/363 ,  C30B29/22

Abstract: 【課題】p型性能の高いデラフォサイト型Cu系複合酸化物膜を製造可能な方法を提供する。 【解決手段】デラフォサイト型Cu系複合酸化物膜の製造方法であって、基板を用意する工程と、基板上にデラフォサイト型Cu系複合酸化物の種結晶層を形成する工程と、種結晶層を、Cuのイオンと、Al、Ga、Fe、Cr及びMnからなる群から選択される少なくとも1種の元素のイオンとを含有する原料水溶液に浸漬して水熱処理を施し、それによりCuXO 2 (式中、XはAl、Ga、Fe、Cr及びMnからなる群から選択される少なくとも1種の元素である)の一般式で表される組成を有するデラフォサイト型Cu系複合酸化物膜を形成する工程とを含む、方法。 【選択図】図2

公开(公告)号：JP6621422B2

公开(公告)日：2019-12-18

申请号：JP2016561545

申请日：2015-11-20

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 松島 潔 ,  渡邊 守道 ,  佐藤 圭 ,  七瀧 努

IPC: C04B35/115

公开(公告)号：JP6490881B1

公开(公告)日：2019-03-27

申请号：JP2018567325

申请日：2018-10-24

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 渡邊 守道 ,  佐藤 圭 ,  松島 潔 ,  前田 高宏 ,  吉川 潤 ,  七瀧 努

IPC: C04B35/111 ,  C04B35/645

Abstract: 本発明の配向セラミック焼結体の製法は、(a)配向セラミック焼結体に焼成する前のセラミック成形体を作製する工程と、(b)セラミック成形体を一対の離型シートで挟んでホットプレス焼成炉内に配置し、一対の離型シートを介してセラミック成形体を一対のパンチで加圧しながらホットプレス焼成して配向セラミック焼結体を得る工程と、を含む。離型シートは、厚み75μmで表面の算術平均粗さRaが0.03μmのPETフィルムで挟んだ後、厚み10mmで表面の算術平均粗さRaが0.29μmのステンレス鋼板に載せて真空パックし、200kg/cm 2 で静水圧プレスを行った後のステンレス鋼板側とは反対側の面の断面曲線の最大断面高さPtが、0.8μm以下のものである。