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公开(公告)号：JP2022000844A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：JP2021086660
申请日：2021-05-24
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01B1/06 , C25B13/02 , C25B13/07 , H01M8/1016
Abstract: 【課題】電解質膜の破損を抑制する。 【解決手段】電気化学セル100は、アノード2と、カソード3と、電解質膜4と、を備える。電解質膜4は、アノード2とカソード3との間に配置される。電解質膜4は、第1電解質層41と、第2電解質層42とを有する。第1電解質層41は、イオン伝導性セラミックスを含有する。第2電解質層42は、イオン伝導性セラミックスと同じイオンを伝導種とするイオン伝導性高分子を含有する。第1電解質層41は、アノード2と第2電解質層42との間に配置される。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JPWO2020217579A1
公开(公告)日：2021-12-23
申请号：JP2019048320
申请日：2019-12-10
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01M4/131 , H01M50/434 , H01M4/525 , H01M4/485 , H01M10/0585 , H01M10/052
Abstract: 正極層、セラミックセパレータ及び負極層が互いに結合した一体焼結体板タイプの電池でありながら、電池組立時の物理的衝撃による一体焼結板の層間剥離を抑制し、かつ、充電状態での保存に伴う容量劣化をも抑制することが可能なリチウム二次電池が提供される。このリチウム二次電池は、リチウム複合酸化物焼結体で構成される正極層と、チタン含有焼結体で構成される負極層と、正極層と負極層との間に介在されるセラミックセパレータと、少なくともセラミックセパレータに含浸される電解質と、密閉空間を備え、密閉空間内に正極層、負極層、セラミックセパレータ及び電解質が収容される外装体とを備える。正極層、セラミックセパレータ及び負極層は全体として1つの一体焼結体板を成しており、一体焼結体板の全体が金属酸化物層で被覆されている。
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公开(公告)号：JPWO2020189286A1
公开(公告)日：2021-12-23
申请号：JP2020009188
申请日：2020-03-04
Applicant: 日本碍子株式会社
Inventor： 高崎 秀明
IPC: H05B3/74 , H01L21/02 , H01L21/683 , H05B3/18
Abstract: セラミックヒータ(31)は、ウエハ載置面(32a)を備えたAlNセラミック基体(32)に、ウエハ載置面(32a)に近い方からプラズマ発生用のRF電極(33)、ヒータ電極(34)がこの順に離間した状態で埋設されている。AlNセラミック基体(32)は、RF電極(33)とヒータ電極(34)との間に設けられたAlNセラミック高抵抗層と、高抵抗層以外のAlNセラミック低抵抗層とを備えている。高抵抗層と低抵抗層ともSi、Mg及びTiを含む。高抵抗層は、低抵抗層と比べて、Mg及びTiの含有量が多く体積抵抗率が高い。
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公开(公告)号：JP2021188893A
公开(公告)日：2021-12-13
申请号：JP2021034323
申请日：2021-03-04
Applicant: 日本碍子株式会社 , エヌジーケイ・キルンテック株式会社
Abstract: 【課題】炉内雰囲気の不均一化を抑制する。 【解決手段】バッチ式熱処理炉10は、天井壁と側壁14とを備える炉体12と、被処理物が載置される上面を備える炉床22と、炉体内に配置されると共に側壁と被処理物の間に配置されており、側壁に沿って周方向に間隔を空けて配置される複数のヒータ30と、炉体内に雰囲気ガスを供給する複数のガス吹出し口と、を備えている。炉体と炉床により形成される炉内の形状は円柱形状を有している。複数のガス吹出し口は、円柱形状の炉内に対して径方向については、ヒータと側壁の間に位置しており、円柱形状の炉内に対して周方向については、周方向に隣接するヒータの間に位置している。複数のガス吹出し口からガスが吹き出すガス吹出し方向は、炉内方向となっている。 【選択図】図1
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2021188869A
公开(公告)日：2021-12-13
申请号：JP2020097041
申请日：2020-06-03
Applicant: 日本碍子株式会社 , エヌジーケイ・キルンテック株式会社
Abstract: 【課題】炉内雰囲気の不均一化を抑制する。 【解決手段】バッチ式熱処理炉10は、天井壁と側壁14とを備える炉体12と、被処理物が載置される上面を備える炉床22と、炉体内に配置されると共に側壁と被処理物の間に配置されており、側壁に沿って周方向に間隔を空けて配置される複数のヒータ30と、炉体内に雰囲気ガスを供給する複数のガス吹出し口と、を備えている。複数のガス吹出し口は、円柱形状の炉内に対して径方向については、ヒータと被処理物の間に位置しており、円柱形状の炉内に対して周方向については、周方向に隣接するヒータの間に位置している。複数のガス吹出し口からガスが吹き出すガス吹出し方向は、側壁の方向となっている。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2021188868A
公开(公告)日：2021-12-13
申请号：JP2020097040
申请日：2020-06-03
Applicant: 日本碍子株式会社 , エヌジーケイ・キルンテック株式会社
Abstract: 【課題】炉内雰囲気の不均一化を抑制する。 【解決手段】バッチ式熱処理炉10は、天井壁と側壁14とを備える炉体12と、被処理物が載置される上面を備える炉床22と、炉体内に配置されると共に側壁と被処理物の間に配置されており、側壁に沿って周方向に間隔を空けて配置される複数のヒータ30と、炉体内に雰囲気ガスを供給する複数のガス吹出し口と、を備えている。炉体と炉床により形成される炉内の形状は円柱形状を有している。複数のガス吹出し口は、円柱形状の炉内に対して径方向については、ヒータと側壁の間に位置しており、円柱形状の炉内に対して周方向については、周方向に隣接するヒータの間に位置している。複数のガス吹出し口からガスが吹き出すガス吹出し方向は、炉内方向となっている。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JPWO2020217787A1
公开(公告)日：2021-12-09
申请号：JP2020011899
申请日：2020-03-18
Applicant: NGKエレクトロデバイス株式会社 , 日本碍子株式会社
Inventor： 吉村 茂
Abstract: 金属部材は、金属基材(10)と、第1中間めっき層(21)と、第2中間めっき層(22)と、貴金属めっき層(23)とを有している。金属基材(10)は、複数の結晶粒(C1〜C5)からなる表面(SF)を有している。第1中間めっき層(21)は、金属基材(10)の複数の結晶粒(C1〜C5)上に直接形成されており、ニッケル元素を含有し、金属基材(10)の複数の結晶粒(C1〜C5)における各結晶方位に対して無配向である。第2中間めっき層(22)は第1中間めっき層(21)上に直接形成されている。貴金属めっき層(23)は第2中間めっき層(22)上に形成されている。
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公开(公告)号：JPWO2020189264A1
公开(公告)日：2021-12-09
申请号：JP2020009002
申请日：2020-03-03
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H05B3/02 , H05B3/74 , C04B37/00 , H01L21/683
Abstract: セラミックヒータ10は、上面にウエハ載置面20aが設けられ内部に抵抗発熱体24が埋設されたセラミック製のプレート20と、上端がプレート20の下面に接合されたセラミック製の筒状シャフト40と、筒状シャフト40の周壁部を上下方向に貫通して抵抗発熱体24と電気的に接続された給電部材54a,54bと、を備えている。給電部材54a,54bは、筒状シャフト40の周壁部に埋設され、筒状シャフト40のセラミック材料と密着している。
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公开(公告)号：JPWO2020184510A1
公开(公告)日：2021-12-09
申请号：JP2020009983
申请日：2020-03-09
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 銅板の端部への応力の集中に起因する接合基板の不良を抑制しながら、イオンマイグレーション現象によりはみ出し部から銀が移動することを抑制し、はみ出し部からの銀の移動に起因する接合基板の不良を抑制する。接合基板は、窒化ケイ素セラミックス基板、銅板及び接合層を備える。接合層は、銅板を窒化ケイ素セラミックス基板に接合する。銅板及び接合層は、窒化ケイ素セラミックス基板上に配置される。接合層は、窒化ケイ素セラミックス基板と銅板との間にある板間部、及び窒化ケイ素セラミックス基板と銅板との間からはみ出すはみ出し部を備える。はみ出し部は、銀を含まない。
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