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公开(公告)号:JPWO2020195197A1
公开(公告)日:2021-10-28
申请号:JP2020004321
申请日:2020-02-05
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/205 , C30B29/36 , H01L21/203
Abstract: 研削及び研磨等の加工を施しても、基板の層間剥離、割れ及びクラックが生じにくい、SiC複合基板が提供される。このSiC複合基板は、SiCがc軸方向及びa軸方向ともに配向している二軸配向SiC層と、二軸配向SiC層の一面側に設けられるSiC多結晶層とを備えたものであり、二軸配向SiC層及びSiC多結晶層の接合界面が凹凸形状を有し、該凹凸形状の凹凸量が1〜200μmである。
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公开(公告)号:JP6521390B2
公开(公告)日:2019-05-29
申请号:JP2016546624
申请日:2015-08-28
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/453
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公开(公告)号:JP2017152425A
公开(公告)日:2017-08-31
申请号:JP2016030831
申请日:2016-02-22
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 【課題】高い透光性と導電性を実現可能な、金属亜鉛膜を用いた基板の接合方法を提供する。 【解決手段】金属亜鉛膜を用いて基板を接合する方法が開示される。この方法は、酸化亜鉛を含む表面を有する第一基板と、第二基板とを用意する工程と、第一基板の表面及び第二基板の表面の少なくともいずれか一方に金属亜鉛膜を形成する工程と、第一基板と第二基板とを金属亜鉛膜を挟むように積層して積層体を形成する工程と、積層体を真空又は不活性雰囲気中で加圧しながら加熱して、第一基板と第二基板とを接合する工程とを含む。この方法は、第一基板の表面、第二基板の表面、及び金属亜鉛膜の表面のいずれにも過酸化亜鉛膜を形成しないことを特徴とする。 【選択図】図1
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公开(公告)号:JP5807886B2
公开(公告)日:2015-11-10
申请号:JP2014504918
申请日:2013-03-12
Applicant: 国立大学法人 名古屋工業大学 , 日本碍子株式会社
IPC: C01G9/02
CPC classification number: C01G9/02 , B82Y30/00 , C01P2002/52 , C01P2004/04 , C01P2004/62 , C01P2004/64
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