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公开(公告)号：JP2020520109A
公开(公告)日：2020-07-02
申请号：JP2019561880
申请日：2018-05-11
申请人： イソルグ
发明人： ジョイメル,ジェローム , フォーピン,エリック
IPC分类号： H01L51/50 , H05B33/04 , H05B33/10 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/42
摘要： 【解決手段】本発明は、基板(12)と、基板を覆って酸素及び水を通さない第1の保護層(52)と、第1の保護層上に設けられて、少なくとも1つの有機半導体領域を有する少なくとも1つの電子部品(18)と、エポキシ又はアクリル系接着剤を含み、有機半導体領域を完全に覆って酸素及び水を通さない封止層(66)と、封止層を完全に覆って酸素及び水を通さない第2の保護層(64)と、第2の保護層を覆う支持層(62)とを備えている電子デバイス(50)に関する。
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公开(公告)号：JP2020088386A
公开(公告)日：2020-06-04
申请号：JP2019204889
申请日：2019-11-12
IPC分类号： H01L51/42 , H01L27/30 , H01L27/146
摘要： 【課題】電荷抽出効率を改善できる光電変換素子を提供する。 【解決手段】本発明による光電変換素子は、互いに対向する第1電極及び第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に配置され、少なくとも一部の波長領域の光を吸収して電気的信号に変換させる光電変換層と、前記第1電極と前記光電変換層との間に配置され、ランタン族元素、カルシウム(Ca)、カリウム(K)、アルミニウム(Al)又はこれらの合金を含む無機ナノ層と、を有する。 【選択図】 図1
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公开(公告)号：JP2020088360A
公开(公告)日：2020-06-04
申请号：JP2018226026
申请日：2018-11-30
申请人： 住友化学株式会社
发明人： 吉川 栄二
IPC分类号： H01L27/30 , H01L27/146 , H01L51/42
摘要： 【課題】光電変換効率が高く、または暗電流を低減でき、適用されるデバイスの用途に必要とされる所定の波長域の光を用いての光電変換を可能とする光電変換素子。 【解決手段】陽極と、陰極と、該陽極と該陰極との間に設けられる活性層とを含み、該活性層が、下記式(1)で表される化合物を含む、光電変換素子。 【化1】 (式(1)中、X、Ar 1 、Ar 2 、Ar 3 、Z 1 、Z 2 は、明細書にて定義のとおりである。) 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP6674547B2
公开(公告)日：2020-04-01
申请号：JP2018529423
申请日：2017-06-13
申请人： 富士フイルム株式会社
发明人： 吉岡 知昭
IPC分类号： H01L27/146 , H01L27/30 , C07D471/04 , H01L51/42
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公开(公告)号：JPWO2018216507A1
公开(公告)日：2020-03-26
申请号：JP2018018309
申请日：2018-05-11
申请人： 日産化学株式会社
摘要： 電荷輸送性物質と、ナフタレンスルホン酸およびベンゼンスルホン酸から選ばれる少なくとも1種を含む電子受容性ドーパント物質と、有機溶媒とを含む電荷輸送性ワニスを基材上に塗布し、100〜180℃に加熱して有機溶媒を蒸発させる電荷輸送性薄膜の製造方法によれば、高い光電変換効率の有機光電変換素子を与える正孔捕集層として利用可能な電荷輸送性薄膜を効率的に製造することができる。
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公开(公告)号：JP2020509355A
公开(公告)日：2020-03-26
申请号：JP2019543039
申请日：2018-02-07
发明人： ルンゲンシュミート,クリストフ , ボンジクノーレ,クリスティアン , ハンドレック,アンケ , ブルーダー,イングマル , ゼント,ロベルト
IPC分类号： H01L51/42 , H01L31/10 , H01L31/0248 , H01L31/0264 , G01B11/00 , G01C3/06
摘要： 少なくとも1個の対象物(112)の光学的な検出のための検出器(110)が提案される。検出器(110)は、 − 少なくとも1つの光学センサであって、光学センサは、少なくとも1つのセンサ領域(130)を有しており、光学センサは、変調された入射光ビーム(132)によるセンサ領域(130)の照射に依存するように、少なくとも1つのセンサ信号を発生させるように設計されており、センサ信号は、光ビーム(132)の変調周波数に依存しており、センサ領域(130)は、少なくとも1つの容量性デバイス(134)を含み、容量性デバイス(134)は、少なくとも2つの電極(166、174)を含み、少なくとも1つの絶縁層(178)および少なくとも1つの感光性層(180)が、電極(166、174)同士の間に埋め込まれており、電極(166、174)のうちの少なくとも1つは、光ビーム(132)に対して少なくとも部分的に光学的に透明になっている、少なくとも1つの光学センサと、 − 少なくとも1つの評価デバイス(150)であって、評価デバイス(150)は、センサ信号を評価することによって、対象物(112)の位置に関する少なくとも1つの情報を発生させるように設計されている、少なくとも1つの評価デバイス(150)と を含む。 とりわけ、光学センサは、少なくとも1つの縦方向センサ信号を発生させるように設計された縦方向光学センサ(114)であることが可能であり、縦方向光学センサ(114)は、照射の合計パワーが同じであることを所与として、センサ領域(130)の中の光ビーム(132)のビーム断面にさらに依存しており、評価デバイス(150)は、縦方向センサ信号を評価することによって、対象物(112)の縦方向位置に関する少なくとも1つの情報項目を発生させるように設計されている。 代替的にまたはそれに加えて、光学センサは、横方向光学センサ(160)であることが可能であり、電極(166、174)のうちの1つは、入射光ビーム(132)がセンサ領域(130)に衝突した位置を決定するように適合された低い電気伝導性を有する電極層(222)であり、横方向光学センサ(160)は、入射光ビーム(132)がセンサ領域(130)に衝突した位置に依存する少なくとも1つの横方向センサ信号を発生させるように設計されており、評価デバイス(150)は、横方向センサ信号を評価することによって、対象物(112)の横方向位置に関する少なくとも1つの情報項目を発生させるように設計されている。 それによって、空間の中の少なくとも1個の対象物の位置を正確に決定するための簡単でありながらも依然として効率的な検出器が提供され、それは、衝突する光スポットのサイズの変化による、抽出されたac光電流の強力な非線形の挙動を示し、他方では、簡便な準備を可能にする。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JPWO2018186389A1
公开(公告)日：2020-02-20
申请号：JP2018014250
申请日：2018-04-03
申请人： 富士フイルム株式会社
IPC分类号： H01L27/146 , H01L27/30 , H01L51/42
摘要： 本発明は優れた応答性、および、光電変換膜を高速成膜した場合において優れた暗電流特性を示す光電変換素子、光電変換素子を有する、光センサ、撮像素子、および、化合物を提供する。本発明の光電変換素子は、導電性膜、光電変換膜、および、透明導電性膜をこの順で有する光電変換素子であって、光電変換膜が、式(1)で表される化合物、および、所定の構造を有するn型有機半導体を含む。
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公开(公告)号：JP2020021849A
公开(公告)日：2020-02-06
申请号：JP2018145298
申请日：2018-08-01
申请人： 住友化学株式会社
发明人： フェララ ジョバンニ , 清家 崇広
IPC分类号： H01L31/10 , H01L27/146 , G06T1/00 , H01L51/42
摘要： 【課題】暗電流が低減され、かつ外部量子効率が向上した光検出素子を提供する。 【解決手段】光検出素子は、陽極16と、陰極12と、陽極と該陰極との間に設けられかつp型半導体材料およびn型半導体材料を含む活性層14とを含み、活性層の厚さが、800nm以上であり、活性層の陰極側表面と接する面の仕事関数からn型半導体材料のLUMOの絶対値を減じた値が、0.0〜0.5eVである。 【選択図】図1
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