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    光電変換素子及び光電変換層形成用組成物
    1.
    发明专利
    光電変換素子及び光電変換層形成用組成物 审中-公开

    公开(公告)号：JP2022002241A

    公开(公告)日：2022-01-06

    申请号：JP2020106206

    申请日：2020-06-19

    申请人： 東洋インキSCホールディングス株式会社

    发明人： 木村 秀一

    IPC分类号： C07D209/88 ,  C07D209/86 ,  H01L51/42

    摘要： 【課題】 耐久性に優れた光電変換素子と光電変換層形成用組成物を提供すること。 【解決手段】 一対の電極間に光電変換層を有してなる光電変換素子であって、光電変換層が、表面処理剤と半導体粒子とを含んでなり、表面処理剤が、ジアリールアミン骨格、キノリン骨格及びインドール骨格からなる群から選ばれる少なくとも一種の部分構造と、カルボキシル基及びスルファニル基からなる群から選ばれる少なくとも一種の基とを有する光電変換素子。 【選択図】なし

    光電変換素子、光電変換装置、光電変換素子前駆体、光の検出方法、および光電変換素子の製造方法
    3.
    发明专利
    光電変換素子、光電変換装置、光電変換素子前駆体、光の検出方法、および光電変換素子の製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：JPWO2020162317A1

    公开(公告)日：2021-12-09

    申请号：JP2020003420

    申请日：2020-01-30

    申请人： 国立研究開発法人科学技術振興機構

    发明人： 二瓶 あゆみ ,  宮坂 力

    IPC分类号： H01L51/42

    摘要： 本発明の光電変換素子は、無機半導体を主成分として含む複数の粒子またはその凝集体あるいは薄膜によって構成される第一層(104)と、前記粒子またはその凝集体の表面に対し、ペロブスカイト構造体を主成分として含む複数の粒子またはその凝集体あるいは薄膜によって構成される第二層(105)と、有機金属錯体を主成分として含む複数の粒子またはその凝集体あるいは薄膜によって構成される第三層(106A)、(106B)と、を順に積層してなり、伝導帯のエネルギー準位が、第一層(104)、第二層(105)、第三層(106A)、(106B)の順で高く、価電子帯における第二層(105)のエネルギー準位が、第三層(106A)、(106B)のエネルギー準位より高い。

    有機フォトダイオード及び赤外線CMOSセンサー
    4.
    发明专利
    有機フォトダイオード及び赤外線CMOSセンサー 审中-公开

    公开(公告)号：JPWO2020130133A1

    公开(公告)日：2021-10-28

    申请号：JP2019050075

    申请日：2019-12-20

    申请人： 三菱ケミカル株式会社

    发明人： 岡部 一毅

    IPC分类号： H01L51/46 ,  H01L27/144 ,  H01L27/30 ,  H01L27/146 ,  H01L51/42

    摘要： 光電変換効率が高く、しかも暗電流値の低い有機フォトダイオードと、この有機フォトダイオードを用いた赤外線CMOSセンサーを提供する。第1電極、正孔輸送層、光電変換層、及び第2電極をこの順に含んでなる有機フォトダイオード。該光電変換層はp型半導体とn型半導体を含む。該正孔輸送層は、下記式(2)で表される繰り返し単位を含む高分子化合物を含有する。該高分子化合物は、該高分子化合物間において230℃において互いに側鎖の炭素原子に結合する基を有する。

    光電変換素子およびイメージセンサ
    7.
    发明专利
    光電変換素子およびイメージセンサ 审中-公开

    公开(公告)号：JPWO2020080072A1

    公开(公告)日：2021-09-16

    申请号：JP2019038303

    申请日：2019-09-27

    申请人： パナソニックIPマネジメント株式会社

    发明人： 能澤 克弥

    IPC分类号： H01L31/0232 ,  H01L27/144 ,  H01L27/146 ,  H01L27/30 ,  H01L51/42

    摘要： 本開示の一態様に係る光電変換素子(10)は、透明導電性材料を含む第1電極(51)と、第2電極(52)と、前記第1電極(51)と前記第2電極(52)との間に位置し、光電変換機能を有する積層体(50)と、を備える。前記積層体(50)は、第1層(61)と、前記第1層(61)と前記第2電極(52)との間に位置する第2層(62)とを含む。前記第1層(61)は、360nm以上の第1波長帯域の光を吸収し、かつ、前記第1波長帯域より長い波長を含む第2波長帯域の光を透過し、前記第2層(62)は、前記第2波長帯域の光を吸収する。前記積層体(50)は、前記第1波長帯域において実質的に光電変換の感度を有さず、前記第2波長帯域において光電変換の感度を有する。

    イメージセンサ及び電子装置
    9.
    发明专利
    イメージセンサ及び電子装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021125691A

    公开(公告)日：2021-08-30

    申请号：JP2021013524

    申请日：2021-01-29

    申请人： 三星電子株式会社 ,  Samsung Electronics Co.,Ltd.

    发明人： 陳 勇 完 ,  朴 敬 培 ,  尹 晟 榮 ,  朴 性 俊 ,  房 非非 ,  許 哲 準

    IPC分类号： H01L51/42 ,  H01L27/146 ,  H01L31/10

    摘要： 【課題】イメージセンサ及び電子装置を提供する。 【解決手段】イメージセンサ300は、半導体基板200上に第1色の波長スペクトルの光を感知する第1光感知素子100と、半導体基板200内に第2色の波長スペクトルの光を感知する第2光感知素子210と、第3色の波長スペクトルの光を感知する第3光感知素子220と、を備え、半導体基板200の厚さ方向に、第1光感知素子100と第2光感知素子210とが重畳し、第1光感知素子100と第3光感知素子220とが重畳し、第2光感知素子210と第3光感知素子220とは重畳せず、第2光感知素子210及び第3光感知素子220は、ドーピング領域210d、220dを有し、第3光感知素子220の上部面220pは、第2光感知素子210の上部面210pよりも半導体基板200表面200sから深く、ドーピング領域220dは、ドーピング領域210dよりも厚い。 【選択図】図4