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    不揮発性記憶素子
    51.
    发明专利
    不揮発性記憶素子 审中-公开

    公开(公告)号：JP2019208017A

    公开(公告)日：2019-12-05

    申请号：JP2019078870

    申请日：2019-04-17

    Applicant: 旭化成エレクトロニクス株式会社

    Inventor： 郡司 智博 ,  対馬 悠晃

    IPC: H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L27/11531 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L27/11521

    Abstract: 【課題】リテンション劣化を抑制することができる不揮発性記憶素子を提供する。 【解決手段】不揮発性記憶素子は、半導体基板9Aと、半導体基板の上方に設けられたフローティングゲートFG1と、フローティングゲートの上方にフローティングゲートと絶縁して配置されたコントロールゲートCG1と、半導体基板内に設けられ一部がフローティングゲートの下方に配置された第一領域10Aと、フローティングゲートと第一領域との間に少なくとも一部が配置され、フローティングゲートに対する面積比が0.002以上1以下であるトンネル絶縁膜15とを備える。 【選択図】図2

    赤外線発光素子
    55.
    发明专利
    赤外線発光素子 审中-公开

    公开(公告)号：JP2019169601A

    公开(公告)日：2019-10-03

    申请号：JP2018055946

    申请日：2018-03-23

    Applicant: 旭化成エレクトロニクス株式会社

    Inventor： 外賀 寛崇 ,  藤田 浩己

    IPC: H01L33/30

    Abstract: 【課題】発光特性が改善された赤外線発光素子を提供する。 【解決手段】この発明の赤外線発光素子は、基板1と、基板1上に形成されたn型コンタクト層2と、Al、In、AsおよびSbを含む化合物半導体層を含むn型コンタクト層上に形成されたn型導電型を有する第1バリア層3と、InAs x Sb (1-x) (0≦x≦1)を含む化合物半導体層を含むn型バリア層3上に形成された活性層4と、Al、Ga、AsおよびSbを含む化合物半導体層を含む活性層4上に形成された第2バリア層5と、を備える。 【選択図】図1

    DA変換装置およびDA変換方法
    56.
    发明专利
    DA変換装置およびDA変換方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2019161622A

    公开(公告)日：2019-09-19

    申请号：JP2018050226

    申请日：2018-03-16

    Applicant: 旭化成エレクトロニクス株式会社

    Inventor： 松岡 大輔 ,  山本 竜蔵 ,  中鉢 達也

    IPC: H03M1/74

    Abstract: 【課題】電流出力型のDA変換装置で発生する出力アナログ信号の歪みを低減する。 【解決手段】入力するデジタル信号に応じた差動アナログ信号を出力するDA変換装置であって、デジタル信号に応じた電流を第1配線および第2配線にそれぞれ出力する電流出力部と、第1配線に流れる電流に基づく電圧信号を正側アナログ信号として出力し、第2配線に流れる電流に基づく電圧信号を負側アナログ信号として出力する変換部と、第1配線に設けられ、当該第1配線に発生する雑音成分を低減させる第1雑音低減部と、第2配線に設けられ、当該第2配線に発生する雑音成分を低減させる第2雑音低減部とを備えるDA変換装置を提供する。 【選択図】図3

    センサ装置及びセンサシステム
    57.
    发明专利
    センサ装置及びセンサシステム 审中-公开

    公开(公告)号：JP2019149895A

    公开(公告)日：2019-09-05

    申请号：JP2018034047

    申请日：2018-02-28

    Applicant: 旭化成エレクトロニクス株式会社

    Inventor： 粟津 督央 ,  岩崎 弘文 ,  林 哲平

    IPC: H02M3/07 ,  H02M3/155

    Abstract: 【課題】微生物燃料電池のような低パワーの入力ソースを用いたセンサ装置及びセンサシステムを提供することを課題とする。 【解決手段】微生物燃料電池と、微生物燃料電池からの入力電圧により動作し、入力電圧を増幅する昇圧DCDC回路と、昇圧DCDC回路から出力された電力を蓄電する蓄電素子と、蓄電素子から出力された電力に基づいて動作するセンサ素子と、を備えるセンサ装置を提供し、当該センサ装置及び無線通信装置を備えるセンサシステムを提供する。 【選択図】図1

    磁気検出装置
    59.
    发明专利
    磁気検出装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2019132719A

    公开(公告)日：2019-08-08

    申请号：JP2018015539

    申请日：2018-01-31

    Applicant: 旭化成エレクトロニクス株式会社

    Inventor： 益田 征典 ,  森安 嘉貴

    IPC: G01R33/02 ,  H01L43/08 ,  G01R33/09

    Abstract: 【課題】検知する入力磁場とキャンセル磁場の差を可能な限り低減する磁気検出装置を提供する。 【解決手段】基板10と、磁化自由層、非磁性層及び磁化固定層を少なくとも有し、所定の方向からの磁場を感知する感磁エリアを有する素子部20と、素子部の感磁軸方向に沿って素子部の両側に近接して配置され、入力磁場を収束する磁気収束部30と、感磁軸と略平行な方向を巻回軸として、導体で形成されたキャンセル磁場発生部70と、素子部で検出した検出値に基づいて、キャンセル磁場発生部にフィードバック電流を印加し、キャンセル磁場発生部に入力磁場を減殺するキャンセル磁場を発生させる電気回路と、を備え、感磁エリアの重心及び磁気収束部の少なくとも一部は、キャンセル磁場発生部の包絡面の内側に存在し、キャンセル磁場発生部の長さLcは、感磁軸と平行な方向における感磁エリアの最大長さLjよりも大きい。 【選択図】図1

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