キメラ2重鎖核酸
    1.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2022000426A

    公开(公告)日:2022-01-04

    申请号:JP2021136038

    申请日:2021-08-24

    Abstract: 【課題】標的遺伝子の発現をアンチセンス効果によって抑制する二重鎖核酸複合体、およびそれを利用する方法を提供する。 【解決手段】第2の核酸鎖がアニーリングしている第1の核酸鎖を含む二本鎖核酸複合体を含み、(i)第1の核酸鎖は、標的遺伝子の転写産物にハイブリダイズし、RNaseH非依存的アンチセンス効果によって標的遺伝子の発現を調節するものであり、そして転写産物に相補的な配列を持ち転写産物にハイブリダイズ可能な連続したDNAヌクレオチド、修飾DNAヌクレオチド、ヌクレオチドアナログなどを含み、かつ、(ii)第2の核酸鎖は、(a)第1の核酸鎖と相補的な配列を有する連続したRNAヌクレオチドもしくは修飾RNAヌクレオチドと、さらに(b)連続したRNAヌクレオチドもしくは修飾RNAヌクレオチドの5’末側に配置された1又は複数の修飾ヌクレオチド、ヌクレオチドアナログなどである、医薬組成物。 【選択図】なし

    変形予測システム及びプログラム

    公开(公告)号:JP6985689B1

    公开(公告)日:2021-12-22

    申请号:JP2021134795

    申请日:2021-08-20

    Abstract: 【課題】スポット溶接における抵抗発熱と加圧を考慮して、溶接変形の予測結果を高速で計算できる変形予測システム及びプログラムを提供する。 【解決手段】スポット溶接を行うことで製造される構造体130の溶接変形をFEM解析によって計算する変形予測システムは、構造体データ取り込みプロセスS1と、溶接打点抽出プロセスS2と、FEM解析用モデル作成プロセスS3と、スポット溶接点140の位置において、スポット溶接点140のFEM解析用モデルとしてナゲット要素340を作成すると共に、スポット溶接を行うときのスポット溶接点140における抵抗発熱、及びスポット溶接点140に対する加圧によって生じる固有変形をナゲット要素340に設定するナゲット要素設定プロセスS4と、溶接変形計算プロセスS5とを有する。 【選択図】図5

    光検出装置、光検出方法、光検出装置の設計方法、試料分類方法、及び、不良検出方法

    公开(公告)号:JPWO2020203592A1

    公开(公告)日:2021-12-16

    申请号:JP2020013495

    申请日:2020-03-25

    Inventor: 小西 毅

    Abstract: 光検出装置(10)は、入力光に含まれる所望の波長成分を検出する装置であって、入力光を入力とし入力光の分光スペクトルの複製を複数並べて出力する回折格子(16)等で構成される分光器と、分光器から出力された複数の分光スペクトルの並びに対して3箇所以上の波長成分の光を通過させる3以上のスリットの並びを有する第2スリットアレイ(18)と、第2スリットアレイ(18)を通過した3以上の波長成分の光を受光する画素の並びで構成される撮像素子(19)とを備え、第2スリットアレイ(18)が有する3以上のスリットの並びにおける少なくとも2以上のピッチは異なる。

    線形摩擦接合用固定治具及び線形摩擦接合方法

    公开(公告)号:JPWO2020170765A1

    公开(公告)日:2021-12-16

    申请号:JP2020003710

    申请日:2020-01-31

    Abstract: 線形摩擦接合装置に対して簡便かつ確実に被接合材を固定し、接合条件に対応した再現性の高い線形摩擦接合の実施を可能とする線形摩擦接合用固定治具及び線形摩擦接合を提供する。線形摩擦接合装置の被接合材固定部から押圧力を受ける被押圧面と、前記被押圧面の反対側に二つの傾斜面を対向配置して形成された谷部と、を備えた第一部材と、前記傾斜面と当接する当接面を両端部に備えた第二部材と、を具備し、二つの前記第一部材と二つの前記第二部材とから構成されること、を特徴とする線形摩擦接合用固定治具である。

    ヒドロキシカルボン酸エステルの製造方法

    公开(公告)号:JPWO2020166093A1

    公开(公告)日:2021-12-16

    申请号:JP2019008686

    申请日:2019-03-05

    Abstract: 本発明の目的は、不均一系反応により、ジカルボン酸モノエステルを還元して、ヒドロキシカルボン酸エステルを選択的に製造する方法を提供する。 本発明のヒドロキシカルボン酸エステルの製造方法は、下記触媒の存在下で、基質としての下記式(1)で表されるジカルボン酸モノエステルを還元して、下記式(2)で表されるヒドロキシカルボン酸エステルを製造することを特徴とする。 触媒:金属種として下記M 1 とM 2 が、下記担体に担持されてなる触媒 (M 1 )ロジウム、白金、ルテニウム、イリジウム、又はパラジウム (M 2 )スズ、バナジウム、モリブデン、タングステン、又はレニウム (担体)ハイドロキシアパタイト、フルオロアパタイト、又はハイドロタルサイト 【化1】

    3次元焼成物の製作方法
    7.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2021185022A

    公开(公告)日:2021-12-09

    申请号:JP2020090406

    申请日:2020-05-25

    Abstract: 【課題】土質材料を用いて、高品質な3次元焼成物を製作することの可能な、3次元焼成物の製作方法を提供する。 【解決手段】土質材料を撒き出して粒子層11を形成したのち、照射経路20に沿って粒子層の表面にレーザー光を照射し、粒子層を溶融凝固する溶融凝固工程を、粒子層を積層しつつ繰り返す3次元焼成物の製作方法において、照射経路は、レーザー光の進行方向を示す照射ラインPを備え、先行の照射ラインPに対して、後行の照射ラインPを幅方向にずらしながら略平行に重ね、粒子層における3次元焼成物となる領域Eが、レーザー光により複数回照射されるように設定され、レーザー光を、先行の前記照射ラインPに沿って照射させたのち、後行の前記照射ラインPに沿って照射させるまでの間には、前記粒子層の表面から深度方向への伝熱期間が設けられる。 【選択図】図5

    流体制御バルブ、及び、流体制御装置

    公开(公告)号:JP2021181814A

    公开(公告)日:2021-11-25

    申请号:JP2020087906

    申请日:2020-05-20

    Abstract: 【課題】高温環境下においても大きな変位量を得ることができ、高温の流体が使用される半導体製造プロセス等に適した流体制御バルブを提供する。 【解決手段】弁座1と、前記弁座1に対して接離可能に設けられた弁体2と、前記弁体2を駆動する磁歪アクチュエータ3と、を備え、前記磁歪アクチュエータ3が、磁歪素子31と、前記磁歪素子31内に磁場を発生させるコイル32と、前記磁歪素子31の熱膨張によって、当該磁歪素子31に所定圧力以上の与圧を付与する熱膨張与圧機構35と、を備えた。 【選択図】図2

Patent Agency Ranking