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    レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
    4.
    发明专利
    レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021103236A

    公开(公告)日：2021-07-15

    申请号：JP2019234514

    申请日：2019-12-25

    申请人： 東京応化工業株式会社

    发明人： 村田 茉莉 ,  小島 孝裕 ,  吉井 靖博 ,  鈴木 陽介 ,  堀 洋一

    IPC分类号： G03F7/004 ,  C07C59/70 ,  C07C59/84 ,  C07C69/36 ,  C07C323/52 ,  C08F212/14 ,  G03F7/20 ,  G03F7/039

    摘要： 【課題】感度、ラフネスの低減性、解像性及び膜厚の面内均一性のいずれにも優れるレジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。 【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分(A1)と、一般式(d0)で表される化合物(D0)とを含有し、樹脂成分(A1)は、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位(a01)と、一般式(a02−1)で表される化合物から誘導される構成単位(a02)とを有し、固形分濃度が5質量%以下である、レジスト組成物。式(d0)中、Rd 0 は、1価の有機基である。Xd 0 は、−O−等である。Yd 0 は、単結合等である。M m+ は、m価の有機カチオンを表す。式(a02−1)中、Wは、重合性基含有基である。Wa x0 は、芳香族性を有する環状基である。n ax0 は、1〜3の整数である。 [化1] 【選択図】なし

    塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
    7.
    发明专利
    塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021070695A

    公开(公告)日：2021-05-06

    申请号：JP2020179217

    申请日：2020-10-26

    申请人： 住友化学株式会社

    发明人： 嶋田 雅彦 ,  市川 幸司

    IPC分类号： C07C309/17 ,  C07C309/12 ,  C09K3/00 ,  C07D307/00 ,  C08F8/00 ,  C08F212/14 ,  C08F220/18 ,  G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/20 ,  C07C381/12

    摘要： 【課題】良好な解像度を有するレジストパターンを製造することができる塩、酸発生剤及びレジスト組成物を提供することを目的とする。 【解決手段】式(I)で表される塩、酸発生剤及びレジスト組成物。 [式中、Q 1 及びQ 2 は、それぞれ独立に、フッ素原子又はペルフルオロアルキル基を表す。R 1 及びR 2 は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又はペルフルオロアルキル基を表す。zは0〜6の整数を表す。X 1 は、*−CO−O−、*−O−CO−、*−O−CO−O−又は*−O−を表し、*は、C(R 1 )(R 2 )又はC(Q 1 )(Q 2 )との結合部位を表す。L 1 は、単結合又は置換基を有してもよい炭化水素基を表す。R 3 は、水素原子又は飽和炭化水素基を表す。R 4 は飽和炭化水素基を表す。Z + は有機カチオンを表す。] 【選択図】なし

    塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
    8.
    发明专利
    塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021070693A

    公开(公告)日：2021-05-06

    申请号：JP2020179215

    申请日：2020-10-26

    申请人： 住友化学株式会社

    发明人： 中村 広夢 ,  市川 幸司

    IPC分类号： C09K3/00 ,  C07D309/30 ,  C07D307/33 ,  C07D407/12 ,  C08F220/18 ,  C08F212/14 ,  C08F8/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/038 ,  G03F7/20 ,  C07C381/12

    摘要： 【課題】良好なパターン倒れ耐性(PCM)のレジストパターンを製造することができる塩、酸発生剤及びレジスト組成物を提供することを目的とする。 【解決手段】式(I)で表される塩、酸発生剤及びレジスト組成物。 [式中、Q 1 及びQ 2 は、それぞれフッ素原子又はペルフルオロアルキル基を表す。R 1 及びR 2 は、それぞれ水素原子、フッ素原子又はペルフルオロアルキル基を表す。zは、0〜6の整数を表す。X 1 は、*−CO−O−、*−O−CO−、*−O−CO−O−又は*−O−を表す。L 1 は、単結合又は置換基を有してもよい炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる−CH 2 −は、−O−、−S−、−SO 2 −又は−CO−に置き換わっていてもよい。w11及びw21は、それぞれ0〜3の整数を表す。但し、w11+w21≧2である。R 3 は炭化水素基を表す。Z + は有機カチオンを表す。] 【選択図】なし

    塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
    9.
    发明专利
    塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021056504A

    公开(公告)日：2021-04-08

    申请号：JP2020158465

    申请日：2020-09-23

    申请人： 住友化学株式会社

    发明人： 安立 由香子 ,  向井 裕子 ,  市川 幸司

    IPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/20 ,  C07D327/06 ,  C07D335/02 ,  C08F212/14 ,  G03F7/004

    摘要： 【課題】良好なCD均一性(CDU)を有するレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供する。 【解決手段】ヒドロキシスチレン構造単位及び酸不安定基を有する構造単位を含む樹脂、硫黄原子を含む環状構造と置換基を有してもよい芳香単位が組み合わさってなるスルホニウムカチオン構造と、スルホン酸に隣接した連結鎖がフッ素原子又はペルフルオロ基で置換したメチレン連結鎖及び−COO−連結基を有するアニオン部を有する酸発生剤を含有するレジスト組成物。 【選択図】なし