公开(公告)号：JP6954334B2

公开(公告)日：2021-10-27

申请号：JP2019173455

申请日：2019-09-24

Applicant: 日新イオン機器株式会社

Inventor： ハフト サミ ケー ,  サッコ ジョージ ,  マシュー ファレル シー ,  ディーン ジオラス

IPC: H01L21/683

公开(公告)号：JP6922882B2

公开(公告)日：2021-08-18

申请号：JP2018244238

申请日：2018-12-27

Applicant: 日新イオン機器株式会社

Inventor： 西村 一平 ,  小野田 正敏

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/265 ,  H01J37/317

公开(公告)号：JP2021048355A

公开(公告)日：2021-03-25

申请号：JP2019171480

申请日：2019-09-20

Applicant: 日新イオン機器株式会社

Inventor： 高橋 元喜

IPC: H01L21/265 ,  C23C14/56 ,  C23C16/54 ,  H05F3/04 ,  H01L21/677

Abstract: 【課題】簡易な構成でガラス基板の帯電を抑制できる基板処理装置を提供する。 【解決手段】基板処理装置10は、ガラス基板Sに対して真空雰囲気で所定の処理を施す処理室11と、真空雰囲気と大気圧雰囲気を切り替えられ、ガラス基板を収容する少なくとも一つのロードロック室12と、少なくとも一つのロードロック室内にガラス基板の帯電を緩和せる帯電緩和ガスを導入するガス供給装置30と、ガラス基板がロードロック室から搬出され、処理を施されてロードロック室に搬入されるまでの間、ガラス基板を保持するホルダー20とを備える。ガラス基板が処理を施されてロードロック室に搬入された後、帯電緩和ガスを導入する。 【選択図】図1

公开(公告)号：JPD1671542S

公开(公告)日：2020-11-02

申请号：JPD201927141

申请日：2019-12-06

Applicant: 日新イオン機器株式会社

Designer： 川村 昌充

公开(公告)号：JP2020161336A

公开(公告)日：2020-10-01

申请号：JP2019059842

申请日：2019-03-27

Applicant: 日新イオン機器株式会社

Inventor： 高嶋 大樹 ,  西村 一平

IPC: H01J37/317 ,  H01L21/265 ,  H01J49/30

Abstract: 【課題】作業を大掛かりにすることなく、ビーム経路の清掃等のメンテナンスをできるようにする。 【解決手段】イオンビームIBを質量分離する質量分離器100であって、ビーム経路Lを取り囲む磁性体からなるヨーク13の構成要素であって、ビーム経路Lの上方、下方、又は側方に位置する上部ヨーク13a、下部ヨーク13b、又は側方ヨーク13c、dの少なくとも一方を、イオンビームIBの進行中における通常位置Pと、通常位置Pの少なくとも一部と重なり合わない退避位置Qとの間で移動させるための移動機構30とを具備するようにした。 【選択図】図3

公开(公告)号：JP2020145084A

公开(公告)日：2020-09-10

申请号：JP2019041271

申请日：2019-03-07

Applicant: 日新イオン機器株式会社

Inventor： 小野田 正敏 ,  後藤 亮介

IPC: H01J37/20 ,  H01L21/683 ,  H01L21/265 ,  C23C14/48 ,  C23C14/50 ,  H01J37/317

Abstract: 【課題】大型な基板であっても、その全体を可及的に少ない消費電力で加熱できるようにする。 【解決手段】基板WにイオンビームIBが照射されて当該基板Wが処理される処理室S1と、処理室S1内において、イオンビームIBを横切るように基板Wを走査する走査機構22と、基板Wの走査方向と交差する第1配列方向に沿って処理室S1内に設けられた複数のヒータ30とを具備し、走査機構22が、複数のヒータ30を横切るように基板Wを走査するように構成されており、基板Wと略同一の熱透過率を有し、走査方向と交差する第2配列方向に沿った複数箇所に設けられた小片1の温度を測定する温度測定機構40をさらに具備するようにした。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2020140920A

公开(公告)日：2020-09-03

申请号：JP2019037302

申请日：2019-03-01

Applicant: 日新イオン機器株式会社

Inventor： 足立 昌和 ,  平井 裕也 ,  谷口 智哉

IPC: H01J27/02 ,  H01J37/08

Abstract: 【課題】 広範囲にわたって電極表面にイオンビームを照射して、電極上の堆積物を除去する。 【解決手段】 プラズマ容器2下流に配置された抑制電極3にクリーニングガスから生成されたイオンビームIBを照射して、抑制電極3をクリーニングするイオン源1で、プラズマ容器2と抑制電極3の距離を調整する駆動機構5を有し、クリーニングに先立って、駆動機構5を制御して第1の方向へ抑制電極3かプラズマ容器2を移動させ、プラズマ容器2と抑制電極3との距離を広げる制御装置Cを備えている。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2020068161A

公开(公告)日：2020-04-30

申请号：JP2018201465

申请日：2018-10-26

Applicant: 日新イオン機器株式会社

Inventor： 足立 昌和 ,  酒井 滋樹 ,  平井 裕也 ,  村山 喬之 ,  谷口 智哉 ,  趙 維江

IPC: H01J27/08 ,  H01L21/265 ,  H01J37/08

Abstract: 【課題】引出電極に反応物が堆積するのを抑制し、イオン源の長期安定稼働を実現する。 【解決手段】イオン源1は、内部にハロゲン含有原料が供給されるプラズマ生成室2と、プラズマ生成室2のイオンビームが引き出される側の端部に取り付けられる板体3と、板体3の下流に配置される引出電極Eと、を有し、板体3にはガス供給路7が形成されていて、ガス供給路7を通じて引出電極Eに水素ガスが供給される。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2020042959A

公开(公告)日：2020-03-19

申请号：JP2018168635

申请日：2018-09-10

Applicant: 日新イオン機器株式会社

Inventor： 藤本 龍吾 ,  國立 圭一

IPC: H01L21/265 ,  B01J3/00 ,  H01J37/30

Abstract: 【課題】ランプヒータやフィラメント等の発熱体を使わずに、広範囲に真空容器壁面を加熱することで、壁面に付着した水成分を飛ばすことのできるイオンビーム照射装置を提供する。 【解決手段】装置メンテナンスなどで大気開放した装置を復帰させた後、装置内でターゲット基板を処理するのに先立って、イオンビームの輸送路を成す真空容器3の壁面にイオンビームを走査し加熱することで、壁面に付着した水成分を蒸発させるイオンビーム照射装置。 【選択図】図2

公开(公告)号：JP2020024894A

公开(公告)日：2020-02-13

申请号：JP2018149841

申请日：2018-08-09

Applicant: 日新イオン機器株式会社

Inventor： 鍬田 雄介

IPC: H01J37/04 ,  H01J37/30 ,  G21K1/14 ,  H01J37/317

Abstract: 【課題】ビームブローアップを抑制するためのイオンビーム中和用ガス量の節約が可能な方法とイオン注入装置を提供する。 【解決手段】 イオン源に導入されるドーパントガスのプラズマから引出電極によって引き出されるイオンビームにおいて、前記ドーパントガスがハロゲン含有である場合、イオンビーム軌道に中和用ガスを供給せず、前記ドーパントガスがハロゲン含有でない場合、イオンビーム軌道に中和用ガスを供給しイオンビームを中和する。 【選択図】図1