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公开(公告)号：KR102235340B1
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：KR1020190134496A
申请日：2019-10-28
申请人： 충남대학교 산학협력단
IPC分类号： C12Q1/6888
CPC分类号： C12Q1/6888 , C12Q2600/124 , C12Q2600/156
摘要： 본 발명은
TBC1D1 유전자 내 SNP(single nucleotide polymorphism) 다형성에 기반한 토종닭의 성장 형질을 예측하기 위한 KASP(kompetitive allele specific PCR)용 프라이머 세트 및 이의 용도에 관한 것으로, 본 발명에 따른 프라이머 세트를 이용하면, 토종닭의 체중, 증체량 및 도체중과 같은 경제성과 관련한 성장 형질을 조기에 예측할 수 있을 것으로 기대된다.-
公开(公告)号：KR102235332B1
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：KR1020190136934A
申请日：2019-10-30
申请人： 충남대학교 산학협력단
发明人： 조종기 , 김민정 , 야르 카마르 아마드 , 방훈
CPC分类号： C12N5/061 , A01N1/0221 , C12N2500/84
摘要： 본 발명은 중간엽줄기세포의 조정 배지 유래 엑소좀을 유효성분으로 포함하는 개과 동물의 정액 동결보존용 조성물에 관한 것으로, 본 발명의 동결보존용 조성물은 개과 동물의 정액에 대해 동결융해 후에 정자의 운동성, 생존율, 정자막 안정성 및 점액질 통과능을 향상시키는 효과가 우수하므로, 개과 동물의 종 개량 또는 혈통 보존 등을 위한 체외 번식기술에 유용하게 활용될 수 있을 것이다.
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公开(公告)号：KR102225125B1
公开(公告)日：2021-03-10
申请号：KR1020190148271A
申请日：2019-11-19
申请人： 충남대학교 산학협력단
CPC分类号： A61B5/0026 , A61B5/0004 , A61B5/0031 , A61B5/076 , A61B5/369 , A61B5/6868 , A61B2562/168 , A61B2562/18
摘要： 본 발명은 삽입형 안테나의 소형화와 안테나의 방사 효율 및 이득 특성을 향상하기 위해 초순수(UPW) 기반의 유전체를 인체 삽입 안테나의 절연층으로 사용하고, L자형 개방 스터브(stub)가 구비되는 광대역 급전 선로를 통해 초광대역을 아우르는 안테나의 정합 특성을 확보할 수 있는 초순수 기반 절연체가 적용된 뇌삽입 안테나에 관한 것이다. 본 발명의 실시 예에 따른 초순수 기반 절연체가 적용된 뇌삽입 안테나는 상단 안테나 하우징, 절연층, 슬롯 안테나, RF 기판, 광대역 급전 선로 및 하단 안테나 하우징을 포함할 수 있다. 상기 상단 안테나 하우징과 하단 안테나 하우징은 생체 적합성 재료(biocompatible material)로 이루어져 이물질의 유입을 차단한다. 상기 절연층은 초저손실(extremely low lossy) 매질인 초순수(UPW, Ultrapure water) 또는 증류수 기반의 유전체로 형성되어 상기 상단 안테나 하우징과 슬롯 안테나 사이에 배치된다. 상기 슬롯 안테나는 원형의 도전성 금속으로 형성되어 RF 기판 상에 배치되고, 상기 슬롯 안테나의 내측에는 직사각형의 슬롯(Slot)이 구비된다. 상기 광대역 급전 선로는 상기 슬롯 안테나의 임피던스(impedance) 정합 특성과 효율적인 방사 모드를 야기 시키기 위해 도전성 금속의 마이크로스트립 선로(microstrip line)로 형성되어 상기 RF 기판의 하단에 배치되고, 임피던스(impedance)의 정합을 위해 선로의 단부에 2개의 L자형 개방 스터브(stub)가 좌우 대칭적으로 구비된다.
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公开(公告)号：KR102222813B1
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：KR1020190115122A
申请日：2019-09-19
申请人： 충남대학교 산학협력단
IPC分类号： H01L27/11 , G11C11/412
CPC分类号： H01L27/1104 , G11C11/412 , H01L27/1116
摘要： 본 발명은 6T SRAM(Static random access memory)의 휘발성(Volatile) 특성과 낮은 집적도를 개선하여 동작 속도가 빠르면서 전원이 차단된 후에도 정보가 사라지지 않고 유지되며, 고집적도를 갖는 3차원 플래시메모리가 도입된 6T 비휘발성 SRAM에 관한 것이다. 본 발명에 따른 3차원 플래시메모리가 도입된 6T 비휘발성 SRAM은 기판 상에 3차원으로 적층되는 리피트(Repeat) 블록과 억세스 블록을 포함할 수 있다. 상기 리피트 블록은 제1 인버터와 제2 인버터가 인버터 래치(latch)를 이루어 기판 상에 형성된다. 또한, 상기 제1 인버터는 제1 풀업(pull up) 트랜지스터에 연결되는 제1 풀다운(pull down) 트랜지스터(220)로 형성된다. 또한, 제2 인버터는 제2 풀업(pull up) 트랜지스터에 연결되는 제2 풀다운(pull down) 트랜지스터로 형성된다. 또한, 상기 억세스 블록은 두 개의 비휘발성(Non-volatile) 메모리 소자로 이루어져 상기 리피트 블록 상에 수직으로 적층 된다. 또한, 상기 억세스 블록은 제1 인버터의 출력과 비트라인 노드 사이에 연결되는 제1 억세스 트랜지스터(Access Transistor)와, 상기 제2 인버터의 출력과 비트라인바 노드 사이에 연결되는 제2 억세스 트랜지스터(Access Transistor)를 포함할 수 있다.
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