-
公开(公告)号：JP2020118522A
公开(公告)日：2020-08-06
申请号：JP2019009028
申请日：2019-01-23
申请人： ROHM CO LTD
发明人： USUI HIROTOSHI , KATO TAKENORI
IPC分类号： G01B7/00
摘要： 【課題】安価に、および/または正確に、機械的な状態を検出可能な位置検出装置を提供する。【解決手段】位置検出装置100は、所定の運動を繰り返す機構200とともに使用される。抵抗体110は、機構の可動部220に設けられた接触部230の軌道に沿って、接触部230と接触可能に設けられる。コントローラ120は、抵抗体110の電気的状態にもとづいて、接触部230の位置を検出する。【選択図】図1
-
公开(公告)号：JP2020092341A
公开(公告)日：2020-06-11
申请号：JP2018228802
申请日：2018-12-06
申请人： ROHM CO LTD
发明人： KOKUSHO YUICHI
摘要： 【課題】測定対象電圧のAD変換結果を得るための回路又は動作の異常を検知する。【解決手段】複数のチャネル分の測定対象電圧(VIN[1]〜VIN[n])のAD変換を行うAD変換装置は、チャネルごとに測定対象電圧又は基準電圧に応じたアナログ電圧信号(VA[1]〜VA[n])を出力するアナログ処理部(10)を備えると共に、複数のアナログ電圧信号を選択的にAD変換するAD変換ブロックとしてメインAD変換ブロック(20M、30M)及びサブAD変換ブロック(20S、30S)を備える。デジタル処理部(40)は、メイン及びサブAD変換ブロックで得られる原デジタル信号(VDO_M及びVDO_S)を補正した信号(VDF_M及びVDF_S)を対比することで異常の有無を判定する。補正のためのパラメータは、基準電圧に応じたアナログ電圧信号のAD変換結果に基づき設定される。【選択図】図1
-
公开(公告)号：JP2020092108A
公开(公告)日：2020-06-11
申请号：JP2018226372
申请日：2018-12-03
申请人： ROHM CO LTD
发明人： KANDA SOUZU
IPC分类号： H01L23/40 , H01L23/373
摘要： 【課題】支持層と配線層との接合信頼性の向上を図ることが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】厚さ方向zにおいて互いに反対側を向く主面10Aおよび裏面10Bを有する支持層10と、主面10Aに接合された配線層20と、厚さ方向zにおいて配線層20に対して支持層10とは反対側に位置し、かつ配線層20に接合された半導体素子40と、主面10Aと配線層20との間に介在する接合層19と、を備え、配線層20は、接合層19を介した分子接合により主面10Aに接合されている。【選択図】図12
-
公开(公告)号：JP2020091308A
公开(公告)日：2020-06-11
申请号：JP2018226407
申请日：2018-12-03
申请人： ROHM CO LTD
发明人： USUI HIROTOSHI
摘要： 【課題】新しいインタフェースを備えるカメラを提供する。【解決手段】カメラ100は、シャッターボタン102や軍艦部106を備える。軍艦部106には、ひとつまたは複数のシート状スイッチ120が設けられる。シート状スイッチ120は、抵抗膜式あるいは静電容量式のスイッチやパネルである。【選択図】図1
-
公开(公告)号：JP2019092303A
公开(公告)日：2019-06-13
申请号：JP2017219784
申请日：2017-11-15
申请人： ROHM CO LTD
发明人： YAMAMOTO SEIICHI
IPC分类号： H02M3/07 , H01L21/822 , H01L27/04
摘要： 【課題】動作安定性の高い負昇圧チャージポンプを提供する。【解決手段】負昇圧チャージポンプ1は、それぞれ電荷転送トランジスタM11〜M15を含む負昇圧ユニット10〜50と、電荷転送トランジスタM11〜M15それぞれのバックゲートの接続先をドレイン及びソースのいずれか低電位側に切り替える低電位ホールド回路110〜150と、電荷転送トランジスタM11〜M15それぞれのバックゲートとドレイン(またはソース)との間に接続されて電荷転送トランジスタM11〜M15と共にオン/オフされるホールド補助トランジスタM41〜M45と、を有し、接地電圧VSSよりも低い負の出力電圧VNを生成する。なお、負昇圧ユニット10〜50は、接地電圧VSSの入力端と出力電圧VNの出力端との間に直列接続されており、位相の異なる4相のクロック信号CLK1〜CLK4を用いて駆動される。【選択図】図7
-
公开(公告)号：JP2019091917A
公开(公告)日：2019-06-13
申请号：JP2019015870
申请日：2019-01-31
申请人： ROHM CO LTD
发明人： NAGAHATA TAKANARI
IPC分类号： H01L41/319 , B41J2/14 , H01L41/047 , H01L41/09 , H01L41/318 , H01L41/43
摘要： 【課題】安定した圧電特性を有する圧電体膜を提供する。【解決手段】圧電体膜8は、下部電極7の表面に形成された密着層101と、密着層101上に形成された第1のシード層102と、第1のシード層102上に積層された複数の本焼成単位のPZT層103〜106と、本焼成単位のPZT106の表面上に形成された第2のシード層107と、第2のシード層107の表面上に形成された複数の本焼成単位のPZT層108〜112とを備えている。シード層102,107は、たとえば、PZTからなるPZTシード層またはTiOからなるTiOシード層から構成される。【選択図】図10
-
公开(公告)号：JP2019022303A
公开(公告)日：2019-02-07
申请号：JP2017138159
申请日：2017-07-14
申请人： ROHM CO LTD
IPC分类号： H02M3/28
摘要： 【課題】回路保護の性能を高めたDC/DCコンバータおよびその制御回路を提供する。【解決手段】パルス変調器210は、DC/DCコンバータ100の出力の状態にもとづいて、スイッチングトランジスタM1を制御するためのパルス信号SPを生成する。ドライバ230は、パルス信号SPにもとづいてスイッチングトランジスタM1を駆動する。第1保護回路250は、スイッチングトランジスタM1に流れる電流IM1を示す電流検出信号VCSを受け、スイッチングトランジスタM1のオフ期間における電流検出信号VCSと所定の第1しきい値VTH1との大小関係にもとづいて保護スイッチM2を制御する。【選択図】図2
-
公开(公告)号：JP2019022136A
公开(公告)日：2019-02-07
申请号：JP2017140755
申请日：2017-07-20
申请人： ROHM CO LTD
发明人： TSUJI MASANOBU
IPC分类号： H03K5/153
摘要： 【課題】低電圧で動作可能な位相補間器を提供する。【解決手段】初期化回路710は、第1信号S1と第2信号S2がともに第1レベルである期間、キャパシタC1の電圧VC1を初期化する。複数の回路ユニット720は、中間ライン706と第2ライン704の間に並列に接続される。出力回路730は、キャパシタC1の電圧VC1が所定のしきい値VTHとクロスすると、レベルが変化する出力信号SOUTを生成する。各回路ユニット720は、中間ライン706と第2ライン704の間に直列に設けられる抵抗Rgおよび第1経路724と、第1経路724と並列な第2経路726を含む。第1経路724は、第1信号S1が第2レベルであり、かつ入力コードの対応するビットが第1値であるときオンとなるよう構成され、第2経路726は、第2信号S2が第2レベルであり、かつ入力コードの対応するビットが第2値であるときオンとなる。【選択図】図1
-
公开(公告)号：JP2019004556A
公开(公告)日：2019-01-10
申请号：JP2017115783
申请日：2017-06-13
申请人： ROHM CO LTD
发明人： KONDO KIYOSHI
摘要： 【課題】幅広い電流範囲で動作可能な電流調節回路を提供する。【解決手段】第1トランジスタM1は、調節対象の電流I1が流れる経路に設けられる。第2トランジスタM2は、第1トランジスタM1とともにカレントミラー回路114を形成する。安定化回路118は、第2トランジスタM2の動作点を第1トランジスタM1の動作点に揃える。トランジスタコントローラ130は、第1トランジスタM1の制御端子に供給すべき制御電圧を、抵抗116の電圧降下に応じた電流検出信号VCSにもとづいて調節する。第1トランジスタM1は、並列に接続された複数のトランジスタ素子Trを含み、複数のトランジスタ素子Trの少なくともひとつは、有効、無効が切りかえ可能に構成される。調節対象の電流のレンジに応じて、複数のトランジスタ素子Trの少なくともひとつそれぞれの有効、無効が制御される。【選択図】図2
-
公开(公告)号：JP2019004137A
公开(公告)日：2019-01-10
申请号：JP2018087093
申请日：2018-04-27
申请人： ROHM CO LTD
发明人： HAGA MOTOHARU
IPC分类号： H01L21/60
摘要： 【課題】複数種類のワイヤを用い、これらのワイヤの接合強度のばらつきを抑制することができる半導体装置、および、その製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置は、半導体素子11、12と、被接合体(リードフレーム)と、第1ワイヤ31と、ワイヤ片4と、第2ワイヤ32と、を含む。被接合体は、半導体素子に導通する。第1ワイヤの材質は、第1金属である。第1ワイヤは、被接合体に接合された第1ボンディング部および第1ボンディング部から延びる第1線状部313を含む。ワイヤ片は、材質が第1金属である。ワイヤ片は、被接合体に接合されている。第2ワイヤの材質は、第1金属とは異なる第2金属である。第2ワイヤは、ワイヤ片を介して被接合体に接合された第2ボンディング部321および第2ボンディング部から延びる第2線状部323を含む。【選択図】図3
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
13555 条记录 (耗时 0.054 秒)
