環境制御型SEMガス注入システム
    2.
    发明专利
    環境制御型SEMガス注入システム 有权
    环境控制型SEM气体注入系统

    公开(公告)号:JP2015524987A

    公开(公告)日:2015-08-27

    申请号:JP2015525521

    申请日:2013-07-30

    IPC分类号: H01J37/28 H01J37/301

    摘要: ガス注入システムは、2次電子によってイオン化されて試料表面の電荷を中和するのに十分なガス濃度を有する局所領域を、試料表面に提供する。いくつかの実施形態では、ガス集中構造体が表面の近くにガスを集中する。ガス集中構造体の任意選択の穴が、シュラウド包囲領域の内側に荷電粒子ビームが衝撃することを可能にする。いくつかの実施形態では、表面の近くに配置された陽極が、加工物表面へ戻って電荷を中和するイオンの数を増加させる。いくつかの実施形態では陽極がガス注入システムの一部であり、いくつかの実施形態では陽極が別個の構造体である。

    摘要翻译: 气体注入系统的,局部具有足够的气体浓度来中和电荷的由样品表面离子化,提供了一种在样品表面上的区域中的二次电子。 在一些实施方案中,气体浓度结构以浓缩气体表面附近。 中气体浓度的结构,周围区域带电粒子束护罩内可选的孔是有可能冲击。 在实施方案中几个,位于表面附近的阳极,以增加离子的数量,以中和电荷返回到工件表面上。 阳极在一些实施例中为气体喷射系统,在一些实施方案中的阳极分离结构的一部分。