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公开(公告)号:JP5654009B2
公开(公告)日:2015-01-14
申请号:JP2012514151
申请日:2010-06-03
Inventor: ランガラジャン、ラジャゴパラン , ミシュラ、チンマヤ , バガット、マウリン , ジン、ジャン
CPC classification number: H03B21/00 , H01L23/49816 , H01L23/645 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16225 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/19015 , H01L2924/3011 , H01L2224/05599
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公开(公告)号:JP2016524432A
公开(公告)日:2016-08-12
申请号:JP2016525604
申请日:2014-07-30
Inventor: ジン、ジャン , ユーセフ、アーメド・エー , チャン、リ−チュン
Abstract: 構成可能な相互結合ソースディジェネレーションインダクタを持つ増幅器が開示される。ある例示的な設計では、装置(例えば、無線デバイスまたは集積回路)が、増幅器を実現し得る、利得トランジスタおよび複数のインダクタを含む。利得トランジスタは入力信号を受け取って増幅信号を提供する。複数のインダクタは相互結合され、利得トランジスタに結合され、利得トランジスタのためのソースディジェネレーションインダクタンスを提供する。これらインダクタは正のカップリング係数を有することができ、より大きいソースディジェネレーションインダクタンスを提供できる。代替的に、これらインダクタは負のカップリング係数を有することができ、より小さいソースディジェネレーションインダクタンスを提供できる。【選択図】図4
Abstract translation: 与配置互连放大器源退化电感器被公开。 在一个示范性设计中,一种设备(例如,无线设备或集成电路),可实现放大器,包括增益晶体管和多个电感器。 增益晶体管提供接收到的输入信号的放大的信号。 多个电感器相互耦合,被耦合到所述增益晶体管,提供了用于增益晶体管中的源极退化电感。 这些电感器可以具有正耦合系数,因此能够提供更大的源极退化电感。 可替代地,电感器可具有负耦合系数可以提供更小的源极退化电感。 点域4
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公开(公告)号:JP2012529245A
公开(公告)日:2012-11-15
申请号:JP2012514151
申请日:2010-06-03
Applicant: クゥアルコム・インコーポレイテッドQualcomm Incorporated
Inventor: ジン、ジャン , バガット、マウリン , ミシュラ、チンマヤ , ランガラジャン、ラジャゴパラン
CPC classification number: H03B21/00 , H01L23/49816 , H01L23/645 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16225 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/19015 , H01L2924/3011 , H01L2224/05599
Abstract: 広帯域周波数発生器は、フリップチップパッケージ内の同一のダイに配置された異なる周波数帯域のための2つ以上の発振器を有する。 2つの発振器の誘導子間の結合は、一方の誘導子がダイに配置され、他方の誘導子がパッケージに配置され、これら誘導子がハンダバンプの直径によって離されることで、減少させられる。 弱結合されたこれら誘導子では、一方の発振器の帯域を増加させるために他方の発振器のLCタンク回路の操作をしたり、その逆を行ったりできる。 一方の発振器の振動の好ましくないモードを防ぐことは、他方の発振器の粗同調バンクの全容量といった大容量を他方の発振器のLCタンク回路に与えることによって達成され得る。 好ましくないモードを防ぐことは、他方の発振器のLCタンクのQファクタを減少させ、タンク回路内の損失を増加させることによっても達成され得る。
【選択図】図1B-
公开(公告)号:JP2011518433A
公开(公告)日:2011-06-23
申请号:JP2011503225
申请日:2009-04-03
Applicant: クゥアルコム・インコーポレイテッドQualcomm Incorporated
Inventor: ジン、ジャン
IPC: H01L21/822 , H01F17/02 , H01F27/36 , H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L27/04
CPC classification number: H01L23/5227 , H01F17/0006 , H01F2017/008 , H01L23/5225 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: パターン化された接地平面を有するインダクタが、説明される。 一設計においては、インダクタは、第1の層上に形成された導体と、その導体の下の第2の層上に形成されたパターン化された接地平面と、を含む。 パターン化された接地平面は、オープンな中心エリアと、導体の形状に整合した形状と、を有する。 パターン化された接地平面は、複数のシールド、例えば、八角形の形状の導体の8つの辺についての8つのシールド、を含んでいる。 各シールドは、導体に垂直に形成された複数のスロットを有する。 パターン化された接地平面を別個のシールドへと分割することと、各シールド上にスロットを形成することとは、パターン化された接地平面上の渦電流の流れを防止するのに役立ち、これは、インダクタのQを改善することができる。 複数の相互接続は、複数のシールドを回路接地へと結合し、この回路接地は、導体の中心に位置することができる。
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公开(公告)号:JP2013512587A
公开(公告)日:2013-04-11
申请号:JP2012542170
申请日:2010-12-01
Applicant: クゥアルコム・インコーポレイテッドQualcomm Incorporated
Inventor: ジン、ジャン , ハドジクリストス、アリストテレ , リー、オクゴ , ヤン、ホンヤン , クレメンス、ガイ , バガット、マウリン・ピー. , マイヤーズ、トーマス , フレデリック、ノーマン・エル. , デン、ジュンション , タシック、アレクサンダー , アスリ、ブシャン・エス. , ファラジアン、モハンマド
IPC: H01L25/00 , H01F17/00 , H01L21/822 , H01L27/04
CPC classification number: H01L25/16 , H01F17/0006 , H01F27/40 , H01L23/645 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 集積回路が説明される。 集積回路は、インダクタの中心に大きなエンプティエリアを有するインダクタを含む。 集積回路はまた、付加的回路を含む。 付加的回路は、インダクタの中心の大きなエンプティエリア内に位置する。 付加的回路は、キャパシタバンク、トランジスタ、静電放電(ESD)保護回路及び他の種々のパッシブ或いはアクティブ回路を含むかもしれない。
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