公开(公告)号：JP6980662B2

公开(公告)日：2021-12-15

申请号：JP2018533121

申请日：2016-12-21

申请人： コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク・エ・オ・エネルジ・アルテルナテイブ ,  イソルグ ,  トリクセル

发明人： ベンワディ,モハメッド ,  シャルロ,シモン ,  ロラン,ジャン−イブ ,  ベリヤック,ジャン−マリー ,  ベルトッド,エムリーヌ ,  ロール,ピエール

IPC分类号： H01L51/42

公开(公告)号：JP2019501531A

公开(公告)日：2019-01-17

申请号：JP2018533121

申请日：2016-12-21

申请人： コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク・エ・オ・エネルジ・アルテルナテイブ ,  イソルグ ,  トリクセル

发明人： ベンワディ,モハメッド ,  シャルロ,シモン ,  ロラン,ジャン−イブ ,  ベリヤック,ジャン−マリー ,  ベルトッド,エムリーヌ ,  ロール,ピエール

IPC分类号： H01L51/42

摘要： 電気絶縁基板(2)上に配置される層の積層体を備える光電子デバイス(1)であって、仕事関数Φ 1 の材料から作られた少なくとも1つのカソード(3)と、上記カソード(3)の上に配置され、かつ仕事関数φ 2 およびシート抵抗Rの材料から作られる1つの電子捕集層(4)と、少なくとも1つのp型有機半導体であって、そのエネルギー準位がHO1である、少なくとも1つのp型有機半導体を備える1つの活性層(5)とを含む光電子デバイス(1)において、上記電子捕集層(3)の上記仕事関数φ 2 と上記活性層(5)の上記エネルギー準位HO1とが、上記カソード(3)から上記活性層(5)への正孔の注入を阻止し得るポテンシャル障壁を形成し、および上記電子捕集層(4)の上記シート抵抗Rが10 8 Ω以上であることを特徴とする、光電子デバイス(1)。