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公开(公告)号:JP2009520861A
公开(公告)日:2009-05-28
申请号:JP2008546489
申请日:2006-12-22
Applicant: コミツサリア タ レネルジー アトミーク
Inventor: エロール・ブラート , コラリ・フアナール , ピエリック・ビュヴァ , ファブリス・オドベル
CPC classification number: H01L51/0086 , C07D213/53 , C07F15/0053 , H01L51/0035 , H01L51/0036 , H01L51/0068 , H01L51/4226 , Y02E10/549
Abstract: 化学式(I)の錯体であって
‐Fは半導性多孔質酸化セラミックの基板に化学的なグラフトを可能にする一つまたはそれ以上の基を表し、
‐Sは半導性多孔質酸化セラミックに対する増感基を表し、
‐Cは導電性ポリマーであり、
‐Eは増感体Sを導電性ポリマーから電気的に絶縁することを可能にする非共役スペーサ基、であることを特徴とする錯体。
それらの製造方法。
化学式(I)の錯体が化学的にグラフトされる多孔質酸化セラミックの基板を備えるpn型半導体無機/有機ハイブリッド物質。
前記物質を備える光電池。