公开(公告)号：JP2009520861A

公开(公告)日：2009-05-28

申请号：JP2008546489

申请日：2006-12-22

Applicant: コミツサリア タ レネルジー アトミーク

Inventor： エロール・ブラート ,  コラリ・フアナール ,  ピエリック・ビュヴァ ,  ファブリス・オドベル

IPC: C09B57/10 ,  C07F15/00 ,  C08G61/12 ,  C09K3/00 ,  H01L31/04 ,  H01M14/00

CPC classification number: H01L51/0086 ,  C07D213/53 ,  C07F15/0053 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/4226 ,  Y02E10/549

Abstract: 化学式（Ｉ）の錯体であって

‐Ｆは半導性多孔質酸化セラミックの基板に化学的なグラフトを可能にする一つまたはそれ以上の基を表し、
‐Ｓは半導性多孔質酸化セラミックに対する増感基を表し、
‐Ｃは導電性ポリマーであり、
‐Ｅは増感体Ｓを導電性ポリマーから電気的に絶縁することを可能にする非共役スペーサ基、であることを特徴とする錯体。
それらの製造方法。
化学式（Ｉ）の錯体が化学的にグラフトされる多孔質酸化セラミックの基板を備えるｐｎ型半導体無機／有機ハイブリッド物質。
前記物質を備える光電池。