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公开(公告)号：JP2021515351A
公开(公告)日：2021-06-17
申请号：JP2020542795
申请日：2019-02-15
Applicant: サイプレス セミコンダクター コーポレーション , Cypress Semiconductor Corporation
Inventor： アラン デビルビス , ジョナサン ラクマン
IPC: G11C11/22
Abstract: 半導体メモリデバイス及びその動作方法を提供する。この動作方法は、強誘電体メモリセルを読出し動作用に選択するステップと、第1パルス信号を結合して、選択した強誘電体メモリセルを調べるステップであって、選択した強誘電体メモリセルが第1パルス信号に応答してメモリ信号をビット線へ出力するステップと、メモリ信号を、ビット線を通してセンス増幅器の第1入力端子に結合するステップと、選択した強誘電体メモリセルからセンス増幅器を電気絶縁するステップと、選択した強誘電体メモリセルからセンス増幅器が電気絶縁された後に、センス増幅器をセンシング用にイネーブル状態にするステップとを含む。他の実施形態も開示する。
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