公开(公告)号：JP2018509643A

公开(公告)日：2018-04-05

申请号：JP2017536574

申请日：2016-02-03

Applicant: サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド ,  カリフォルニア インスティテュート オブ テクノロジー

Inventor： ハン,スンフン ,  ファン,ヤオ−ウェイ ,  アトウォーター,ハリー,エー. ,  リ,ホ,ワイ ,  ソーコヤン,ルザン ,  パパダキス,ジョージア ,  スアガラジャン,クリシュナン

IPC: G02F1/01 ,  B82Y20/00 ,  G02F1/29

CPC classification number: G02B5/008 ,  G02F1/0018 ,  G02F1/01 ,  G02F1/19 ,  G02F1/292 ,  G02F2203/10 ,  G02F2203/11 ,  G02F2203/50

Abstract: プラズモニック・ナノアンテナ層、プラズモニック・ナノアンテナ層と対向するように配置された金属層、プラズモニック・ナノアンテナ層と金属層との間に配置される誘電率変化層、及び誘電体層を含み、外部信号によって、誘電率変化層に形成される活性領域が光変調性能を制御するゲート役割を行う光変調素子である。

公开(公告)号：JP6849597B2

公开(公告)日：2021-03-24

申请号：JP2017536574

申请日：2016-02-03

Applicant: サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド ,  カリフォルニア インスティテュート オブ テクノロジー

Inventor： ハン,スンフン ,  ファン,ヤオ−ウェイ ,  アトウォーター,ハリー,エー. ,  リ,ホ,ワイ ,  ソーコヤン,ルザン ,  パパダキス,ジョージア ,  スアガラジャン,クリシュナン

IPC: G02F1/29 ,  B82Y20/00 ,  G02F1/03