公开(公告)号：JP2014534617A

公开(公告)日：2014-12-18

申请号：JP2014533688

申请日：2012-09-26

Applicant: サンパワー コーポレイション ,  サンパワー コーポレイション

Inventor： ウ、カーン、シー． ,  クラフト、スティーヴン、エム ,  ロスカトフ、ポール ,  モレサ、スティーブ、エドワード

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/22 ,  H01L21/225

CPC classification number: H01L31/182 ,  H01L31/028 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521

Abstract: 太陽電池の製造方法が開示される。この方法は、シリコン基板上に耐エッチング性ドーパント材料を堆積させる工程であって、耐エッチング性ドーパント材料がドーパント源を含む、工程と、耐エッチング性ドーパント材料の非熱硬化を使用して耐エッチング性ドーパント材料内に架橋マトリックスを形成する工程と、ドーパント源をシリコン基板に拡散させるに足る温度まで、シリコン基板及び耐エッチング性ドーパント材料を加熱する工程と、を含む。【選択図】図5

Abstract translation: 公开了一种用于制造太阳能电池的方法。 该方法包括沉积在硅衬底上的耐蚀刻掺杂剂材料的步骤中，抗腐蚀的掺杂剂材料使用耐蚀刻掺杂剂材料的非热固化包括掺杂剂源，工艺和耐蚀刻性 以及形成在交联基质中的性掺杂剂材料，该掺杂剂源的温度足以扩散到硅衬底中，并且加热所述硅衬底和抗腐蚀掺杂材料。 点域5

公开(公告)号：JP2018011066A

公开(公告)日：2018-01-18

申请号：JP2017156670

申请日：2017-08-14

Applicant: サンパワー コーポレイション

Inventor： ウ、カーン、シー. ,  クラフト、スティーヴン、エム ,  ロスカトフ、ポール ,  モレサ、スティーブ、エドワード

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L31/182 ,  H01L31/028 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521

Abstract: 【課題】太陽電池の製造プロセス中のシリコン基板におけるドープ拡散領域形成において、ドープのための加熱行程におけるドーパントペーストからの質量損失現象又はガス放出を低減する。 【解決手段】太陽電池の製造方法において、シリコン基板104の表面に、ドーパント源120、122を含む耐エッチング性ドーパント材料110、112を堆積する工程と、非熱硬化150(紫外線など)を暴露し、耐エッチング性ドーパント材料内に架橋マトリックスを形成する工程と、ドーパント源をシリコン基板に拡散させるに足る温度まで、シリコン基板及び耐エッチング性ドーパント材料を加熱する工程と、を含む。 【選択図】図2