公开(公告)号：JP6363840B2

公开(公告)日：2018-07-25

申请号：JP2014009987

申请日：2014-01-23

Applicant: チャンジョウ アルマデン カンパニー リミテッド

Inventor： リン,ジンシー ,  リン,ジンハン ,  リン,ユティン

IPC: H01L31/048

CPC classification number: H01L31/182 ,  B29C45/14819 ,  B29C2045/14942 ,  H01L31/042 ,  H01L31/048 ,  H01L31/0481 ,  H01L31/0488 ,  Y02E10/542

公开(公告)号：JP6352940B2

公开(公告)日：2018-07-04

申请号：JP2015549587

申请日：2013-12-17

Applicant: サンパワー コーポレイション

Inventor： ロスカトフ、ポール ,  リム、セウン

IPC: H01L31/068

CPC classification number: H01L31/182 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/022458 ,  H01L31/028 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547

公开(公告)号：JP6352233B2

公开(公告)日：2018-07-04

申请号：JP2015217011

申请日：2015-11-04

Applicant: エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド

Inventor： チ クァンソン ,  チョン チンウォン ,  リ ユジン

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/068

CPC classification number: H01L31/1872 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

公开(公告)号：JP2018011066A

公开(公告)日：2018-01-18

申请号：JP2017156670

申请日：2017-08-14

Applicant: サンパワー コーポレイション

Inventor： ウ、カーン、シー. ,  クラフト、スティーヴン、エム ,  ロスカトフ、ポール ,  モレサ、スティーブ、エドワード

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L31/182 ,  H01L31/028 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521

Abstract: 【課題】太陽電池の製造プロセス中のシリコン基板におけるドープ拡散領域形成において、ドープのための加熱行程におけるドーパントペーストからの質量損失現象又はガス放出を低減する。 【解決手段】太陽電池の製造方法において、シリコン基板104の表面に、ドーパント源120、122を含む耐エッチング性ドーパント材料110、112を堆積する工程と、非熱硬化150(紫外線など)を暴露し、耐エッチング性ドーパント材料内に架橋マトリックスを形成する工程と、ドーパント源をシリコン基板に拡散させるに足る温度まで、シリコン基板及び耐エッチング性ドーパント材料を加熱する工程と、を含む。 【選択図】図2

公开(公告)号：JP6254493B2

公开(公告)日：2017-12-27

申请号：JP2014139004

申请日：2014-07-04

Applicant: エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド ,  エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド

Inventor： ヒョンジン クォン ,  ヒョンジン クォン ,  ヒョンチョン パク ,  ヒョンチョン パク ,  チョンフン チェ ,  チョンフン チェ ,  チャンソ パク ,  チャンソ パク

IPC: H01L31/068

CPC classification number: H01L31/022441 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/182 ,  H01L31/1824 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

公开(公告)号：JP6212095B2

公开(公告)日：2017-10-11

申请号：JP2015217744

申请日：2015-11-05

Applicant: サンパワー コーポレイション

Inventor： スミス、デーヴィッド ,  リウ、ヘレン ,  デニス、ティム ,  マニング、ジェーン ,  ルアン、シン−シャオ ,  ワルドハウアー、アン ,  ソロモン、ジェネビエーブ、エー. ,  マルガプ、ブレンダ、パグラヤン ,  ラミレス、ジョセフ

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/20 ,  H01L21/316 ,  H01L31/0352

CPC classification number: H01L31/0368 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/062 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/182 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/1872 ,  H01L31/1876 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

公开(公告)号：JP6145144B2

公开(公告)日：2017-06-07

申请号：JP2015173971

申请日：2015-09-03

Applicant: サンパワー コーポレイション

Inventor： カズンズ、ピーター ジョン

IPC: H01L31/056 ,  H01L31/072

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/056 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

公开(公告)号：JP2017507496A

公开(公告)日：2017-03-16

申请号：JP2016555492

申请日：2015-03-04

Applicant: ヘルムホルツ−ツェントルム ベルリン フュア マテリアリエン ウント エナギー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングHelmholtz−Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH ,  ヘルムホルツ−ツェントルム ベルリン フュア マテリアリエン ウント エナギー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングHelmholtz−Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH

Inventor： アムクロイツ ダニエル ,  アムクロイツ ダニエル ,  ハシュケ ヤン ,  ハシュケ ヤン ,  レヒ ベアント ,  レヒ ベアント

IPC: H01L31/0747

CPC classification number: H01L31/03921 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/182 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/1868 ,  H01L31/1872 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521

Abstract: 逆型のp型及びn型ドーピングの半導体原料からの結晶質Si吸収体層及び結晶質Si吸収体層上に配置されるエミッタ層を少なくとも有するバックコンタクト型Si薄膜太陽電池において、ガラス基板上に、50nm〜1μmの範囲にある層厚を有する障壁層が形成されており、障壁層上に、40nm〜250nmの層厚を有し、光学特性を改善する少なくとも1つの層が配置されており、この層上に、0.5nm〜20nmのシリコン及び/又は酸素を含有する薄い層が配置されており、ここで結晶質Si吸収体層は液相結晶化工程によって製造可能であり、かつn伝導型であり、厚さ全体にわたって、2・1015cm−3〜5・1018cm−3の均質なドーピングで200nm〜40μmの層厚を有し、並びに三次元的な広がりにおいて少なくとも吸収体層の厚さと同じ大きさである単結晶Si粒子を有し、かつ、液相結晶化の間に、シリコン及び/又は酸素を含有する層とSi吸収体層の間にSiO2パッシベーション層が形成されている。

公开(公告)号：JP2017504950A

公开(公告)日：2017-02-09

申请号：JP2016520002

申请日：2014-12-08

Applicant: サンパワー コーポレイション ,  サンパワー コーポレイション

Inventor： ウェイドマン、ティモシー ,  ディー． スミス、デイビッド ,  ディー． スミス、デイビッド

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/266 ,  H01L31/068

CPC classification number: H01L31/182 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/035272 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/1872 ,  H01L31/1876 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: イオン注入を使用した太陽電池エミッタ領域の製造方法及び結果として生じる太陽電池が説明される。一例では、太陽電池の交互のN型及びP型エミッタ領域の製造方法は、基板上にシリコン層を形成するステップを含む。第1の導電型のドーパント不純物原子が、第1のシャドーマスクを介して、シリコン層内に注入され、第1の注入領域を形成し、シリコン層の非注入領域が生じる。第2の反対の導電型のドーパント不純物原子が、第2のシャドーマスクを介して、シリコン層の非注入領域の一部に注入され、第2の注入領域を形成し、シリコン層の残留非注入領域が生じる。シリコン層の残留非注入領域は選択的エッチングプロセスによって除去される一方で、シリコン層の第1及び第2の注入領域はアニールされ、ドープされた多結晶シリコンエミッタ領域が形成される。

Abstract translation: 太阳能电池产生的作为制备和使用离子注入的太阳能电池发射极区域的结果进行说明。 在一个实例中，太阳能电池的交替的N型和P型发射区的制造方法包括：在衬底上形成的硅层。 第一导电型掺杂剂杂质原子，通过第一荫罩注入到硅层，形成第一注入区域，发生硅层的非注入区域。 第二相反导电类型的掺杂剂杂质原子，经由第二荫罩，被注入到该硅层的非喷射区域的一部分，形成第二注入区域，所述硅层的残余的非喷射 发生面积。 同时通过选择性蚀刻工艺被去除的硅层的残余的非喷射区域，所述硅层的第一和第二注入区进行退火，形成掺杂的多晶硅发射极区。

公开(公告)号：JP6046780B2

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：JP2015155754

申请日：2015-08-06

Applicant: 友達晶材股▲ふん▼有限公司 ,  AUO Crystal Corporation

Inventor： ホー クオ チェン ,  ツァイ ヤー ルー ,  ツォン チエン チア ,  ヤン チア イン

IPC: C01B33/02

CPC classification number: H01L31/182 ,  C30B11/002 ,  C30B11/003 ,  C30B11/006 ,  C30B29/06 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521