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公开(公告)号：JP6433248B2
公开(公告)日：2018-12-05
申请号：JP2014226940
申请日：2014-11-07
Applicant: スタンレー電気株式会社 , 国立大学法人 東京大学
Inventor： 藤井 優作 , 杉山 正和 , マニッシュ マシュー
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0025 , H01L33/007 , H01L33/08 , H01L33/12 , H01L33/145 , H01L33/24 , H01L33/32
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公开(公告)号：JP2016092287A
公开(公告)日：2016-05-23
申请号：JP2014226940
申请日：2014-11-07
Applicant: スタンレー電気株式会社 , 国立大学法人 東京大学
Inventor： 藤井 優作 , 杉山 正和 , マニッシュ マシュー
Abstract: 【課題】蛍光体などの波長変換部材を不要にし、可視域の広範囲な発光波長帯域(スペクトル幅)を有する高い演色性かつ高い発光強度の半導体発光素子を提供する。 【解決手段】第1の導電型を有する第1の半導体層12と、第1の半導体層上に形成され、発光層を含む発光機能層13と、発光機能層上に形成され、第1の半導体層とは反対の導電型を有する第2の半導体層14と、を有する半導体発光素子であって、発光層は、第1の半導体層から応力歪を受ける組成を有してランダムな網目状に区画された複数のベースセグメントを有するベース層BLと、ベース層上に形成された少なくとも1つの量子井戸層WA及び少なくとも1つの障壁層BAからなる量子井戸構造層と、を有し、ベース層は、Al x Ga 1-x N(0≦x≦1)の組成を有し、少なくとも1つの障壁層は、Al y Ga 1-y N(0≦y yの関係を満たす。 【選択図】図2
Abstract translation: 要解决的问题：提供不需要诸如荧光物质的波长转换构件的半导体发光元件，并且具有宽可见范围和高显色性和高发光强度的发射波长带（光谱宽度）。解决方案 半导体发光元件包括：具有第一导电类型的第一半导体层12; 发光功能层13，其形成在第一半导体层上并且包括发光层; 以及形成在发光功能层上并具有与第一半导体层相反的导电类型的第二半导体层14。 发光层包括：基底层BL，其具有经受来自第一半导体层的应力应变的组成，并且具有以无规网格形状形成的多个基部段; 以及量子阱结构层，其形成在基极层上并由至少一个量子阱层WA和至少一个势垒层BA构成。 基层具有AlGaN（0≤x≤1）的组成。 所述至少一个阻挡层具有AlGaN（0≤y<1）的组成。 组成x和组成y满足x> y的关系。选择图：图2
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公开(公告)号：JP2016178269A
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：JP2015059265
申请日：2015-03-23
Applicant: スタンレー電気株式会社
Inventor： 藤井 優作
Abstract: 【課題】広範囲に亘る発光波長帯域(スペクトル幅)を有する高い演色性かつ高い発光強度の半導体発光素子を提供する。 【解決手段】第1の導電型を有する第1の半導体層と、第1の半導体層上に形成された発光層を含む発光機能層13と、発光機能層上に形成され、第1の半導体層とは反対の導電型を有する第2の半導体層とを有する半導体発光素子であって、発光層は、第1の半導体層から応力歪を受ける組成を有してランダムな網目状に形成された複数のベースセグメントBSを有するベース層BLと、ベース層上に形成された少なくとも1つの量子井戸層WA及び少なくとも1つの障壁層BAからなる量子井戸構造層QWと、を有し、少なくとも1つの量子井戸層の各々は、InGaNの組成を有し、かつ第2の半導体層に向かってIn組成が増加するように構成されている。 【選択図】図2
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种在宽范围内具有发射波长带（光谱宽度），高显色性和高发光强度的半导体发光器件。解决方案：一种半导体发光器件包括： 具有第一导电类型的第一半导体层; 形成在第一半导体层上并包括发光层的发光功能层13; 以及形成在所述发光功能层上并且具有与所述第一半导体层的导电类型相反的导电类型的第二半导体层。 发光层具有：具有通过来自第一半导体层的应力使基底层受应变的组成的基底层BL以及形成为无规网格的多个基部区段BS; 以及量子阱结构层QW，其包括在所述基极层上形成的至少一个量子阱层WA和至少一个势垒层BA。 每个量子阱层具有InGaN的组成，并且被布置成使得In组成朝向第二半导体层增加。选择的图：图2
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP6886261B2
公开(公告)日：2021-06-16
申请号：JP2016175927
申请日：2016-09-08
Applicant: スタンレー電気株式会社
IPC: H01L33/14
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公开(公告)号：JP6552234B2
公开(公告)日：2019-07-31
申请号：JP2015059265
申请日：2015-03-23
Applicant: スタンレー電気株式会社
Inventor： 藤井 優作
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公开(公告)号：JP2018041874A
公开(公告)日：2018-03-15
申请号：JP2016175927
申请日：2016-09-08
Applicant: スタンレー電気株式会社
IPC: H01L33/14
Abstract: 【課題】 新規な構造の電流ブロック層を含む半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 当該半導体発光素子は、第1の電極と、前記第1の電極上に配置される、発光性を有する光半導体積層と、前記光半導体積層上に配置され、Al組成比が相対的に低いAlGaAsから主になる低Al組成層と、前記低Al組成層上に選択的に配置され、Al組成比が相対的に高いAlGaAsから主になり、表面が酸化している高Al組成層と、前記低Al組成層上および前記高Al組成層上に選択的に配置され、少なくとも該低Al組成層の一部を露出する第2の電極と、を有する。 【選択図】 図5
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公开(公告)号：JP2017126684A
公开(公告)日：2017-07-20
申请号：JP2016005816
申请日：2016-01-15
Applicant: スタンレー電気株式会社
Inventor： 藤井 優作
IPC: H01L33/32 , H01L33/06 , H01L21/205 , H01L21/20 , H01L33/24
Abstract: 【課題】広範囲に亘る発光波長帯域(スペクトル幅)を有する高い演色性かつ高い発光強度の半導体発光素子を提供する。 【解決手段】半導体発光素子10は、第1の導電型を有する第1の半導体層12と、第1の半導体層上に形成され、第1の発光層を含む発光機能層13と、発光機能層上に形成され、第1の半導体層とは反対の導電型を有する第2の半導体層15と、を有する。第1の発光層は、第1の半導体層から応力歪を受ける組成を有してランダムな網目状に区画された複数のベースセグメントBSを有するベース層BLと、複数のベースセグメントのセグメント形状を残存しつつベース層上に形成されたバッファ層BUと、バッファ層上に形成された活性層ACと、を有する。 【選択図】図1
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