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公开(公告)号：JP2021185639A
公开(公告)日：2021-12-09
申请号：JP2021150033
申请日：2021-09-15
申请人： デンカ株式会社
IPC分类号： H01L25/18 , H01L23/36 , H01L23/12 , H01L23/373 , H01L25/07
摘要： 【課題】放熱部品に好適に密着させることが可能な放熱面を有するパワーモジュールを提供すること。 【解決手段】ベース板2と、ベース板2上に接合され、セラミックス基材7とセラミックス基材7の両面のそれぞれに設けられた少なくとも一層の金属層8,9とを有するセラミックス絶縁基板4と、セラミックス絶縁基板4上に接合された半導体素子6と、を備えるパワーモジュール1であって、ベース板2のセラミックス絶縁基板4と反対側の面2bが凸状の反り2cを有し、金属層8,9の最外層には、圧縮応力又は40MPa以下の引張応力が残留している、パワーモジュール1。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JPWO2018135490A1
公开(公告)日：2019-12-19
申请号：JP2018001022
申请日：2018-01-16
申请人： デンカ株式会社
摘要： セラミックス基材と、セラミックス基材上に形成された金属回路とを備えるセラミックス回路基板を製造する方法が開示される。開示される方法は、アルミニウム粒子又はアルミニウム合金粒子のうち少なくとも一方を含む第一金属粉体を不活性ガスとともにノズルからセラミックス基材の表面に対して吹き付けることにより、セラミックス基材に接する第一金属層を形成させる工程であって、第一金属粉体が10〜270℃に加熱されてからノズル10から噴出され、ノズル10の入口における不活性ガスのゲージ圧力が1.5〜5.0MPaである、工程と、第一金属層を不活性ガス雰囲気下で加熱処理する工程等を含む。
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公开(公告)号：JP2019067805A
公开(公告)日：2019-04-25
申请号：JP2017188499
申请日：2017-09-28
申请人： デンカ株式会社
摘要： 【課題】繰り返し行われる発熱及び冷却による電気特性の低下を抑制できる多層回路基板及びその製造方法を提供すること。 【解決手段】本発明に係る多層回路基板100の製造方法は、第一金属層1の一方の面上に、ビアホール6を有する第一セラミックス基材2を接合する第一工程と、第一金属層1の他方の面上に、第二セラミックス基材3を接合する第二工程と、ビアホール6内に、溶射法によって導体部7を形成する第三工程と、第一セラミックス基材2の第一金属層1とは反対側の面上に、金属回路を有する第二金属層4を形成する第四工程と、第二セラミックス基材3の第一金属層1とは反対側の面上に、第三金属層5を形成する第五工程と、を備える。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2021080537A
公开(公告)日：2021-05-27
申请号：JP2019210571
申请日：2019-11-21
申请人： デンカ株式会社
摘要： 【課題】ヒートサイクルに対する耐久性に優れるとともに高い導電性を有する複合基板を提供すること。 【解決手段】 複合基板100は、セラミックス板10と、アルミニウム及びアルミニウム合金からなる群より選ばれる少なくとも一つを含む金属層21と、銅及び銅合金からなる群より選ばれる少なくとも一つを含む溶射層22と、をこの順に備え、金属層21と溶射層22との間に、構成元素として銅及びアルミニウムを有する金属間化合物が点在している。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2020167262A
公开(公告)日：2020-10-08
申请号：JP2019065892
申请日：2019-03-29
申请人： デンカ株式会社
摘要： 【課題】ベース板の銅含有層の錆を低減する。 【解決手段】ベース板10は、基板100、銅含有層120及び防錆剤130を含んでいる。基板100は、金属基複合材料(MMC)基材110及び金属層112を含んでいる。金属層112は、MMC基材110を覆っている。銅含有層120は、基板100上に位置している。防錆剤130は、銅含有層120を覆っている。 【選択図】図2
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公开(公告)号：JP2019067804A
公开(公告)日：2019-04-25
申请号：JP2017188490
申请日：2017-09-28
申请人： デンカ株式会社
摘要： 【課題】大電流に対する耐久性、放熱性、及び耐熱衝撃性を備えるセラミックス回路基板を提供すること。 【解決手段】セラミックス基材1と、セラミックス基材1の両面に設けられた金属層2a,2bと、を備え、金属層2a,2bが、Alを含む第一金属層22a.22b及びCuを含む第二金属層23a,23bをセラミックス基材1からこの順に有しており、金属層2a,2bのうちの少なくとも一方が金属回路を形成している、セラミックス回路基板101。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2019067803A
公开(公告)日：2019-04-25
申请号：JP2017188485
申请日：2017-09-28
申请人： デンカ株式会社
摘要： 【課題】発熱及び冷却が繰り返し行われる環境下で使用されても、セラミックス基材と金属層の高い密着性を維持できるとともに、放熱性に優れるセラミックス回路基板及びその製造方法を提供する。 【解決手段】本発明の一態様に係るセラミックス回路基板の製造方法は、(A)セラミックス基材の両面上に、銅を主成分とする第一金属層を形成する工程と、(B)第一金属層の表面上に、溶射法によって第二金属層を形成する工程とを含む。(B)工程において、セラミックス基材の一方の面側に位置する第二金属層として銅を主成分とする層を形成するとともに、セラミックス基材の他方の面側に位置する第二金属層としてアルミニウムを主成分とする層を形成する。上記金属層はセラミックス基材側から第一金属層及び第二金属層をこの順序で含む多層構造を有し且つ0.5〜2.0mmの厚さを有する。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2019067801A
公开(公告)日：2019-04-25
申请号：JP2017188479
申请日：2017-09-28
申请人： デンカ株式会社
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/373 , H01L23/36
摘要： 【課題】放熱部品及びパワーモジュールの密着性が良好であり、且つ、良好な放熱性を有する放熱部品付きパワーモジュールを提供すること。 【解決手段】ベース板2と、ベース板2上に接合されたセラミックス絶縁基板4と、セラミックス絶縁基板4上に接合された半導体素子6と、を備えるパワーモジュール1と、パワーモジュール1のベース板2側に放熱シート24を介して取り付けられた放熱部品22と、を備え、ベース板2のセラミックス絶縁基板4と反対側の面の平面度が20μm以下である、放熱部品付きパワーモジュール21。 【選択図】図2
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公开(公告)号：JP2020167264A
公开(公告)日：2020-10-08
申请号：JP2019065939
申请日：2019-03-29
申请人： デンカ株式会社
IPC分类号： H01L23/36
摘要： 【課題】ベース板の銅含有層の剥離耐性を向上させる。 【解決手段】ベース板10は、基板100及び銅含有層120を含んでいる。基板100は、金属層112を含んでいる。銅含有層120は、基板100上に位置している。銅含有層120は、部位122を含んでいる。部位122は、基板100の金属層112に埋め込まれている。部位122は、第1領域122a及び第2領域122bを含んでいる。第1領域122aは、第1幅W1を有している。第2領域122bは、第1領域122aよりも深い位置にあって第2幅W2を有している。 【選択図】図3
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