レーザ照射されたニッケル膜の検査方法

    公开(公告)号:JP2019190957A

    公开(公告)日:2019-10-31

    申请号:JP2018083037

    申请日:2018-04-24

    Abstract: 【課題】レーザ照射されたニッケル膜を検査するための新規で有用な技術を提供する。 【解決手段】本明細書は、レーザ照射されたニッケル膜を検査する方法を開示する。この検査方法は、レーザ照射されたニッケル膜の表面を還元性ガス雰囲気下において還元する還元工程と、還元工程後、ニッケル膜の表面を窒素雰囲気下において250℃以上に加熱する加熱工程と、加熱工程後、ニッケル膜の表面を測色する測色工程と、測色工程による測色結果に基づいて、ニッケル膜の表面の状態を判断する判断工程とを備える。 【選択図】図7

    重ね継手溶接方法
    8.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2019136757A

    公开(公告)日:2019-08-22

    申请号:JP2018024426

    申请日:2018-02-14

    Inventor: 福西 篤志

    Abstract: 【課題】スパッタの発生量を抑制することができる技術を提供する。 【解決手段】金属の第1母材と、前記第1母材の表面に重ねて配置されている金属の第2母材とをレーザーを用いて溶接する重ね継手溶接方法であって、前記第2母材の表面に前記レーザーを斜めに照射した状態で前記第2母材の前記表面に沿って前記レーザーを移動させる照射ステップを備えており、前記照射ステップでは、前記第2母材の前記表面に対する前記レーザーの入射角度が20°以上35°以下であり、前記第2母材の前記表面と前記レーザーとの間に鋭角が形成されている側から、前記第2母材の前記表面と前記レーザーとの間に鈍角が形成されている側へ前記レーザーを移動させる、重ね継手溶接方法。 【選択図】図1

    溶接装置
    9.
    发明专利
    溶接装置 审中-公开

    公开(公告)号:JP2019107669A

    公开(公告)日:2019-07-04

    申请号:JP2017242142

    申请日:2017-12-18

    Abstract: 【課題】本明細書は、狭い間隔で平行に延びている第1導体と第2導体の間に位置する第3導体を第1導体に溶接するのに適した溶接装置を提供する。 【解決手段】本明細書が開示する溶接装置100は、クランプ10とレーザ照射装置18を備えている。クランプ10は、第1ツメ17と第2ツメ14を備えており、それらのツメで左端子6aと枝部22を挟み込むことができる。第1ツメ17は、左端子6aと当接する当接面17aと、その当接面に対向している梁12を備えている。梁12は、クランプ10が左端子6aと枝部22を挟み込んだ状態において、枝部22と右端子6bの間に位置するように、第1ツメ17に備えられている。第2ツメ14と梁12は、クランプ10が左端子6aと枝部第3導体を挟み込んだ状態において、溶接範囲Sで反射した反射レーザの光路を遮るように位置している。 【選択図】図6

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