公开(公告)号：JP2016018872A

公开(公告)日：2016-02-01

申请号：JP2014140193

申请日：2014-07-08

Applicant: トヨタ自動車株式会社

Inventor： 藤原 大祐

IPC: B24B27/06 ,  H01L21/304 ,  H01L21/301

Abstract: 【課題】ウェハ裏面側の外周端部にリブ部を有する半導体ウェハから半導体装置を製造できる簡便な製造手法を提供する。 【解決手段】ウェハ裏面側領域12rの外周縁にリブ部14を有する半導体ウェハ10から半導体装置を製造するに当たり、まず、ウェハ裏面側領域12rに埋設シート20を接着し(ステップS10)、ウェハ裏面側領域12rとリブ部14の段差をなくす。次いで、この形態で、半導体ウェハ10をダイシングシート30に接着し(ステップS20)、ダイシングブレードDbで半導体ウェハ10を、ウェハ表面側12sの側からダイシングする(ステップS30)。この際、ダイシングブレードDbによるダイシング深さを、ウェハ表面側12sの側からリブ部14の頂上を越えてダイシングシート30まで達する深さとする。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种简单的制造方法，其能够从在背面侧的晶片的外周边缘上具有肋部的半导体晶片制造半导体器件。解决方案：从半导体器件的制造方法 在晶片背面侧区域12r的外周边缘具有肋部14的半导体晶片10，首先将嵌入片20与晶片背面侧区域12r接合（步骤S10），以消除晶片背面侧区域12r之间的电平差 晶片背面侧区域12r和肋部14; 然后，将该结构中的半导体晶片10接合于切割片30（步骤S20）。 并且通过切割刀片Db从晶片表面侧12s切割半导体晶片10（步骤S30）。 在这种情况下，切割刀片Db的切割深度被确定为从晶片表面侧12s穿过肋部14的顶部到达切割片30的长度。选择的图示：图1

公开(公告)号：JP5892003B2

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：JP2012187851

申请日：2012-08-28

Applicant: トヨタ自動車株式会社

Inventor： 牛島 隆志 ,  今井 敦志 ,  藤原 大祐 ,  野原 二郎

IPC: C23C14/04 ,  H01L21/285

公开(公告)号：JP2018060892A

公开(公告)日：2018-04-12

申请号：JP2016196538

申请日：2016-10-04

Applicant: トヨタ自動車株式会社

Inventor： 藤原 大祐

IPC: H01L21/301

Abstract: 【課題】ダイシングテープの材質を変更することなく所定のサイズよりも大きい切削屑が発生することを抑制すること。 【解決手段】本発明にかかるダイシングテープ30は、ダイシングブレード70によって半導体ウェーハ50を切削する際に、半導体ウェーハ50を貼合することにより、半導体ウェーハ50を固定するダイシングテープである。半導体ウェーハ50を貼合する側の面には、ダイシングブレード70が半導体ウェーハ50を切削することにより形成される複数の第1の溝51を跨ぐように、複数の第2の溝31が形成されている。また、複数の第2の溝31の深さは、複数の第1の溝51より深く、複数の第2の溝31のピッチは、複数の第1の溝51のピッチよりも狭い。 【選択図】図5

公开(公告)号：JP5880359B2

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：JP2012191387

申请日：2012-08-31

Applicant: トヨタ自動車株式会社

Inventor： 野原 二郎 ,  今井 敦志 ,  藤原 大祐

IPC: H01L21/68