公开(公告)号：JP6321452B2

公开(公告)日：2018-05-09

申请号：JP2014105201

申请日：2014-05-21

Applicant: 株式会社システム技研 ,  トヨタ自動車株式会社

Inventor： 大坂 卓也 ,  長峯 清隆 ,  今井 敦志 ,  野原 二郎

IPC: H01L21/683 ,  C23C14/50

公开(公告)号：JP6137041B2

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：JP2014092555

申请日：2014-04-28

Applicant: トヨタ自動車株式会社

Inventor： 今井 敦志 ,  野原 二郎

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/285 ,  C23C16/04 ,  C23C14/04

公开(公告)号：JP6127834B2

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：JP2013175496

申请日：2013-08-27

Applicant: トヨタ自動車株式会社

Inventor： 野原 二郎 ,  今井 敦志

IPC: H01L21/027 ,  G03F9/00 ,  C23C14/04 ,  H01L21/68

公开(公告)号：JP6074961B2

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：JP2012198470

申请日：2012-09-10

Applicant: トヨタ自動車株式会社

Inventor： 中村 勉 ,  今井 敦志 ,  野原 二郎

IPC: H01L21/677 ,  B25J15/06

公开(公告)号：JP2016082061A

公开(公告)日：2016-05-16

申请号：JP2014211743

申请日：2014-10-16

Applicant: トヨタ自動車株式会社

Inventor： 野原 二郎 ,  今井 敦志

IPC: G01B11/00 ,  G03F9/00 ,  H01L21/027

Abstract: 【課題】第1のアライメントマークを利用して位置を合わせ、第2のアライメントマークを利用して角度を合わせると、ウエハとマスクのサイズにズレがある場合に、ウエハ上の位置によって位置ズレ量が大きく変動し、公差外となる領域が広くなる。 【解決手段】ウエハ側第1ポイント25とウエハ側第2ポイント23とマスク側第1ポイント15とマスク側第2ポイント13が同一直線上に配置され、かつ、ウエハ側第1ポイントとウエハ側第2ポイントの中点M2と、マスク側第1ポイントとマスク側第2ポイントの中点M1とが一致する位置と姿勢に位置合わせする。ウエハ内における位置ズレ量の最大値が縮小する。 【選択図】図3

Abstract translation: 要解决的问题为了解决这样一个问题，当使用第一对准标记对准位置并且使用第二对准标记对准角度时，位置偏移量根据晶片上的位置而显着变化，如果存在 晶片和掩模的尺寸之间的偏差以及公差范围之外的区域变宽。解决方案：将晶片侧第一点25和晶片侧第二点23以及掩模侧第一位置和方向对准 点15和掩模侧第二点13布置在相同的直线上，并且晶片侧第一点25和晶片侧第二点的中点M2与掩模侧第一点和掩模侧第二点的中点M1匹配。 晶片中位置偏差量的最大值减小。选择图：图3

公开(公告)号：JP2019033128A

公开(公告)日：2019-02-28

申请号：JP2017151880

申请日：2017-08-04

Applicant: トヨタ自動車株式会社

Inventor： 大木 周平 ,  長澤 薫 ,  今井 敦志

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L21/322 ,  H01L21/336

Abstract: 【課題】軽イオンの1回照射で半導体基板内の異なる深さにライフタイム制御領域を形成する技術を提供する。 【解決手段】半導体装置の製造方法であって、半導体基板の第2主面側に結晶欠陥密度のピークが形成されるように、前記半導体基板の第1主面から軽イオンを照射する第1工程と、前記第1工程の後に、前記半導体基板の前記第1主面を局所アニールする第2工程と、前記第2工程の後に、前記半導体基板の全体をアニールする第3工程と、を備える。 【選択図】なし

公开(公告)号：JP2018082007A

公开(公告)日：2018-05-24

申请号：JP2016222534

申请日：2016-11-15

Applicant: トヨタ自動車株式会社

Inventor： 細川 博司 ,  岩崎 真也 ,  西脇 剛 ,  今井 敦志 ,  大木 周平

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/265 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L21/329 ,  H01L21/263 ,  H01L21/322 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/0716 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/268 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/08 ,  H01L29/32 ,  H01L29/36 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/8613

Abstract: 【課題】 カソード領域と結晶欠陥領域の相対的な位置ずれを抑制する。 【解決手段】 ダイオードを備える半導体装置の製造方法であって、半導体基板の第1表面とその反対側の第2表面の少なくとも一方から前記半導体基板の第1範囲と第2範囲に荷電粒子を注入することによって、前記第1範囲及び前記第2範囲の結晶欠陥密度を上昇させる工程と、前記第1表面から前記第1範囲にn型不純物を注入することによって、前記第1範囲の前記第1表面に露出する領域をアモルファス化させる工程と、前記荷電粒子の注入と前記n型不純物の注入の実施後に、レーザを前記第1表面に照射することによって、前記第1範囲と前記第2範囲を加熱する工程と、前記レーザの照射の実施以降に、アモルファス化した前記領域を結晶化させる工程を有する。 【選択図】図6

公开(公告)号：JP6042279B2

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：JP2013147753

申请日：2013-07-16

Applicant: 株式会社システム技研 ,  トヨタ自動車株式会社

Inventor： 大坂 卓也 ,  長峯 清隆 ,  吉原 大祐 ,  今井 敦志 ,  野原 二郎

IPC: C23C14/04 ,  H01L21/673 ,  C23C14/50

公开(公告)号：JP5892003B2

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：JP2012187851

申请日：2012-08-28

Applicant: トヨタ自動車株式会社

Inventor： 牛島 隆志 ,  今井 敦志 ,  藤原 大祐 ,  野原 二郎

IPC: C23C14/04 ,  H01L21/285

公开(公告)号：JP5867467B2

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：JP2013182439

申请日：2013-09-03

Applicant: トヨタ自動車株式会社

Inventor： 牛島 隆志 ,  今井 敦志 ,  野原 二郎

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  C23C14/04 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/03332 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03472 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/10145 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16013 ,  H01L2224/16054 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16059 ,  H01L2224/16111 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/81801 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/37001