公开(公告)号：JP6022464B2

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：JP2013536565

申请日：2011-10-25

申请人： ナショナル ユニヴァーシティー オブ シンガポール

发明人： サッシャ・ピエール・ヒュースラー ,  ヘルバート・オー・モーザー

IPC分类号： H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC分类号： G02B5/18 ,  G01J3/00 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0005 ,  G03F7/0017 ,  G03F7/0037 ,  G03F7/2014 ,  G03F7/203 ,  G03F7/213 ,  G03F7/70058 ,  G03F7/70416 ,  G03F7/70466

公开(公告)号：JP2014501937A

公开(公告)日：2014-01-23

申请号：JP2013536565

申请日：2011-10-25

申请人： ナショナル ユニヴァーシティー オブ シンガポール

发明人： サッシャ・ピエール・ヒュースラー ,  ヘルバート・オー・モーザー

IPC分类号： G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC分类号： G02B5/18 ,  G01J3/00 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0005 ,  G03F7/0017 ,  G03F7/0037 ,  G03F7/2014 ,  G03F7/203 ,  G03F7/213 ,  G03F7/70058 ,  G03F7/70416 ,  G03F7/70466

摘要： リソグラフィ法及び装置が本明細書に開示される。 記載された実施形態において、本方法は、（ｉ）３次元構造を形成するための露出パターン３３２、３３４を有する第１のマスク３１６を提供する段階、（ｉｉ）第１のマスク３１６を放射線に露出して放射線感受性レジスト３１４に露出パターン３３２、３３４を形成する段階であって、露出パターン３３２、３３４はレジスト３１４の照射領域３３６及び非照射領域３３７によって画定される、露出パターン３３２、３３４を形成する段階、（ｉｉ）第２のマスク３２８を提供する段階、及び（ｉｉｉ）露出時に、第１のマスク３１６と第２のマスク３２８との間の相対位置を変化させて（矢印Ｂ及びＣ）照射領域３３６の選択された部分を放射線から遮蔽し、３次元構造内に異なる深さプロファイルを形成することを可能にする段階、を含む。

摘要翻译： 本文公开了一种光刻方法和装置。 在所描述的实施例中，该方法包括（i）提供具有用于形成三维结构的曝光图案的第一掩模; （ii）将第一掩模暴露于辐射以在辐射敏感抗蚀剂上形成曝光图案; 由抗蚀剂的照射区域和未照射区域限定的曝光图案; （ii）提供第二掩模; 和（iii）在曝光期间，改变第一掩模和第二掩模之间的相对位置以屏蔽被照射区域的所选部分不受辐射，以使能够在三维结构中产生变化的深度分布。