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公开(公告)号：JPWO2020027240A1
公开(公告)日：2021-08-02
申请号：JP2019030119
申请日：2019-08-01
Applicant: パナソニックIPマネジメント株式会社
Abstract: 高周波加熱装置(1A)は、平板状の第1電極(11)と、平板状の複数の第2電極(12)と、高周波電源(20)と、整合部(30)と、制御部(40)と、電界調整部(50)とを備える。複数の第2電極(12)は、第1電極(11)に対向して配置される。高周波電源(20)は、第1電極(11)に高周波電圧を印加する。整合部(30)は、第1電極(11)と高周波電源(20)との間に配置され、高周波電源(20)とのインピーダンス整合を取る。制御部(40)は、高周波電源(20)を制御する。電界調整部(50)は、第1電極(11)と複数の第2電極(12)との間に形成された複数の領域における電界強度を個別に調整する。本態様によれば、加熱ムラを低減することができる。
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公开(公告)号：JPWO2018198889A1
公开(公告)日：2020-05-14
申请号：JP2018015930
申请日：2018-04-18
Applicant: パナソニックIPマネジメント株式会社
Inventor： 大森 義治
IPC: H05B6/70
Abstract: マイクロ波処理装置は、加熱室と第1、第2アンテナと伝送線路群と複数の供給部とを備える。加熱室は被加熱物を収容する。第1、第2アンテナは加熱室にマイクロ波を放射する。伝送線路群は、第1、第2アンテナにマイクロ波を供給する複数の伝送線路を含む。複数の供給部は伝送線路群にマイクロ波を供給する。複数の伝送線路は、環状に結合された第1〜第4伝送線路を含む。伝送線路群は、第1、第3伝送線路の間に設けられた第1分岐部と、第2、第4伝送線路の間に設けられた第2分岐部とをさらに備える。複数の供給部は、第1、第2伝送線路間に設けられた第1供給部と、第3、第4伝送線路間に設けられた第2供給部とを含む。第1伝送線路は、第2、第4伝送線路と同じ位相長を有し、第3伝送線路は、第1、第2、第3伝送線路の各位相長と異なる位相長を有する。本態様によれば、様々な形状、種類、量の被加熱物に対して短時間で所望の加熱を行うことができる。
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公开(公告)号：JPWO2018147322A1
公开(公告)日：2019-12-12
申请号：JP2018004196
申请日：2018-02-07
Applicant: パナソニックIPマネジメント株式会社
Abstract: 加熱調理器は、加熱室とドアとダンパとダンパアームとを備える。加熱室は、本体に設けられ、被加熱物を収容するように構成される。ドアは、加熱室の前面開口を覆うように本体に取り付けられる。ダンパは、本体に設けられる。ダンパアームは、本体に設けられ、前方端と、ダンパに対向する後方端とを有する。ドアは、前方端に当接するように構成された当接部材を有する。ドアを開閉する際に、ドアが原動節として機能し、当接部材または前方端がカムとして機能し、ダンパアームが従動節として機能することにより、ダンパアームの後方端がダンパを押圧する。本態様によれば、ダンパの周囲の構造を簡素化かつ小型化することができる。その結果、ドアの開閉機構のコスト低減および省スペース化を図ることができる。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JPWO2018037802A1
公开(公告)日：2019-06-20
申请号：JP2017026620
申请日：2017-07-24
Applicant: パナソニックIPマネジメント株式会社
IPC: H05B6/74
Abstract: 高周波加熱装置(1a)は、生成部(8)と表面波励振体(10)と第1結合部(12)と再利用部(14)とを備える。生成部(8)はマイクロ波を生成する。表面波励振体(10)は、周期構造体を有し、マイクロ波を表面波モードで伝播させて加熱対象物(6)を加熱する。第1結合部(12)は、表面波励振体(10)の一つの端部(15)に設けられる。第1結合部(12)を介して、生成部(8)により生成されたマイクロ波が表面波励振体(10)に供給される。再利用部(14)は、表面波励振体(10)の一つの端部(15)からマイクロ波の伝播方向に位置する表面波励振体(10)の別の端部(17)に到達したマイクロ波を、加熱対象物(6)の加熱のために再利用する。本態様によれば、加熱対象物に吸収されなかったマイクロ波を、加熱対象物の加熱のために再利用することができる。
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公开(公告)号：JPWO2018037801A1
公开(公告)日：2019-06-20
申请号：JP2017026619
申请日：2017-07-24
Applicant: パナソニックIPマネジメント株式会社
Abstract: 高周波加熱装置(1A)は、生成部(8)と表面波励振体(10)と結合部(12a、12b)と位相可変部(14)とを備える。生成部(8)は、マイクロ波を生成する。表面波励振体(10)は、周期構造体を有し、マイクロ波を表面波モードで伝播させて加熱対象物(6)を加熱する。表面波励振体(10)の端部に設けられた複数の結合部(12a、12b)を介して複数のマイクロ波が表面波励振体(10)に供給される。位相可変部(14)は、複数のマイクロ波の間の位相差を変化させる。本態様によれば、表面波励振体(10)上に形成される電界分布(20)の向きを変化させることにより、加熱領域の位置と加熱領域における加熱の度合いとを制御することができる。
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